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[发明专利]双极型纵向平面式晶体管及其制造方法-CN201310033817.4无效
发明人：李红伟;吴耀辉 -专利权人：苏州同冠微电子有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明公开了双极型纵向平面式晶体管及其制造方法，包括P型半导体衬底、N型非本征集电区、下隔离层、本征集电区、插塞、上隔离层、本征基区、非本征基区、第一电介质膜层、发射区、集电极区、第二电介质膜层、引线孔本发明利用双层隔离，使得晶体管的面积较小；基区方块电阻较小；集电极饱和压降低；同时采用节省的方法，得到平坦的引线孔前为保护晶体管表面所需的介质膜层。
双极型纵向平面晶体管及其制造方法

[实用新型]双极型纵向平面式晶体管-CN201320048768.7有效
发明人：李红伟;吴耀辉 -专利权人：苏州同冠微电子有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本实用新型公开了双极型纵向平面式晶体管，包括P型半导体衬底、N型非本征集电区、下隔离层、本征集电区、插塞、上隔离层、本征基区、非本征基区、第一电介质膜层、发射区、集电极区、第二电介质膜层、引线孔、以及设置在前述引线孔内的金属布线本实用新型利用双层隔离，使得晶体管的面积较小；基区方块电阻较小；集电极饱和压降低；同时采用节省的方法，得到平坦的引线孔前为保护晶体管表面所需的介质膜层。
双极型纵向平面晶体管

[发明专利]一种多层片式陶瓷电容器及其制作方法-CN201810403769.6在审
发明人：杨俊;向勇;敬文平;何小燕;韩玮;林显竣;杨雪屏 -专利权人：深圳市宇阳科技发展有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明公开一种多层片式陶瓷电容器及其制作方法，其中，方法包括步骤：将第一陶瓷浆料涂覆在基材上，形成电介质膜片；在所述电介质膜片表面印刷导电浆料形成内电极；将第二陶瓷浆料喷涂或打印在电介质膜片的空白区域，
片式陶瓷电容器多层电介质膜陶瓷基片陶瓷浆料涂表面印刷产品报废导电浆料电极弯曲空白区域陶瓷浆料电极烧结膜片层内电极端头堆叠分层基材排胶喷涂压合制作切割打印错位芯片

[发明专利]液晶显示元件、显示装置、电子装置、驱动基板及用于制造驱动基板的方法-CN202180075189.9在审
发明人：坂入卓;本多友明 -专利权人：索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：包括像素电极上的一部分的整个表面覆盖有在像素电极上形成的第一电介质膜和在狭缝部分中形成的第二电介质膜。第二电介质膜具有沿着狭缝部分延伸的中空部分。
液晶显示元件显示装置电子装置驱动用于制造方法

[发明专利]用于蚀刻有机硬掩膜的方法-CN201310049856.3有效
发明人：卫斯理·P·格拉夫 -专利权人：诺发系统公司
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：该方法包括提供电介质膜，该电介质膜的上方具有待除去的有机硬掩膜，该电介质膜具有不大于约4.0的介电常数，在所述有机硬掩膜的上方引入可电离气体，该可电离气体包括氢气和氧化性气体的混合物，以及对该混合物施加能量以形成该混合物的等离子体
用于蚀刻有机硬掩膜方法

[发明专利]半导体发光元件-CN201210313485.0有效
发明人：楠濑健;东直树;小川利昭;笠井久嗣 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：该发光元件具备包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201611234664.X有效
发明人：楠濑健;东直树;小川利昭;笠井久嗣 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：该发光元件具备：包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层
半导体发光元件

[发明专利]声表面波装置-CN201180023971.2有效
发明人：木村哲也;伊田康之;佐治真理 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：在压电基板上具有以覆盖IDT电极的方式形成的电介质膜的声表面波装置中，实现谐振特性、过滤器特性等的频率特性的改善。本发明涉及的声表面波装置(1)，具有：表面形成有槽(10a)的压电基板(10)、IDT电极(11)、以及电介质膜(12)。电介质膜(12)，以覆盖IDT电极(11)的方式而被形成在所述压电基板(10)上。第二电极层(11b)向着与压电基板(10)相反的一侧顶端越来越细。
表面波装置

