“用铋硅硼系低”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5711298个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种激光封接用无机焊料-CN202111481678.2在审
发明人：仝华;刘瑞;杨云霞;袁晓 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C03C3/068 文献下载
摘要：本发明公开一种由铋系低熔点玻璃粉和铜锰铁基复合氧化物多晶粉混合构成的激光封接用无机焊料。所述铋系低熔点玻璃粉体作为无机焊料的黏结相成分，具有无铅环保、机械强度高、绝缘性好、化学稳定性强等特点；所述铜锰铁基复合氧化物多晶粉体是一种高效光热转换功能材料，在激光辐射下瞬时产生高温，使与之混合的铋系低熔点玻璃粉迅速熔化
一种激光封接用无机焊料

[发明专利]一种抗退化的铝硅系合金细化剂及其制备方法和应用-CN201810749900.4在审
发明人：张云虎;叶春洋;王鼎璞;申延平;宋长江;郑红星;翟启杰 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C22C1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗退化的铝硅系合金细化剂，及其制备方法和其作为铝硅系合金细化剂的应用，该细化剂是由铝、钒和硼三种元素所形成的中间合金，其中各成分的质量百分数为：铝20～99.8％，钒0.1～40％，硼0.1制备方法是由铝、钒、硼、铝钒合金、铝硼合金、硼盐和钒盐中的两种或三种成分经过熔炼和凝固制备而成。本发明制备的铝硅系合金细化剂在三个小时内不会出现退化现象，显著推迟了退化时间，可以在工业上应用，具有非常重要的理论意义和实际应用价值，尤其适用于硅含量大于4wt.％Si的铝硅系合金；本发明所述铝硅系合金细化剂制备方法，工艺简单，原料易于获取；本发明制备的铝硅系合金细化剂具有良好的细化效果。
铝硅系合金细化剂制备退化制备方法和应用工业上应用质量百分数理论意义铝钒合金铝硼合金退化现象中间合金熔炼钒盐硼盐细化应用凝固

[发明专利]一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法-CN201010581857.9有效
发明人：李柏榆;汪云华;李海艳;张济祥;许金泉;周金民;王钟钰;王春琴;陈小番;方来鹏;付刚 -专利权人：云南乾元光能产业有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法，本发明涉及采用湿法冶金、氧化造渣和电子束熔炼去除多晶硅中硼、磷及其它杂质。包括：用湿法冶金酸洗方式去除硅中的杂质获得低杂质多晶硅，再用中频感应加热对低杂质多晶硅进行氧化造渣熔炼，通过造渣剂的氧化方式去除多晶硅中的杂质硼，从而获得低硼多晶硅，再次用电子束熔炼去除低硼多晶硅中的磷杂质获得低金属低硼低磷多晶硅其特点是：低投入、低成本、环境污染小、工艺简单、回收率高，形成了一整套适合于工业化生产太阳能级多晶硅中间产品的可实施工艺。
一种去除工业硅中硼其它杂质综合利用方法

[发明专利]半导体基板、半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201480031048.7有效
发明人：鹿内洋志;佐藤宪;后藤博一;篠宫胜;土屋庆太郎;萩本和德 -专利权人：三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司
申请日： 2014-05-02 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明是一种半导体基板，其特征在于，其具有硅系基板；缓冲层，该缓冲层设于前述硅系基板上，且由含有硼的氮化物系半导体所构成；及，有源层，该有源层被形成于前述缓冲层上；并且，前述缓冲层的硼浓度，从前述硅系基板侧朝向前述有源层侧逐渐减少由此，本发明提供一种半导体基板，其在缓冲层中含有足够得到位错抑制效果的硼，并且硼不会扩散到有源层。
半导体装置制造方法

[发明专利]压敏电阻电极用导电铜浆制备方法-CN200910254485.6无效
发明人：李宝军 -专利权人：彩虹集团公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01C17/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种压敏电阻电极用导电铜浆制备方法，制备方法包括以下步骤：步骤A：取超细铜粉，硼硅铋系列玻璃粉烘干，留待备用；步骤B：取乙基纤维素1质量份、氯醋树脂1质量份、酚醛树脂0.5质量份和7.5质量份溶剂混合后加热到90-120℃，搅拌至溶解后制成有机粘合剂；步骤C：取步骤A中烘干后的超细铜粉7.5质量份和硼硅铋系列玻璃粉0.2质量份混合得到混合粉末；步骤D：在混合粉末加入步骤B中制备的有机粘合剂1.5质量份研磨；步骤E：再加入0.4质量份有机粘合剂，0.4质量份稀释剂搅拌均匀，即可制成压敏电阻电极用导电铜浆。
压敏电阻电极导电制备方法

