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[发明专利]薄膜电容器及其制造方法、以及具备薄膜电容器的电子电路基板-CN202080102520.7在审
发明人：山下由贵;吉田健一;矢野义彦;石井大基 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明提供能够在同一面配置一对端子电极的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备：金属箔(10)，其上表面(11)被粗糙化；电介质膜(D)，其覆盖金属箔(10)的上表面(11)，且具有使金属箔(10)局部露出的开口部；第一电极层，其经由开口部与金属箔(10)相接；以及第二电极层，其不与金属箔(10)相接而与电介质膜(D)相接。由此，能够在金属箔(10)的上表面(11)配置第一及第二电极层双方。而且，金属箔(10)被粗糙化，因此，能够得到更大的电容。
薄膜电容器及其制造方法以及具备电子路基

[发明专利]薄膜电容器及其制造方法、以及具备薄膜电容器的电子电路基板-CN202080102519.4在审
发明人：石井大基;矢野义彦;山下由贵;吉田健一;高桥哲弘 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明提供不易产生短路不良的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备：金属箔(10)，其上表面(11)被粗糙化；电介质膜(D)，其覆盖金属箔(10)的上表面(11)，具有使金属箔(10)局部露出的开口部；第一电极层，其经由开口部与金属箔(10)相接；第二电极层，其不与金属箔(10)相接而与电介质膜(D)相接；以及绝缘性部件(21)，其区划第一电极层和第二电极层。绝缘性部件(21)的截面具有锥形形状。由此，能够在金属箔(10)的上表面(11)配置第一及第二电极层双方。而且，绝缘性部件(21)的截面具有锥形形状，因此，能够提高绝缘性部件(21)的紧贴性，防止第一电极层和第二电极层的短路。
薄膜电容器及其制造方法以及具备电子路基

[发明专利]薄膜电容器及具备其的电子电路基板-CN202080102537.2在审
发明人：石井大基;矢野义彦;山下由贵;吉田健一;高桥哲弘 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明提供相对于电路基板的紧贴性高的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备：金属箔(10)，其上表面(11)被粗糙化；电介质膜(D)，其覆盖金属箔(10)的上表面(11)，具有使金属箔(10)局部露出的开口部；第一电极层，其经由开口部与金属箔(10)相接；以及第二电极层，其不与金属箔(10)相接而与电介质膜(D)相接。金属箔(10)的另一个主面(12)和侧面(13)构成的角度θa超过20°且小于80°。这样，侧面(13)的角度为超过20°且小于80°的锥形状，因此，抑制翘曲，并且在埋入多层基板时，提高与多层基板的紧贴性。
薄膜电容器具备电子路基

[发明专利]薄膜电容器及具备其的电子电路基板-CN202080102567.3在审
发明人：石井大基;矢野义彦;山下由贵;吉田健一;高桥哲弘 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明提供不易产生翘曲的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备：金属箔(10)，其上表面(11)及下表面(12)被粗面化；电介质膜(D)，其覆盖金属箔(10)的上表面(11)，具有使金属箔(10)局部露出的开口部；电介质膜(E)，其覆盖金属箔的下表面(12)，由热膨胀系数比金属箔(10)小的电介质材料构成；第一电极层，其经由开口部与金属箔相接；第二电极层，其不与金属箔相接而与第一电介质膜相接。这样，金属箔(10)的下表面(12)被热膨胀系数小的电介质膜(E)覆盖，因此，能够抑制翘曲的产生。
薄膜电容器具备电子路基

[发明专利]薄膜电容器及具备其的电子电路基板-CN202080102555.0在审
发明人：石井大基;矢野义彦;山下由贵;吉田健一;高桥哲弘 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01G9/048 文献下载
摘要：本发明提供相对于电路基板的密合性高的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备：金属箔(10)，其上表面(11)被粗面化；电介质膜(D)，其覆盖金属箔(10)的上表面(11)，具有使金属箔(10)局部露出的开口部；第一电极层，其经由开口部与金属箔(10)相接；第二电极层，其不与金属箔(10)相接而与电介质膜(D)相接。第一及第二电极层不覆盖金属箔(10)的上表面(11)的外周区域(15)，而形成于被外周区域(15)包围的区域。这样，金属箔(10)的粗面化的上表面(11)的外周区域(15)露出，因此，与电路基板的密合性上升。
薄膜电容器具备电子路基

[发明专利]薄膜电容器及具备其的电子电路基板-CN202080102680.1在审
发明人：石井大基;矢野义彦;吉田健一;高桥哲弘;山下由贵 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明提供不易产生电极层的剥离的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备：金属箔(10)，其上表面(11)被粗面化；电介质膜(D)，其覆盖金属箔(10)的上表面(11)，具有使金属箔(10)局部露出的开口部；第一电极层，其经由开口部与金属箔(10)相接，并且与电介质膜(D)相接；第二电极层，其不与金属箔(10)相接而与电介质膜(D)相接。由此，能够在金属箔(10)的上表面(11)配置第一及第二电极层双方。而且，第一电极层不仅与金属箔(10)相接，而且还与电介质膜(D)相接，因此，不易产生第一电极层的剥离。
薄膜电容器具备电子路基

[发明专利]电致发光功能膜和电致发光元件-CN200480005320.0有效
发明人：高桥圣树;矢野义彦;大池智之;片冈成树 -专利权人：威斯特姆公司
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：本发明涉及电致发光元件(1)，在形成了下部电极(4)的基板(2)上设置的厚膜绝缘体层(16)与上部电极(12)之间，设置了由Ga₂O₃:Eu构成的电致发光功能层(6、10)及其间形成的由MgGa₂O₄构成的发光体层(8)。电致发光功能层(6、10)表现作为绝缘体层以及电子注入层的两种功能，由此，能够达到电致发光元件(1)的低电压驱动及高发光亮度，同时能够简化电致发光元件(1)的结构。
电致发光功能元件

