专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]头滑动器-CN200810211423.2无效
  • 田和文博;小田岛涉;长谷川信也 - 富士通株式会社
  • 2008-09-22 - 2009-04-15 - G11B11/105
  • 本发明提供了一种头滑动器,其用于通过采用微小光斑照射记录介质的磁记录。头滑动器包括:滑动器主体,其具有面对记录介质的底表面和与所述底表面相反的顶表面;光学头,其设置在所述滑动器主体中,以用光照射所述记录介质;以及光学层,其传播从外部供应的光,并且将所述光引导到所述光学头。所述光学层沿形成在所述滑动器主体的一部分中的弯曲表面弯曲,以形成弯曲的光传播路径。
  • 滑动
  • [发明专利]信息记录装置-CN200610161891.4有效
  • 长谷川信也 - 富士通株式会社
  • 2006-12-05 - 2008-01-02 - G11B11/105
  • 本发明公开了一种信息记录装置,它包括:记录介质;由致动单元驱动的摆动臂,所述摆动臂响应于致动单元的进行的驱动而在记录介质表面上方摆动;记录头,所述记录头由摆动臂承载,并随着由致动单元使摆动臂进行的摆动而在记录介质的表面上方扫描,所述记录头向记录介质记录信息;头缩回机构,在处于不在记录介质上记录信息的卸载状态下,所述头缩回机构使记录头缩回记录介质之外;光注入单元,将光注入到记录头中,记录头包括光照射部分,在向记录介质记录信息时,所述光照射部分将注入到记录头的光照射到记录介质上,其中,光注入单元与头缩回机构是一体的,形成整体式光注入及头缩回机构。
  • 信息记录装置
  • [发明专利]磁盘装置-CN200610101884.5有效
  • 长谷川信也 - 富士通株式会社
  • 2006-07-12 - 2007-10-03 - G11B11/10
  • 一种磁盘装置,其通过利用在记录介质的光照射的表面上的电流产生磁场来进行磁记录。磁头单元通过将透射光的光学膜和电流流经的金属膜层压而形成。光照射单元以这样的方式照射光,即,光经过所述光学膜透射并照射在所述记录介质的表面上。电流输出单元向所述金属膜输出电流。
  • 磁盘装置
  • [发明专利]磁头和信息存储设备-CN200610093504.8无效
  • 田和文博;长谷川信也 - 富士通株式会社
  • 2006-06-23 - 2007-08-22 - G11B11/105
  • 提供了一种能够将光施加到靠近施加了磁场的位置的位置,而不减小磁场强度的磁头和信息存储设备。该磁头包括:从其端部发射磁通量的磁极;具有与所述磁极的所述端部对准的端部并且折射率与所述磁极的折射率不同的光极;从远离所述光极的位置将光施加到所述光极的所述端部的侧面的光施加部分;以及填充所述光施加部分和所述光极的所述端部之间的空间并且折射率与所述磁极的折射率和所述光极的折射率中的任意一个不同的填充部分。
  • 磁头信息存储设备
  • [发明专利]光照射头、信息存储装置、光照射头设计装置及光照射头设计程序-CN200480042182.3无效
  • 长谷川信也;田和文博 - 富士通株式会社
  • 2004-05-14 - 2007-02-28 - G11B7/135
  • 本发明的目的是提供一种尺寸大且具有高的光传播性能的光照射头,本发明的光照射头包括:第一传播部,由第一消光材料构成并沿着光轴而设置;一对第二传播部,由第二消光材料构成并夹持第一传播部;一对第一约束部,由光的传播性能差于第二传播部,并从第二传播部的外侧夹持第一传播部和第二传播部的材料构成;以及一对第三传播部,由光的传播性能优于第一约束部的材料构成,并从第一约束部的外侧夹持第一约束部。另外,本发明的光照射头设计装置通过求解基于F矩阵的方程式来算出光轴方向上的复传播常数,从而对光照射头进行前瞻性良好的设计。
  • 照射信息存储装置设计程序
  • [发明专利]光学头和信息存储装置-CN200610126496.2无效
  • 长谷川信也;田和文博 - 富士通株式会社
  • 2002-11-13 - 2007-01-24 - G11B7/12
  • 本发明提供光学头和信息存储装置。一种光学头,包括:第1介电体层,具有第1折射率;一对第2介电体层,与第1介电体层的两侧邻接配置,具有比第1折射率大的第2折射率;一对第3介电体层,与各第2介电体层邻接配置;以及一对第4介电体层,与各第3介电体层邻接配置,具有比第1折射率大的第3折射率。使光从与第1至第4介电体层的叠层方向正交的方向入射。第1和第3介电体层具有相互不同的折射率或者具有相互不同的厚度。
  • 光学信息存储装置
  • [发明专利]发光头、信息存储设备和复合头制造方法-CN200510072067.7无效
  • 田和文博;长谷川信也 - 富士通株式会社
  • 2005-05-25 - 2006-03-08 - G11B11/105
  • 本发明提供了一种发光头、具有这种发光头提供对信息高速卷访问的信息存储设备和适于制造这种发光头的复合头的复合头制造方法,该发光头具有高的光利用效率并且便于与其他头的对准并便于制造。该发光头包括:第一结构部分,其包括:第一良好传播部分,其由光衰减基本上低到可以忽略程度的第一低消光材料组成,第二良好传播部分,其由光衰减基本上低到可以忽略程度的另一种低消光材料组成,其折射率比第一良好传播部分的大,以及由比第二良好传播部分更差的传播特性材料组成的较差传播部分;以及将光汇聚到第一结构部分的第二结构部分。
  • 光头信息存储设备复合制造方法
  • [发明专利]光学头和信息存储装置-CN02829884.5无效
  • 长谷川信也;田和文博 - 富士通株式会社
  • 2002-11-13 - 2005-11-09 - G11B7/135
  • 一种光学头,包括:第1介电体层,具有第1折射率;一对第2介电体层,与第1介电体层的两侧邻接配置,具有比第1折射率大的第2折射率;一对第3介电体层,与各第2介电体层邻接配置;以及一对第4介电体层,与各第3介电体层邻接配置,具有比第1折射率大的第3折射率。使光从与第1至第4介电体层的叠层方向正交的方向入射。第1和第3介电体层具有相互不同的折射率或者具有相互不同的厚度。
  • 光学信息存储装置
  • [发明专利]光照射头和信息存储装置-CN03823892.6无效
  • 田和文博;长谷川信也 - 富士通株式会社
  • 2003-03-28 - 2005-10-26 - G11B11/10
  • 本发明提供了一种具有从光源高效传播光的结构的光照射头,以及一种能够使用这样的光照射头来进行高密度记录的信息存储设备。本发明的光照射头包括:传播体,其具有对预定的对称轴轴对称的锥形二维形状,并且其由传播光的电磁场的第一种材料构成;和覆盖体,其覆盖所述传播体以环绕所述对称轴,并且其由不同于所述第一种材料的第二种材料构成。所述传播体还包括:突起形状或凹入形状的底边,其出现在所述对称轴上并且对所述对称轴轴对称;顶边,其出现在所述对称轴上并且比所述底边窄;和一对反射边,其出现在所述对称轴的两侧上,并且在从所述底边侧到所述顶边侧的方向上所述一对反射边的间距逐渐减小。
  • 照射信息存储装置

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