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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电光装置及具备该电光装置的电子设备-CN200610084639.8无效
发明人：山崎亮介 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-05-26 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：多层电介质构造(75)由于以HTO膜(75b)为中心，在其两侧形成有氮化硅膜(75c)和氮化硅膜(75a)，所以具有以HTO膜(75b)为中心沿着图中上下方向对称的叠层构造。因此，在液晶装置(1)被1H反转驱动时，通过使下部电极(71)的电位极性相对被维持为固定电位的电容电极(300)而成为反极性，从而即使在多层电介质构造(75)中的电场方向反转时，也能够基于多层电介质膜构造而且，通过使向多层电介质膜构造(75)施加的电场的方向时间性地反转，可抑制多层电介质膜构造(75)的耐压特性的劣化。
电光装置具备电子设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510082456.8无效
发明人：村田浩一;生云雅光;渡边英二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-07-05 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：(a)在半导体器件上形成焊盘电极；(b)将有机电介质膜涂于该半导体器件的表面，以露出该焊盘电极的中心部分；(c)通过干蚀刻处理该焊盘电极的露出表面；以及(d)使用无氧干处理去除因用于表面处理的干蚀刻引起的、在有机电介质膜中产生的转化层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电介质组合物和电子器件-CN201880014961.4有效
发明人：藤井祥平;政冈雷太郎;中村真生子 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在高频区域也具有高的相对介电常数和高的Q值的电介质组合物和具有由其电介质组合物构成的电介质膜的电子器件。上述电介质组合物的特征在于含有通式(aCaO+bSrO)‑ZrO2所示的复合氧化物作为主成分，a和b满足a≥0、b≥0、1.50＜a+b≤4.00的关系。
电介质组合电子器件

[发明专利]电介质膜及电子部件-CN202010218573.7在审
发明人：大庭悠辅;政冈雷太郎;藤井祥平;城川真生子 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质膜，作为其主成分，含有以通式xAO－yBO－zC2O5表示的复合氧化物，A为选自由钡、钙和锶构成的组中的至少一者为选自由镁和锌构成的组中的至少一者，C为选自由铌和钽构成的组中的至少一者，x、y和z满足以下关系：x+y+z＝1.000、0.375≤x≤0.563、0.250≤y≤0.500、x/3≤z≤(x/3)+1/9的关系，电介质膜的由此，能够提供即使是薄膜，绝缘破坏电压也较高的电介质膜。
电介质电子部件

[发明专利]一种薄膜器件-CN202010216075.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、底层电介质膜层、膜层组件和保护膜层，所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的银膜层、TiNiGaOx膜层和电介质膜层；或所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的TiNiGaOx膜层、银膜层、TiNiGaOx膜层和电介质膜层，所述TiNiGaO
一种薄膜器件

[发明专利]电容器结构及其制备方法-CN201810415556.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种电容器结构，包括：下极板，连接有下电极；上极板，连接有上电极；高电介质膜层结构，位于上极板与下极板之间；绝缘层，覆盖于下电极的表面，且绝缘层上设置有显露下电极的开口，其中，下极板经由开口与下电极相连接，且高电介质膜层结构的端部、上极板的端部以及上电极的端部分别通过绝缘层与下电极绝缘隔开。通过本发明的方案，高电介质膜层结构可以在电容介电层厚度不变的情况下，缩小等效氧化层的厚度，还可以在保持或缩小等效氧化层厚度的同时，有足够的物理厚度来限制量子隧穿效应的影响，防止漏电流增大从而导致器件失效
下电极绝缘层高电介质膜层结构上极板下极板等效氧化层电容器结构电极开口量子隧穿效应电容介电层器件失效漏电流隔开绝缘制备显露覆盖

[发明专利]种沟槽型肖特基二极管器件结构和工艺实现方法-CN201210473557.8有效
发明人：刘远良;胡晓明 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型肖特基二极管器件结构，该结构包括：半导体衬底上，形成有外延区，沟槽被形成在外延区中，间隔排列，沟槽之间为肖特基区；所述沟槽侧壁有电介质膜，该电介质膜中间形成有多晶硅，该多晶硅的掺杂类型与半导体衬底及外延区的掺杂类型相同本发明能解决沟槽肖特基二极管接触孔刻蚀时破坏沟槽电介质膜，导致产品可靠性下降的问题。
沟槽型肖特基二极管器件结构工艺实现方法