[发明专利]荧光体薄膜、其制造方法以及EL面板-CN02801297.6在审
发明人： 矢野义彦;大池智之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2002-04-19 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明提供一种高辉度、且由于色纯度良好而不需要采用滤波片、并且辉度寿命长、特别适用于全色EL面板用的RGB的各元件的荧光体薄膜。本发明的荧光体薄膜，包含母体材料和发光中心，母体材料为至少含有碱土类元素、Ga和/或In、硫(S)、进而也可以含有Al的硫化物，或者除此之外进一步含有氧(O)的氧硫化物，在母体材料中，当碱土类元素以A表示，Ga、In和Al以B表示时，原子比B/A为B/A＝2.1～3.5。
荧光薄膜制造方法以及 el 面板

[发明专利]荧光体薄膜、其制造方法以及EL面板-CN02801296.8无效
发明人： 矢野义彦;大池智之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2002-04-19 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明提供一种高辉度、且由于颜色纯度良好而不需要采用滤波片、并且辉度寿命长、特别适用于全色EL面板用的RGB的各元件的荧光体薄膜。本发明的荧光体薄膜包含母体材料和发光中心。母体材料为至少含有碱土类元素、Ga和/或In、硫(S)和氧(O)的氧硫化物。在母体材料中，相对于氧和硫的总和的氧的原子比0/(S+O)为0.1～0.85。
荧光薄膜制造方法以及 el 面板

[发明专利]荧光体薄膜、其制造方法及EL板-CN03102240.5有效
发明人： 矢野义彦;大池智之;高桥圣树;长野克人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2003-01-28 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：通过降低使用硫代铝酸盐系和硫代镓酸盐系荧光体材料成为问题的高工艺温度，实现高质量低价格的荧光体薄膜。而且使用本荧光体薄膜，实现全彩色EL用EL显示板。一种荧光体薄膜，含有母体材料和发光中心，母体材料由下述组成式表示：组成式：MIIvAxByOzSw(在上述组成式中，MII是选自Zn、Cd和Hg中的至少1种元素，A是选自Mg、Ca、Sr、Ba和稀土类元素中的至少1种元素，B是选自Al、Ga和In中的至少1种元素，v、x、y、z和w表示原子比，v＝0.005～5，x＝1～5，y＝1～15，z＝0～30(0除外)，w＝0～30(0除外)。
荧光薄膜制造方法 el

[发明专利]荧光体薄膜和EL板-CN01130346.8无效
发明人： 矢野义彦;大池智之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2001-09-30 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： H05B33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种不需要滤光片，高亮度、色纯度好、应答性好、特别是适用于全色EL用的红色的荧光体薄膜、及EL板。荧光体薄膜的构成是母体材料为碱土类硫化物且有发光中心的荧光体薄膜，这种荧光体薄膜的厚度为50～300nm。
荧光薄膜 el

[发明专利]EL板-CN01139321.1有效
发明人： 矢野义彦;长野克人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2001-09-30 - 公布日： 2003-03-05 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种不需要RGB荧光体滤光片，具有色纯度良好的、特别适于全色EL用的RGB驱动的荧光体薄膜的EL板。所述EL板具有发红色、绿色、蓝色3种光的EL荧光体薄膜，与这3种的EL荧光体薄膜一起、作为发光中心至少必须含有Eu元素。
el

[发明专利]荧光体薄膜及其制造方法,和EL板-CN01124932.3无效
发明人： 矢野义彦;大池智之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2001-07-06 - 公布日： 2002-11-27 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：本发明的目的是提供不需要滤色片、色纯度良好、特别适用于全色EL用RGB、进而简化了全色EL板制造工序、辉度偏差小、合格率高,制造费用低的荧光体薄膜,及其制造方法,和EL板,为达到此目的,母体材料是在从碱土类硫代镓酸盐和碱土类硫代铟酸盐中至少选出的一种化合物中含有氧的氧代硫化物,进而含有发光中心元素,如此构成的荧光体薄膜,及其制造方法,和用它制作的EL板。
荧光薄膜及其制造方法 el

[发明专利]复合基板以及使用它的EL元件-CN01800333.8有效
发明人：武石卓;长野克人;高山胜;矢野义彦 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2001-02-06 - 公布日： 2002-08-07 - 主分类号： H05B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了能够抑制与基板之间的导致电介质层特性劣化的反应、在高温度下进行烧结、而且很少发生电介质层龟裂等的复合基板以及使用它的EL元件,其中,制成在具有电绝缘性的基板上依次形成电极和电介质层的复合基板,所述基板的热膨胀率为10～20ppm/K。
复合以及使用 el 元件

[发明专利]EL荧光体积层薄膜和EL元件-CN01124930.7有效
发明人： 矢野义彦;大池智之;白川幸彦;长野克人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2001-07-06 - 公布日： 2002-06-19 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：本发明的目的是提供以高辉度发光的EL荧光体层叠薄膜和EL元件,为达此目的,将母体材料以从碱土类硫代铝酸盐、碱土类硫代镓酸盐、碱土类硫代铟酸盐中至少选出的1种化合物作为主成分,使添加发光中心稀土类元素的荧光体薄膜,和由碱土类氧化物形成的电介质薄膜层叠,形成由该结构的EL荧光体积层薄膜,和EL元件。
el 荧光体积薄膜元件

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