[发明专利]一种中介电低损耗低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN202310775903.6在审
发明人：王刚;胡云峰;吴博;任信钢;杨利霞;黄志祥;吴先良 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种中介电低损耗低温共烧陶瓷材料及其制备方法，陶瓷材料的原料包括MgZrNb2O8、氟化锂和硼铋锂锌硅玻璃；所述硼铋锂锌硅玻璃的原料按质量百分比包括：10‑30％的H3BO3、15‑35％的Bi2硼铋锂锌硅玻璃/氟化锂复合烧结助剂和MgZrNb2O8陶瓷基体间不发生化学反应
一种中介损耗低温陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种硅太阳能电池用无铅正面银浆及其制备方法-CN201611147113.X有效
发明人：王焕平;徐时清 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明公开的硅太阳能电池用无铅正面银浆是由微米银粉、有机粘合剂和无机添加剂构成的混合物，其中无机添加剂是在亚微米银粉表面包覆有碲铋碱金属系玻璃，同时在碲铋碱金属系玻璃上析出银晶粒的微晶玻璃颗粒。制备过程包括将亚微米银粉分散在聚乙烯醇水溶液中形成悬浮液，然后加入碲、铋、碱金属、硅、镁钡锶锌等的化合物以及硼酸的混合水溶液，再进行雾化，雾化后的液滴通过垂直加热管，落入去离子水中冷却，获得无机添加剂；本发明的正面银浆无铅环保、具有优异的欧姆接触，可显著提高硅太阳能电池片的转化效率。
一种太阳能电池用无铅正面及其制备方法

[发明专利]一种ZnAl2-CN201910084152.7有效
发明人：钟朝位;尚勇;唐斌 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：本发明材料包括质量分数60％～70％的玻璃和质量分数为30％～40％的氧化铝；所述玻璃为钾铝硼硅系玻璃和锌硼硅系玻璃的混合物，其中钾铝硼硅系玻璃的质量分数为30％～56％，锌硼硅系玻璃的质量分数为12％base:Sub>2O4基陶瓷材料明显降低了烧结温度，能够兼容LTCC技术用于电路集成，并且介电性能和机械性能优异，同时制备方法简单、原料成本低，
一种 znal base sub

[发明专利]一种适用于工业硅造渣低硼低磷的碳酸钙的制取方法-CN201810653418.0在审
发明人：孙坤泽;史兰庆;吴章荣 -专利权人：新疆中诚硅材料有限公司
申请日： 2018-06-23 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C01F11/18 文献下载
摘要：本发明涉及硅提纯技术，具体涉及一种适用于工业硅造渣低硼低磷的碳酸钙的制取方法。碳酸钙作为造渣剂在工业硅除硼中得到广泛的运用，该工艺所需要的碳酸钙需要具有低硼低磷的特性，属于比较特殊的要求。本发明包括以下步骤：（1）采用工业用石灰石作为原料，用盐酸浸出，生成氯化钙溶液；（2）得到的氯化钙溶液经过特别选定的除硼树脂和除磷树脂进离子交换，得到的干净中低硼低磷的氯化钙溶液；（3）氯化钙溶液在和碳酸氢铵进行复分解反应，后经过固液分离后；（4）把得到的碳酸钙进行烘干，得到低硼低磷的碳酸钙。本发明得到碳酸钙硼磷很低，可以大大提高工业硅除硼的效率。
碳酸钙低磷低硼氯化钙溶液工业硅除硼树脂造渣制取碳酸氢铵复分解反应石灰石固液分离离子交换工业用硅提纯造渣剂除磷烘干浸出硼磷盐酸

[发明专利]用于N型太阳能电池正面浆料的玻璃粉及其制备方法-CN202211172752.7有效
发明人：胡杰辉;赵德平;郭晓波;李茂林;罗倪 -专利权人：浙江晶科新材料有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C03C12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于N型太阳能电池正面浆料的玻璃粉及其制备方法，所述玻璃粉由两类玻璃粉混合搭配组成，第一类玻璃粉，以不含碲锌铋，以铅硼为必需成分的铅硼玻璃系玻璃；第二类玻璃粉，以不含铅，以碲铋硅为必需成分的碲系玻璃第二类玻璃粉能够通过硅铝含量控制玻璃熔体的抑制能力，产生合适的钝化效果，平衡高铅玻璃的腐蚀能力，同时提供恰当的流动性。
用于太阳能电池正面浆料玻璃粉及其制备方法

