“用高硅镍铬”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6794312个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]真空电弧离子镀膜设备镍铬镍硅测温装置-CN202223010057.9有效
发明人：高琳;王宇;佟鑫 -专利权人：大连金泰正新科技有限公司
申请日： 2022-11-12 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：本实用新型属于一种真空电弧离子镀膜设备镍铬镍硅测温装置，包括转架（5），其特征在于支撑杆（4）固定在转架（5）上，镍铬镍硅下触点（9）固定在炉体（8）上，镍硌镍硅下触点（9）与温控表（10）连接，镍铬镍硅测温探头（1）套在探头固定管（3）内的陶瓷绝缘套（2）里，再把探头固定管（3）用卡套固定在支撑杆（4）上，通过转架（5）底部上的镍铬镍硅连接套（6）把镍铬镍硅探头（1）引线与镍铬镍硅上触点（7）连接，转架（5）落在炉体（8）上使镍铬镍硅上触点（7）与镍铬镍硅下触点（9）接触导通，并将温控数据传送给温控表（10）；该实用新型结构简单，测温更准确能真实反映镀膜产品温度，适合多种形式转架使用，有效提升产品品质，降低不良率
真空电弧离子镀膜设备镍铬镍硅测温装置

[发明专利]一种镍铬‑镍硅热电偶用精密级耐高温热电偶补偿导线-CN201610781453.1在审
发明人：李学虎;郝精一;陈洁;林雪涛;宋现利 -专利权人：西安飞机工业（集团）亨通航空电子有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01B7/29 文献下载
摘要：本发明属于电线电缆技术领域，具体涉及一种镍铬‑镍硅热电偶用精密级耐高温热电偶补偿导线。本发明的镍铬‑镍硅热电偶用精密级耐高温热电偶补偿导线包括导体，导体外包覆的绝缘层，绝缘层外的护套层和护套层外的屏蔽层；所述导体由正极裸铜导体和负极铜镍导体组成；所述绝缘层包覆在正极裸铜导体外的为正极绝缘层本发明镍铬‑镍硅热电偶用精密级耐高温热电偶补偿导线具有很强的耐高低温特性、以及抗老化性、精密级高，产品质量远高于现有产品的标准。
一种热电偶精密耐高温补偿导线

[发明专利]制造太阳能电池用的燧道炉传送带及其制造方法-CN200510029145.5无效
发明人：陈卓明;苏晓平;江彤 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： F27B9/30 文献下载
摘要：本发明提供制造太阳能电池用的燧道炉传送带及其制造方法。制造太阳能电池用的燧道炉传送带用“镍铬合金带”构成，其特征是，传送带上表面设置多个“镍铬合金”构成的支撑柱，在支撑柱顶表面涂覆陶瓷层(即Al₂O₃)。按照本发明方法制造的制造太阳能电池用的燧道炉传送带，在制造太阳能电池的过程中“镍铬合金带”构成的燧道炉传送带不与硅晶片直接接触，避免了“镍铬合金带”中包含的金属污染硅晶片；而且能承受燧道炉中高达900℃
制造太阳能电池燧道传送带及其方法

[实用新型]一种绕包型耐高温热电偶延长线-CN202222454502.4有效
发明人：王建斌;夏自然 -专利权人：上海杜兰特电子有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01B7/29 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绕包型耐高温热电偶延长线，包括若干根镍硅导线和若干根镍铬导线，所述镍硅导线和镍铬导线外分别通过绝缘PTFE绕包带一绕设成两股导线，所述两股导线外依次绕设有PTFE绕包带二、编织屏蔽套和本实用新型通过在镍铬、镍硅导体，经过绕包PTFE带，烧结，对绞，编织，绕包烧结PTFE护套而成。加工后的产品具有柔软、耐腐蚀、耐温等级高特点。
一种绕包型耐高温热电偶延长线

[实用新型]一种镍铬‑镍硅热电偶用精密级耐高温热电偶补偿导线-CN201621011928.0有效
发明人：李学虎;郝精一;陈洁;林雪涛;宋现利 -专利权人：西安飞机工业（集团）亨通航空电子有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01B7/29 文献下载
摘要：本实用新型属于电线电缆技术领域，具体涉及一种镍铬‑镍硅热电偶用精密级耐高温热电偶补偿导线。本实用新型的镍铬‑镍硅热电偶用精密级耐高温热电偶补偿导线包括导体，导体外包覆的绝缘层，绝缘层外的护套层和护套层外的屏蔽层；所述导体由正极裸铜导体和负极铜镍导体组成；所述绝缘层包覆在正极裸铜导体外的为正极绝缘层本实用新型镍铬‑镍硅热电偶用精密级耐高温热电偶补偿导线具有很强的耐高低温特性、以及抗老化性、精密级高，产品质量远高于现有产品的标准。
一种热电偶精密耐高温补偿导线

