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[发明专利]具有与接触插塞侧表面接触的支撑图案的三维半导体装置-CN202110546462.3在审
发明人：李杲炫;金在泽;郑蕙英 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：基板，其具有单元区域和通孔区域；设置在基板上的晶体管和逻辑互连件；下部绝缘层，其覆盖晶体管和逻辑互连件；下部导电层，其在单元区域中位于下部绝缘层上；支撑图案，其在通孔区域中设置在下部绝缘层上；下部通孔插塞，其具有与支撑图案接触的侧表面和与逻辑互连件接触的底表面；字线层叠，其在单元区域中设置在下部导电层上；介电层层叠，其在通孔区域中设置在支撑图案上；垂直沟道柱，其穿透字线层叠以连接到下部导电层；以及上部通孔插塞，其穿透介电层层叠以与下部通孔插塞垂直对准。
具有接触插塞侧表面支撑图案三维半导体装置

[发明专利]半导体构造、形成电容器的方法及形成DRAM阵列的方法-CN200880117486.X有效
发明人：托德·杰克逊·普拉姆 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：可将所述第一及第二区形成于存储器阵列区域上，且可分别将所述第一及第二板材料电连接到第一及第二互连件，所述第一及第二互连件延伸到位于所述存储器阵列区域外围的区域上。可将所述第一与第二互连件彼此电连接，以将所述第一与第二板材料彼此耦合。一些实施例包括电容器结构，且一些实施例包括形成DRAM阵列的方法。
半导体构造形成电容器方法 dram 阵列

[发明专利]具有嵌入在接线体中的芯片的芯片封装件-CN201080045635.3有效
发明人：莫志民 -专利权人：意法爱立信有限公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：该电子装置包括至少一个电子芯片(30)和电子芯片(30)的封装件。封装件包括层压基板(10)，其中，电子芯片(30)附接在层压基板(10)上。此外，封装件包括围绕电子芯片(30)形成的绝缘体(60)。而且，封装件包括延伸穿过绝缘体(60)的多个电极(64)。对于层压基板(10)的每个焊盘(20)，在一个或多个导电层(12a-d)和穿过一个或多个绝缘层(16a-c)的一个或多个通道(18)中形成接线，以电连接焊盘(20)和至少一个电极(64)。互连体(70)包括在互连体(70)的与连接到绝缘体(60)和电子芯片(30)的面相反的面上的多个焊盘(72)，且互连体还包括在互连体(70)内部的接线(74)，用于电子芯片(30)的焊盘(32)、电极(64)和互连体(70)的焊盘(72)之间的电连接。
具有嵌入接线中的芯片封装

[发明专利]用于光电引擎的组合底部填充挡墙和电互连结构-CN201280064638.0有效
发明人：沙吉·瓦格西·马塔伊;迈克尔·瑞恩·泰·谭;保罗·凯斯勒·罗森伯格;韦恩·维克托·瑟林;乔治斯·帕诺托普洛斯;苏桑特·K·帕特拉;约瑟夫·斯特拉日尼茨基 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种用于光电引擎的组合底部填充挡墙和电互连结构。该结构包括多个第一电互连焊料体。多个第一电互连焊料体包括多个电互连。多个第一电互连焊料体被布置为阻止底部填充材料侵入光电引擎的光电组件的光通道中。还提供了包括该组合底部填充挡墙和电互连结构的系统和光电引擎。
用于光电引擎组合底部填充挡墙互连结构

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201711061893.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体封装件及其制造方法，该半导体封装件包括：芯片组，包括堆叠设置的多个单体芯片，单体芯片之间通过多个导通孔互连，芯片组具有暴露于侧边的孔切割垫，所述孔切割垫是由芯片组的一外侧导通孔通过轴向垂直切割形成的；侧接芯片，垂直接合于芯片组的侧边，所述侧接芯片包括在所述侧接芯片的有源面上的多个连接件，连接件的端部键合于芯片组的孔切割垫，以实现芯片组与侧接芯片的电连接。本申请中侧接芯片通过在导通孔轴向垂直方向形成的孔切割垫直接与芯片组电连接，相比于现有技术中基底芯片与堆叠芯片组的最底层单体芯片通过硅通孔互连的方式，本申请方案的侧接芯片与芯片组的互连路径缩短，信号完整性更好
半导体封装及其制造方法

