专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体集成电路器件的制造方法-CN200410000802.9有效
  • 田边义和;酒井哲;夏秋信义 - 株式会社日立制作所
  • 1998-03-04 - 2004-08-18 - H01L21/316
  • 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法,包括以下步骤:(a)使用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气;(b)在保持该湿气为气态的情况下,将所述如此制备的湿气转移至一个炉子的热处理室中,以在所述室内的晶片的第一主表面上方形成包括氧气的湿氧化气氛;(c)通过将所述晶片的所述第一主表面加热到高于所述第一温度的第二温度,通过热氧化在所述热处理室中的所述湿氧化气氛中的所述晶片的所述第一主表面的硅表面上方形成绝缘栅型场效应晶体管的栅绝缘膜;然后(d)使所述晶片经受热氮化处理
  • 半导体集成电路器件制造方法
  • [发明专利]铟锡氧化膜的制造方法-CN02125163.0有效
  • 菱田光起 - 三洋电机株式会社
  • 2002-06-28 - 2003-02-05 - G02F1/1343
  • 在常温及添加水份的环境下形成铟锡氧化物(ITO)膜,成膜后,进行约180℃以上及约1小时以上的热处理。添加水份环境设为使成膜室内的水份总分压约为8.2×10-3帕以下,而在后续的退火过程发挥膜质改善效果,并且,通过使成膜室内的水份总分压为3.20×10-3帕以上,则可形成非晶质性的ITO膜,而在成膜后可迅速进行蚀刻处理成膜后(图案化后)的热处理优选以约180℃以上(例如约220℃)的温度进行约1小时以上(例如约1小时~约3小时)为条件,由此,膜片将被多晶化,得到低电阻且高透光率的ITO膜。
  • 氧化制造方法

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