[发明专利]一种镍铬铝钇硅合金靶材的制备方法-CN202010517407.7在审
发明人：黄宇彬;朱刘;童培云;何坤鹏;钱增杰 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明揭示了一种镍铬铝钇硅合金靶材的制备方法，包括以下步骤：将镍和铬混合一同置于第一真空熔炼炉内的坩埚里熔炼得到镍铬中间合金熔液；将铝和钇混合一同置于第二真空熔炼炉内的坩埚里熔炼得到铝钇中间合金熔液；将镍铬中间合金熔液、铝钇中间合金熔液和硅混合一同置于第三真空熔炼炉内的坩埚里熔炼得到镍铬铝钇硅合金熔液；将镍铬铝钇硅合金熔融液体置于石墨模具中进行离心浇铸后得到镍铬铝钇硅合金靶材铸锭；将镍铬铝钇硅合金靶材铸锭依次进行退火、去氧化、机加工后，得到镍铬铝钇硅合金靶材。本发明提供的一种镍铬铝钇硅合金靶材的制备方法，采用离心浇铸，能有效解决现有技术使用重力浇铸制合金中存在大量的缩孔和疏松等缺陷等技术问题。
一种镍铬铝钇硅合金制备方法

[实用新型]一种镍铬硅-镍硅热电偶用补偿电缆-CN201220310584.9有效
发明人：后学东;孙其勇 -专利权人：安徽江淮电缆集团有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种镍铬硅-镍硅热电偶用补偿电缆，包括电缆芯，所述电缆芯为两股绝缘导体绞合形成的电缆芯，所述绝缘导体包括导体和绝缘层，所述绝缘层包裹所述导体，所述绝缘层为聚全氟乙丙烯绝缘层，所述电缆芯外依次包裹有内护套层、屏蔽层和外护套层，所述内护套层为表面涂有硅漆的无碱玻璃丝内护套层，所述屏蔽层为镀锡铜丝编织屏蔽层，所述外护套层为聚四氟乙烯外护套层，所述绝缘层与内护套层间填充有橡胶或混粘胶；该种镍铬硅-镍硅热电偶用补偿电缆，具有耐高温和低温、耐酸碱、防腐、耐老化等优异性能，可浸入油水中长期使用，且可以改善镍铬硅-镍硅热电偶测温线路的物理性能和机械性能，使接线方便。
一种镍铬硅热电偶补偿电缆

[发明专利]一种耐高温阻燃型精密金属膜电阻器的制造方法-CN202210371838.6有效
发明人：任广;李福喜;黄明怀;王炳超;郁秋君;陈立俊 -专利权人：贝迪斯电子有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01C17/02 文献下载
摘要：该方法主要为：先在原镍铬薄膜电阻器本体的表面蒸镀硅膜，在硅膜表面浸涂单组份甲基硅漆固化，之后在外层封装有机硅漆；硅膜的致密度高，可将镍铬薄膜与外界环境隔开，减轻镍铬薄膜热老化，在使用过程中可以保持高精度和低温漂特性；有机硅漆的基体为对氨基苯酚和甲醛在碱性环境下聚合而成的热固性酚醛树脂，具有良好的耐高温阻燃性能，对氨基苯酚先与KH560通过开环反应接枝硅氧烷，氮化铝通过KH550提高与树脂的相容性，同时引入硅氧烷，在聚合过程中硅氧烷水解，对漆面形成强化。
一种耐高温阻燃精密金属膜电阻器制造方法

[发明专利]一种镍铬硅青铜合金及其制备方法-CN201410377044.6无效
发明人：汪小兵 -专利权人：宁国市冠宇模具有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍铬硅青铜合金及其制备方法，镍铬硅青铜合金化学成分质量百分比为：镍：3.0-4.0％、硅：1.0-2.0％、铬：0.4-0.6％、铜：余量、及不可避免的杂质总和：≤0.2％，其特征在于，本发明提供的镍铬硅青铜作为核电设备的关键材料，用于制作其各个关键部件，可以满足使用各种高强高导铜合金要求，其寿命也能满足核电设备的安全运行，完全可以替代目前此材料的国外进口。
一种镍铬硅青铜合金及其制备方法

[发明专利]一种用高硅镍铬合金为材料的截气阀及其制造加工方法-CN201410573169.6在审
发明人：张明 -专利权人：无锡华冶钢铁有限公司
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C22C38/60 文献下载
摘要：本发明公开一种用高硅镍铬合金为材料的截气阀及其制造加工方法。本发明的高硅镍铬合金材料有着优异的铸造及耐蚀性能，高的强度、韧性以及良好的韧性，因此该发明的缸套的可靠性好，寿命长，在合金加入大约0.5％的Ni，有助于细化晶体组织，改善合金耐磨性，提高其综合性能。
一种用高硅镍铬合金材料气阀及其制造加工方法