[发明专利]螺线管开关和覆盖件-CN200910135182.2无效
发明人： M·J·拉内;J·纳拉亚南;S·库尔库雷;S·R·R·古普塔 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01H71/24 文献下载
摘要：本申请涉及螺线管开关和覆盖件。螺线管包括支承件与位于该支承件的电绕组。可设有柱塞，该柱塞能响应于电绕组的通电而移动，且还可设有致动器，该致动器能相对于柱塞调整并与柱塞互连。还提出了一种螺线管覆盖件。
螺线管开关覆盖

[发明专利]测试结构及测试方法-CN202211650830.X在审
发明人：王帆;方明海;刘棋;吴龙;陈畅;张骏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种测试结构及测试方法，所述测试结构包括：衬底；器件结构，形成于衬底上；第一金属互连线、第二金属互连线和第一焊盘，第一金属互连线与器件结构电连接，所述第二金属互连线与所述第一焊盘电连接，第一金属互连线与第二金属互连线之间断开；电迁移金属线，电迁移金属线位于第一金属互连线与第二金属互连线之间，以使得电迁移金属线在发生电迁移时，电迁移金属线分别与第一金属互连线和第二金属互连线电连接。
测试结构方法

[发明专利]用于形成半导体装置封装的技术及相关封装、中间产物及方法-CN202010994065.8在审
发明人：杨博智;陈宥仁;郭柏辰;梁世纬 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：电互连件可沿着所述第二半导体装置、第一半导体装置及衬底的表面从所述第二半导体装置的接合垫延伸到所述衬底的路由部件的衬垫。所述电互连件可包含接触所述接合垫及所述路由部件的导体及在所述接合垫与所述路由部件的所述衬垫之间介于所述导体与所述第一半导体装置、所述第二半导体装置及所述衬底之间的电介质材料。不同于所述电介质材料的密封剂可覆盖所述电互连件、所述第一半导体装置、所述第二半导体装置及所述衬底的上表面。本发明也揭示制造方法。
用于形成半导体装置封装技术相关中间产物方法

[发明专利]具有柔性电极的可植入电刺激装置-CN202080043357.1在审
发明人：丹尼尔·舍本;胡贝特·马顿斯;梅利斯·吉亚尔 -专利权人：萨尔维亚生物电子有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： A61N1/05 文献下载
摘要：用于电刺激的植入物需要用于刺激电极、返回电极和互连件的低电阻导体，其通常将金属用于导线和触头。这些导体降低了柔性，并且由于期望提供更高程度的定制，随着电极的数量增加，问题变得更严重。可植入刺激装置设置有长形衬底(300)、一个或更多个互连件(250，450)、具有由一个或更多个弯曲中断部(500，371，372，373，374，375)分隔开的两个部分的柔性电极(200，400)，其中，第一部分和第二部分通过一个或更多个互连件(250，450)直接电连接。弯曲点的相对侧上的电极部分被电连接，从而允许分别对机械弯曲和电连接进行优化。
具有柔性电极植入刺激装置

[发明专利]半导体结构及形成方法-CN201610407471.3有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体结构及形成方法，其中形成方法包括：形成衬底，所述衬底内具有前层待连接件；形成覆盖所述前层待连接件的第一帽层；形成位于所述第一帽层上的介质叠层；在所述介质叠层和所述第一帽层内形成开口，所述开口底部露出所述前层待连接件；向所述开口内填充导电材料，形成互连结构；使所述第一帽层与所述前层待连接件反应，形成强化层。本发明通过在介质叠层与前层待连接件之间形成第一帽层；并在形成互连结构时使所述第一帽层与所述前层待连接件相互反应形成强化层。所述强化层的形成，能够提高所述前层待连接件与介质叠层的连接强度，从而能够改善所形成互连结构的电迁移问题，提高所形成互连结构的可靠性。
半导体结构形成方法

