专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种提纯回收掺镓铸锭顶料的方法-CN201610246173.0在审
  • 李亚龙;罗晓斌;孙坤泽 - 佳科太阳能硅(龙岩)有限公司
  • 2016-04-20 - 2016-08-24 - C30B28/06
  • 本发明公开一种提纯回收掺镓铸锭顶料的方法,包括如下步骤:(1)在坩埚内壁上涂敷氮化硅涂层;(2)在坩埚内装入已打磨清洗干净的掺镓铸锭顶料;(3)将装有掺镓铸锭顶料的坩埚放入铸锭炉中,抽真空,加热,使混合物按照从上到下的顺序逐渐熔化;(4)进入长晶阶段后,调节铸锭炉中控温热电偶的温度、侧部隔热笼向上移动的速率、炉腔压力及氩气流量,使热量向下辐射,从而使熔硅形成竖直向上的温度梯度而自下向上生长;(5)冷却,出炉,开方,切除顶部5%‑10%,即可得到高纯小方锭。实验证明:本发明制作的高纯小方锭杂质少,少子寿命较高,位错密度低。
  • 一种提纯回收铸锭方法
  • [发明专利]非石墨坩埚在中频炉上精炼硅的方法-CN201510220133.4在审
  • 胡建峰;罗晓斌;孙坤泽;杨继荣 - 佳科太阳能硅(龙岩)有限公司
  • 2015-05-04 - 2015-08-05 - C01B33/037
  • 本发明公开了一种非石墨坩埚在中频炉上精炼硅的方法,其步骤为:1)使用耐高温非石墨坩埚。2)使用石墨电极加热升温,熔化金属硅。3)控制中频炉参数和硅水温度,使坩埚内壁形成一层硅渣保护层,保护坩埚受到侵蚀和防止坩埚污染硅熔体。4)加入造渣剂,进行造渣精炼。5)扒除浮渣,倒出部分硅液,留少量硅液在坩埚内,进行下一炉的熔硅和造渣精炼。本发明使用非石墨坩埚,坩埚使用寿命长,无氧化问题。坩埚内壁形成的硅渣有效保护坩埚不受造渣剂侵蚀,同时将高纯硅熔体与坩埚壁隔绝,阻止坩埚对高纯硅熔体的污染。每炉倒水剩余足量硅液,保证中频炉连续生产。
  • 石墨坩埚中频精炼方法
  • [发明专利]金属硅酸洗提纯的方法-CN201110106775.3有效
  • 孙东亚;蒋智鹏;孙坤泽 - 日鑫(永安)硅材料有限公司
  • 2011-04-27 - 2012-10-31 - C01B33/037
  • 本发明公开了一种金属硅多次酸洗提纯的方法,涉及一种成本低、工艺简单、能耗低的去除金属硅中关键金属元素的方法,可应用于做太阳能级别硅材料的初级提纯的方法。其特征在于采用湿法冶金技术,以特制的工业硅做原材料,经过粉碎研磨,筛分出一定的粒度范围作为原料硅粉,按不同的酸组合和顺序进行连续三次酸洗操作。酸洗过程保持搅拌,酸洗完后过滤并用纯水冲洗至中性,之后烘干即可。采用本发明的方法可以将金属硅中的主要金属含量的降低到20ppm以下,将此多晶硅经过定向凝固后生产满足太阳能电池质量要求的多晶硅,大大减少后续的提纯成本。
  • 金属硅酸洗提纯方法
  • [发明专利]湿法冶硅的废酸回收处理方法-CN200810071191.5无效
  • 孙坤泽;张辉贤 - 佳科太阳能硅(厦门)有限公司
  • 2008-06-05 - 2009-12-09 - C02F1/42
  • 本发明公开一种湿法冶硅的废酸回收处理方法,步骤包括预处理:将湿法冶硅产生的废酸,经过滤系统,初步分离出悬浮物和硅粉等杂质;酸液回收:预处理的废酸在扩散分离器中,利用阴离子交换膜截留金属离子,回收混合酸;酸液检测及配比:通过电位、pH值和相关阴离子浓度的化验检测,得出酸根离子浓度,借此求出各种酸的比例,然后根据生产工艺需要,通过元素守衡和质量守衡定律,联立方程组,计算出需再加入的新酸量和纯水量,调配成新的酸洗液。工业生产表明:在纯水和回收酸流量为400L/h,酸回收率可达到92%以上,利用回收酸与浓酸配比成新的酸洗液,对硅中的杂质金属脱除率可达到95%,很好地达到工艺生产要求,具有良好的经济效益和环境效益。
  • 湿法回收处理方法
  • [发明专利]一种多晶硅的提纯方法及其凝固装置-CN200710009237.6有效
  • 杨继荣;孙坤泽;洪永强 - 佳科太阳能硅(厦门)有限公司
  • 2007-07-17 - 2007-12-26 - C30B29/06
  • 一种多晶硅的提纯方法及其凝固装置,涉及一种多晶硅。提供一种结构简单的多晶硅定向凝固装置及其设备简单、投入少和能耗小的多晶硅的提纯方法。设炉体、炉盖、耐火保温层、焦炭燃烧室、石墨容器和温度控制系统。将硅粉投入炉内熔化成硅水,将石墨容器放于焦炭燃烧室底部的底座和炉桥的正上方,将焦炭放入焦炭燃烧室,盖上炉盖,石墨容器加热至1100℃以上,将硅液体温度加热至1550~1800℃,将焦炭炉送到炉前,将硅液体倒入容器,在硅水上方覆盖稻壳。安装热电偶,焦炭炉温度升至1300~1450℃,使焦炭炉的温度下降至700~900℃,自然降温至80℃以下时取出硅锭。
  • 一种多晶提纯方法及其凝固装置

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