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- [发明专利]近红外反射膜及使用其的近红外反射玻璃-CN201380011536.7有效
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中岛彰久
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柯尼卡美能达株式会社
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2013-02-25
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2017-03-08
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G02B5/28
- 所述近红外反射膜具有支承体和配置于所述支承体上的交替层叠有高折射率层和低折射率层的电介质多层膜，其中，任意所述高折射率层及与该高折射率层邻接的所述低折射率层满足1.1≥(dH×nH)/(dL×nL)﹥1，所述电介质多层膜具有电介质膜组组合，所述电介质膜组组合包含第一电介质膜组和第二电介质膜组，所述第一电介质膜组包含高折射率层(折射率n1H、厚度d1H)及低折射率层(折射率n1L、厚度d1L)各自至少3层，所述第二电介质膜组包含与所述第一电介质膜组的与支承体相反的面相接的高折射率层(折射率n2H、厚度d2H)及低折射率层(折射率n2L、厚度d2L)各自至少3层，此时，所述电介质膜组组合满足1.10≥d2H
- 红外反射使用玻璃
- [发明专利]驻极体的表面电压测定方法及其装置-CN200910150487.0无效
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秋野裕
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欧力天工股份有限公司
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2009-06-25
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2009-12-30
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H04R29/00
- 以具有驻极体电介质膜(11)的固定极(10)为被测定固定极测定驻极体电介质膜(11)的表面电压，包括：测定电极(37)；信号测定单元；参照电极(20)；直流电压源(21)；及电压测定单元，将驻极体电介质膜(11)和参照电极(20)相对测定电极(37)以相同面积、高度并置，由振动发生单元(34)使测定电极(37)振动，且由直流电压源(2)向参照电极(20)施加与驻极体电介质膜(11)的带电电荷相反极性的预定直流电压，由电压测定单元(22)测定信号测定单元(42)的读值为最小时的直流电压，以该相反极性的电压值为驻极体电介质膜(11)的表面电压。
- 驻极体表面电压测定方法及其装置
- [发明专利]半导体器件-CN201811100712.5有效
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宋在烈;裵洙瀯;李东洙;丁炯硕;玄尚镇
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三星电子株式会社
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2018-09-20
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2023-10-03
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H01L29/417
- 一种半导体器件，其包括：衬底；在衬底上的第一有源区和第二有源区；与第一有源区交叉的第一凹陷；与第二有源区交叉的第二凹陷；沿着第一凹陷和第二凹陷的侧壁延伸的栅极间隔物；第一下高k电介质膜，其在第一凹陷中并包括第一浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第二下高k电介质膜，其在第二凹陷中并包括大于第一浓度的第二浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第一含金属膜，其在第一下高k电介质膜上并包括第三浓度的硅；以及第二含金属膜，其在第二下高k电介质膜上并包括小于第三浓度的第四浓度的硅。
- 半导体器件
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