[发明专利]膜电容器-CN201580050179.4有效
发明人：宫泽慎介;冈田绚子 -专利权人：日本瑞翁株式会社
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01G4/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种膜电容器，其特征在于，是具有电介质膜和金属层的膜电容器，上述电介质膜是通过对使用结晶性的二环戊二烯开环聚合物加氢物而成的未拉伸膜进行拉伸处理后，进行加热处理而得到的树脂膜，上述树脂膜是由软化点为根据本发明可提供一种具有耐热性、耐电压特性和操作性优异的树脂膜作为电介质膜的膜电容器。
电容器

[发明专利]RC振荡电路-CN201280004487.X无效
发明人：西谷雄;金子幸广;上田路人 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H03B5/20 文献下载
摘要：可变电阻由第一电极、第二电极、半导体膜的一部分、强电介质膜的一部分和第四电极形成。可变电容器由第二电极、第三电极、第五电极、强电介质膜的另外的一部分、半导体膜的另外的一部分和常电介质膜形成。
rc 振荡电路

[其他]弹性波装置-CN201490001210.6有效
发明人：菊知拓;福田大辅;谷口康政;三村昌和 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：弹性波装置(1)中，在压电基板(2)上形成电介质膜(3)，在电介质膜(3)上形成具有第1梳齿电极(5)和第2梳齿电极(6)的IDT电极(4A)，在第1、第2梳齿电极(5、6)分别电连接第1、第2布线电极(7、8a)，第1、第2梳齿电极(5、6)分别具有电极指、和接触电极指的汇流条，压电基板(2)的导电率高于电介质膜3的导电率，第1布线电极(7)、第2布线电极(8a)、第1梳齿电极(5)的汇流条以及第2
弹性装置

[发明专利]容量元件及其制造方法-CN03136291.5无效
发明人：三河巧;十代勇治;林慎一郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-05-20 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：即使是对强电介质电容实施氢气气氛中的热处理，构成容量绝缘膜的强电介质膜或高电介质膜的极化特性不降低。
容量元件及其制造方法

[发明专利]薄膜电容器-CN201880088467.2有效
发明人：小笹千一;阪本拓也;城岸贤 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01G4/32 文献下载
摘要：本发明的薄膜电容器是具备第1电介质膜、第2电介质膜、第1内部电极、第2内部电极、第1外部电极、以及第2外部电极的薄膜电容器，其中，上述第1内部电极具备：第1连接部，与上述第1外部电极连接；第1主电极部，主电极部朝向上述第2外部电极延伸，比上述第1主电极部薄，上述第2内部电极具备：第2连接部，与上述第2外部电极连接；以及第2主电极部，与上述第2连接部连结，比上述第2连接部薄，上述第1主电极部隔着上述第1电介质膜与上述第2主电极部对置，且不与上述第2连接部对置，上述第1薄膜部隔着上述第1电介质膜与上述第2连接部对置。
薄膜电容器

[发明专利]电介质膜层结构及其制作方法-CN201811536565.6有效
发明人：赵凯祥 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本揭示公开了一种电介质膜层结构及其制作方法，所述电介质膜层结构至少包括：第一电容电极、电介质层以及第二电容电极，其中所述电介质层由SiNx和SiOx两种物质组成，且沿第一方向和第二方向，SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态，由于SiNx的介电系数较SiOx大，在压降大的地方更多的用SiNx做电介质层，储存较多电荷，电容给薄膜晶体管充电的电流较大，使薄膜晶体管处于高电压状态；在压降小的地方更多的用SiOx做电介质层，储存较少电荷，电容给薄膜晶体管充电的电流较小，使薄膜晶体管处于低电压状态，从而改变给薄膜晶体管充电的电流大小，减小压降的影响，改善面板输出的均一性。
电介质结构及其制作方法

[发明专利]信息记录介质及其制造方法、以及溅射靶-CN201880013428.6在审
发明人：槌野晶夫;儿岛理惠;会田和辉 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：信息记录介质为通过激光照射来记录或再现信息的信息记录介质，其含有3个以上的信息层。作为3个以上的信息层中的至少一个信息层的第1信息层，从激光照射面观察时由远到近依次含有第1电介质膜、记录膜和第2电介质膜。第1电介质膜含有选自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi和Ce中的至少一种元素D1的氧化物。
式( 1 )信息层信息记录介质电介质膜记录膜激光照射面激光照射再现信息溅射靶氧化物观察记录制造