[发明专利]集成电路芯片及其形成方法-CN202110243890.9在审
发明人：黄信华;喻中一;陈奎铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明的各种实施例涉及一种集成电路(IC)芯片，包括倒置并覆盖在凹入半导体衬底顶部的介电区上的半导体器件。互连结构覆盖在半导体衬底和介电区上，还包括金属间介电(IMD)层。半导体层覆盖在互连结构上，并且半导体器件在半导体层中并位于半导体层与互连结构之间。半导体器件包括第一源极/漏极电极，第一源极/漏极电极覆盖在介电区上，并且进一步覆盖在焊盘上并电耦合到焊盘。介电区可减小衬底电容以降低衬底功率损耗，例如，介电区可以是腔或介电层。接触件穿过半导体层延伸至焊盘。本发明的各种实施例还涉及形成集成电路芯片的方法。
集成电路芯片及其形成方法

[发明专利]聚合物涂层半导体装置及形成半导体组合件的混合接合-CN202211054658.1在审
发明人：周卫;仲野英一;邱盈达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请案是针对聚合物涂层半导体装置及形成半导体组合件的混合接合。半导体装置组合件包含：第一半导体装置，其具有正面及与所述正面相对的背面；金属互连件，其形成在所述背面上，及聚合物材料，其沉积在所述第一半导体装置上方以囊封所述侧壁、所述背面及所述金属互连件。所述第一半导体装置经平面化以暴露所述金属互连件的所述上部表面。所述组合件进一步包含：第二半导体装置，其具有顶侧及与所述顶侧相对的底侧；聚合物材料，其沉积在所述第二半导体装置上方以囊封所述侧壁及所述底侧。所述第二半导体装置堆叠在所述第一装置上方并混合接合在一起，使得所述第一半导体装置背面上的每一金属互连件与所述第二半导体装置底侧上的对应金属互连件对准并电耦合。
聚合物涂层半导体装置形成组合混合接合

[发明专利]用于镶嵌互连件中的电迁移电阻改进的界面层-CN201110021170.4有效
发明人：阿南达·班纳吉;乔治·安德鲁·安东内利;詹尼佛·奥洛克林;曼蒂阿姆·斯里拉姆;巴尔特·范施拉文迪杰克;塞莎赛义·瓦拉达拉詹 -专利权人：诺发系统有限公司
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：使用驻留在金属线与电介质扩散势垒(或蚀刻终止)层之间的界面处的保护盖来改进互连件的电迁移性能。
用于镶嵌互连中的迁移电阻改进界面

[发明专利]用于超高速高密度电互连的柔性屏蔽件-CN201780073986.7有效
发明人：丹尼尔·B·普罗文彻;马克·W·盖尔卢斯 -专利权人：安费诺有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01R12/58 文献下载
摘要：一种在连接器与基板例如PCB之间具有柔性屏蔽件的互连系统。柔性屏蔽件可以在连接器内部的屏蔽件与PCB的接地结构之间提供电流流动路径。连接器、柔性屏蔽件和PCB可以被配置成在与提供由信号导体承载的信号的期望信号完整性的信号导体有关的位置中提供电流流动。这样的路径可以由从连接器屏蔽件延伸的突出部创建。柔性屏蔽件的柔性导电构件可以接触突出部和PCB表面上的导电焊盘。从表面焊盘伸延至内部接地结构的暗影过孔可以被定位成与突出部的尖端邻近。
用于超高速高密度互连柔性屏蔽

[发明专利]燃料电池旁路二极管结构和附接方法-CN201280036300.4无效
发明人：马蒂亚斯·戈特曼;阿恩·巴兰坦;奇卡林格·卡卢波亚 -专利权人：博隆能源股份有限公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01M8/04 文献下载
摘要：燃料电池系统包括燃料电池堆叠，所述燃料电池堆叠包括通过多个互连件串联接触的多个燃料电池。各种实施例提供用于使燃料电池堆叠与电旁路模块在热区内耦接的系统和方法。所述旁路模块可包括在燃料电池堆叠中的互连件之间传导电流的元件，且因此绕过已变成寄生负载电阻的失效燃料电池。
燃料电池旁路二极管结构方法