[发明专利]具有导电层的半导体装置和液晶显示装置-CN00135569.4有效
发明人：久保田健;村井一郎 -专利权人：三菱电机株式会社;精工爱普生股份有限公司
申请日： 2000-12-13 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：薄膜场效应晶体管的阈值电压稳定且提高了电容的耐久性和可靠性的半导体装置、液晶显示装置，具备衬底(1)和半导体层(5、7)和电介质膜(35)。电介质膜(35)在导电层(3)上边形成。沟道区(5、7)内的导电性杂质浓度在10¹⁶原子/cm³以下。电介质膜(35)中的导电性杂质浓度在10¹⁷原子/cm³以下。
具有导电半导体装置液晶显示装置

[发明专利]液晶装置-CN200810086070.8有效
发明人：原田考人;今井克浩 -专利权人：爱普生映像元器件有限公司
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：11)上的信号线(14)，导电连接于信号线(14)的开关元件(13)及像素电极(15)，设置于基板(11)上的布线(17)，覆盖像素电极(15)、开关元件(13)及布线(17)而设置于基板(11)上的电介质膜(16)，和设置于电介质膜(16)上而对向于像素电极(15)的共用电极(18)。共用电极(18)具有缝隙(27)，在对向于像素电极(15)的区域具有平行并排的多个线状电极部(28)，共用电极(18)在电介质膜(16)的外侧与布线(17)导电连接。
液晶装置

[发明专利]电光装置、其制造方法以及电子设备-CN200610065472.0有效
发明人：山崎康二 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-03-22 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：还具备：存储电容，与数据线相比配置于上层侧，并从下层侧依次叠层像素电位侧电极、电介质膜及固定电位侧电极；像素电极，对每个像素进行配置，并且与像素电位侧电极及薄膜晶体管进行电连接；以及层间绝缘膜，叠层于电介质膜的上层侧存储电容具有下述叠层结构，该叠层结构在从开设于层间绝缘膜的开口所露出的电介质膜之上，叠层固定电位侧电极。
电光装置制造方法以及电子设备

[发明专利]半导体器件-CN03124024.0无效
发明人：大芦敏行 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-04-24 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：电容器CP10具有埋入在层间绝缘膜3的上主面内而设置的电容器上部电极103和覆盖电容器上部电极103的侧面及下表面而设置的电容器电介质膜102。还有，电容器电介质膜102被设置成使之覆盖以贯通电容器上部电极103的方式而设置的接触栓101的侧面，被接触栓101的电容器电介质膜102覆盖的部分具有作为电容器下部电极101的功能。
半导体器件

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN97102155.4无效
发明人：中川聪;伊东丰二;尾藤阳二;长野能久 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1997-01-24 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在半导体衬底上依次形成器件绝缘膜、下白金膜、强电介质膜、上白金膜、钛膜和期望图形的光刻胶掩模。钛膜厚度设为上白金膜、强电介质膜和下白金膜总厚度的十分之一以上。用已图形化的钛膜为掩模，应用把氧气的体积浓度设定为40％的氯与氧混合气体的等离子体的干蚀法刻蚀上白金膜、强电介质膜和下白金膜。由于钛膜被氧化故可得到高的刻蚀选择比。
半导体器件制造方法

[发明专利]固体摄像器件及其制造方法-CN200410094957.3无效
发明人：加藤良章 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-11-19 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固体摄像器件，包括：以一维或二维状排列的光电二极管组(1)；在光电二极管之上形成的由透光性的无机物质构成的无机电介质膜(8b、8c)；以及在无机电介质膜中以被夹在由无机电介质膜构成的内侧侧壁和外侧侧壁之间的状态形成的中空层
固体摄像器件及其制造方法

[实用新型]玫瑰金色铜银低辐射镀膜玻璃-CN201520616669.3有效
发明人：董清世;周枫;蔡法清 -专利权人：信义节能玻璃（芜湖）有限公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： B32B17/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及玻璃技术领域，具体公开了一种玫瑰金色铜银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基板和功能膜层；所述功能膜层包括从所述玻璃基板的一表面向外依次层叠结合的第一电介质膜层、铜膜层、第一保护膜层、第二电介质膜层、银膜层、第二保护膜层和第三电介质膜层。
玫瑰金色铜银低辐射镀膜玻璃

[实用新型]一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片-CN201921656468.0有效
发明人：李林;董北平;李鸿建 -专利权人：武汉云岭光电有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片，磷化铟半导体激光晶圆包括二氧化硅电介质膜层、N型衬底以及生长其上端面的外延结构，将覆盖在磷化铟半导体激光晶圆表面位于解理面区域的二氧化硅电介质膜层去除其可以降低磷化铟激光芯片的整体应力，主要是降低解理方向上二氧化硅电介质膜层产生的应力，从而降低其对施加机械外力的影响，保证机械应力能够沿解理方向传递，从而达到理想解理效果。
一种磷化半导体激光芯片

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