[发明专利]氧化镍矿经电炉冶炼镍铬钴铁工艺-CN200610126832.3无效
发明人：刘光火;刘沈杰 -专利权人：刘光火;刘沈杰
申请日： 2006-09-06 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： C21B13/12 文献下载
摘要：一种氧化镍矿经电炉冶炼镍铬钴铁工艺，主要包括如下步骤：按原矿重量为参照，加入萤石1－6％，加入生石灰12％－18％或石灰石18－24％，配入焦炭或焦末18－25％；原矿含结晶水不大于20％时直接入炉冶炼，在原矿含结晶水超过20％时先烧结或烘干后再入炉冶炼，本发明将含铬、钴的氧化镍矿直接用电炉冶炼，可得到高品位的镍铬钴铁产品，用含镍1.5－2.5％、铁6－30％、铬1－4％、钴0.1－0.6％、硅25－45％的氧化镍矿冶炼，可得到含镍6－25％、铁44－87％、铬5－25％、钴1－2％、碳0.5－1.8％、硅0.8－1.8％的镍铬钴铁，工艺简单、收率高、适合工业化生产。
氧化镍矿经电炉冶炼镍铬钴铁工

[发明专利]一种电热元件用镍铬高电阻电热合金的制备方法的后整理步骤-CN201910351924.9有效
发明人：卢金祥 -专利权人：丹阳市金星镍材有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C22C32/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种电热元件用镍铬高电阻电热合金的制备方法。所述电热元件用镍铬高电阻电热合金的制备方法，包括以下步骤：制备添加剂，添加剂中按质量分数配比为：氧化锗15%、二氧化硅22%，硼化钛8%、氧化铈7%、碳化硅42%、余量为氧化钴；在真空条件下熔化镍、铬金属并进行真空沸腾以形成镍铬合金液；将所述添加剂加入所述镍铬合金液中；将所述镍铬合金液静置后浇铸成铸锭；对所述铸锭进行退火处理并热轧成条状镍铬合金丝；以及利用卷绕机构将所述镍铬合金丝卷绕成圈状。所述电热元件用镍铬高电阻电热合金的制备方法制出的镍铬合金丝抗氧化性能较好且高温不易变脆。
一种电热元件用镍铬高电阻合金制备方法整理步骤

[发明专利]一种高电阻温度系数氧化镍铬热敏薄膜制备方法-CN201711180843.4在审
发明人：王彬;李宁;宿杰;迟宗涛;蔡恩林;刘敬权 -专利权人：青岛大学
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种高电阻温度系数氧化镍铬热敏薄膜制备方法，可用于红外探测、调制器、光开关等领域的氧化镍铬半导体薄膜及其制备：采用金属镍铬合金靶材，使用磁控溅射方法，在有氮化硅缓冲层的单晶硅衬底上沉积得到Cr‑Ni‑O薄膜，再进行400℃以下的后退火处理，制备氧化镍铬半导体薄膜。本发明氧化镍铬薄膜具有室温附近电阻温度系数高达3.5％/K，制备兼容CMOS工艺，可应用于非致冷红外探测器、光开关、智能玻璃等方面，具有广泛的应用前景。
氧化镍铬制备高电阻温度系数半导体薄膜热敏薄膜光开关薄膜非致冷红外探测器电阻温度系数单晶硅磁控溅射合金靶材红外探测金属镍铬智能玻璃氮化硅调制器后退火缓冲层衬底可用沉积应用兼容

[发明专利]一种电池输送装置用链轮材料-CN201711358201.9在审
发明人：田伟 -专利权人：宜兴安纳西智能机械设备有限公司
申请日： 2017-12-17 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C22C49/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种电池输送装置用链轮材料，按重量份数计，它包括铜镍铬合金66‑85份、锰20‑33份、单晶硅6‑16份、4目的氮化铌纤维丝4‑8份、萤石1‑3份、氟化石墨1‑2份。本发明性能优异，强度高，耐磨，易加工。
电池输送装置链轮材料单晶硅氟化石墨氮化铌铜镍铬纤维丝易加工重量份耐磨萤石合金

[发明专利]一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法-CN201811099021.8在审
发明人：王进 -专利权人：绵阳致知高新科技有限责任公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，所述的蚀刻液组合主要为硝酸铈铵、氢氟酸、十八烷基三甲基氯化铵、2—氧乙酸基丁导酸和水的混合物。与现有技术相比，本发明提出一种针对镍铬硅薄膜的蚀刻组合物，用于镍铬硅薄膜的蚀刻时，能够提高并控制蚀刻速度，并且有效抑制了光刻胶层的劣化，其结果是能够得到表面平坦光滑的蚀刻面。突破现有技术壁垒，研发出了薄膜电阻领域中镍铬硅薄膜的湿法刻蚀技术。推进镍铬硅薄膜电阻的市场化应用，为国家电子信息技术的快速发展贡献一份力量。
镍铬硅薄膜蚀刻液组合物蚀刻薄膜电阻湿法刻蚀十八烷基三甲基氯化铵电子信息技术湿法刻蚀技术蚀刻组合物表面平坦光刻胶层技术壁垒硝酸铈铵有效抑制混合物氢氟酸蚀刻面蚀刻液氧乙酸劣化光滑应用力量

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条