[发明专利]用于丙烯齐聚的固体磷酸盐催化剂-CN97106216.1无效
发明人：陈永福;黄尔峰;朱志荣;杨一青 -专利权人：中国石油化工总公司;中国石油化工总公司上海石油化工研究院
申请日： 1997-01-10 - 公布日： 2001-03-28 - 主分类号： B01J27/182 文献下载
摘要：本发明是一种用于丙烯齐聚制三聚体和四聚体的固体磷酸盐催化剂，其组成含有下列通式$AB＃-[a]C＃-[b](P＃-[2]O＃-[5])＃-[e]·(H＃-[2]O)＃-[d]$式中A为硅,B为选自铜、铁、镍或其混合物，为选自硼、锑、铋或其混合物，ａ、ｂ、ｃ、ｄ为Ａ组份等于１时相应元素的原子数。其中用核磁共振测定催化剂中正磷酸硅与焦磷酸硅的摩尔比为０．１～５。本催化剂用共混法制备，催化剂具有活性高、强度好、磨耗率低的优点，可用于工业生产中。
用于丙烯齐聚固体磷酸盐催化剂

[发明专利]一种煤矿井下用阻燃抗静电聚烯烃及制备方法与应用-CN202011353041.0在审
发明人：王志伟;李易丞;胡琴;付伟;丁丽丽;袁野 -专利权人：神华科技发展有限责任公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：本发明提供一种煤矿井下用阻燃抗静电聚烯烃，包括聚乙烯、聚丙烯、POE、硅硼磷系复合阻燃剂、复合抗静电剂、润滑剂及其他。本发明以通过POE(乙烯—辛烯共聚物)作为界面相融剂，有利于聚乙烯(PE)和聚丙烯(PP)两种材料的有机结合，采用硅硼磷系复合阻燃剂与以石墨烯等复合抗静电剂，制备了阻燃抗静电聚烯烃，满足煤矿井下用管道对改性材料的物理机械及抗静电性等综合性能
一种煤矿井下阻燃抗静电烯烃制备方法应用

[发明专利]一种煤矿井下用阻燃抗静电聚乙烯及制备方法与应用-CN202011355939.1在审
发明人：袁野;胡琴;王志伟;李易丞;付伟;丁丽丽 -专利权人：神华科技发展有限责任公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：本发明提供一种煤矿井下用阻燃抗静电聚乙烯，包括聚乙烯、聚丙烯、POE、硅硼磷系复合阻燃剂、复合抗静电剂、润滑剂及其他。本发明以通过POE(乙烯—辛烯共聚物)作为界面相融剂，有利于聚乙烯(PE)和聚丙烯(PP)两种材料的有机结合，采用硅硼磷系复合阻燃剂与以石墨烯等复合抗静电剂，制备了阻燃抗静电聚乙烯，满足煤矿井下用管道对改性材料的物理机械及抗静电性等综合性能
一种煤矿井下阻燃抗静电聚乙烯制备方法应用

[发明专利]一种煤矿井下用阻燃抗静电聚丙烯及制备方法与应用-CN202011347555.5在审
发明人：李易丞;王志伟;袁野;胡琴;付伟;丁丽丽;张斯宜 -专利权人：神华科技发展有限责任公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明提供一种煤矿井下用阻燃抗静电聚丙烯，包括聚丙烯、聚乙烯、POE、硅硼磷系复合阻燃剂、复合抗静电剂、润滑剂及其他。本发明以通过POE(乙烯—辛烯共聚物)作为界面相融剂，有利于聚乙烯(PE)和聚丙烯(PP)两种材料的有机结合，采用硅硼磷系复合阻燃剂与以石墨烯等复合抗静电剂，制备了阻燃抗静电聚丙烯，满足煤矿井下用管道对改性材料的物理机械及阻燃
一种煤矿井下阻燃抗静电聚丙烯制备方法应用

[发明专利]低碳硅锰系锚杆用钢化学组成及热处理工艺-CN201210455665.2无效
发明人：华建锋;陈潇;刘亚南;江利 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C22C38/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种低碳硅锰系锚杆用钢化学组成及热处理工艺，包括低碳硅锰系锚杆用钢的化学组成和低碳硅锰系锚杆用钢的热处理工艺。其特征是：该低碳硅锰系锚杆用钢的化学组成按重量百分含量为：碳：0.18～0.22%，硅：1.15～1.45%，锰：1.50～1.65%，磷≤0.015%，硫≤0.020%，其余为铁和不可避免的杂质，各组分百分数之和为100%；该低碳硅锰系锚杆用钢的热处理工艺是：将该低碳硅锰系锚杆用钢，加热至780～800摄氏度后保温50分钟，然后快速淬入温度为370～390摄氏度、溶液为50%氯化钠+50%氯化钾的盐浴炉中，进行等温该低碳硅锰系锚杆用钢化学组成及热处理工艺耗能低，生产效率高，生产成本低，生产工艺简单，且综合力学性能好。
低碳硅锰系锚杆用钢化学组成热处理工艺