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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种炭包覆磷酸铁锂材料的制备方法-CN201210089762.4有效
发明人：秦波;龚金保;戴思琦 -专利权人：北京当升材料科技股份有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：其步骤为在锂源化合物、铁源化合物和磷源化合物的混合物中加入炭源化合物和溶剂，球磨至浆料中固体不溶物平均粒径为20-500nm；将所述浆料进行喷雾干燥，在惰性气氛下热处理即得。其中炭源化合物为本身粘性低或能在干燥受热瞬间固化收缩均匀包覆在干燥微粉的表面的有机化合物。本发明工艺相对简单，避免了原材料浆料干燥时粘壁导致包覆剂配比精度低等问题，实现炭源在磷酸铁锂表面的均匀包覆，提高了产品质量的一致性并使大生产能够顺利进行。
一种炭包覆磷酸材料制备方法

[发明专利]一种新型植源益生菌液的制备工艺-CN201310291981.5有效
发明人：许妮君;陈明仁 -专利权人：西安康代生物科技有限公司
申请日： 2013-07-11 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种植源益生菌液的制备工艺，目的是提供一种以纯天然植物为原料，不使用任何添加剂，益生菌生成量大的新型植源益生菌液的制备工艺。一种新型植源益生菌液的制备工艺包括步骤：采摘早上九点钟前或早晨雨露自然蒸干之前的菌源植物；将菌源植物放入用糖浆和食用盐制得的营养液，密封于常温下发酵，过滤，滤液为菌种；将菌种接种于红糖浆、食用盐和水制得的发酵液中本发明严格控制菌源植物的采摘和发酵时机，产品稳定安全；生产中的添加剂均为天然物质，不含人工合成的添加剂；生产工艺参数制定严密，能将天然植物中的益生菌有效提取出来，产品的生物量含量达到了4.0亿CFU/mL
一种新型植源益生菌液制备工艺

[发明专利]显示设备和控制该显示设备的面板自刷新操作的方法-CN201310072139.2有效
发明人：具圣祚;金彰坤;金镇成 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2013-03-07 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种显示设备包括：源单元；汇单元，其经由嵌入式显示端口接口与所述源单元连接，以在所述源单元与所述汇单元之间进行信号传输，并使能用于降低功耗的面板自刷新PSR模式；静止图像检测器，该静止图像检测器被包括在所述源单元中，并分析输入的图像以检测静止图像；压缩器，该压缩器被包括在所述源单元中，并利用预先存储的压缩算法来对所述静止图像的数据进行无损压缩；以及PSR控制器，该PSR控制器被包括在所述源单元中，将所述无损压缩的数据的尺寸与所述汇单元的帧缓冲器的尺寸进行比较
显示设备控制面板刷新操作方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN201210134597.X有效
发明人：尹海洲;朱慧珑;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底从下至上依次包括基底层、掩埋隔离层、掩埋地层、超薄绝缘埋层、表面有源层；对所述掩埋地层进行离子注入掺杂；在所述衬底上形成栅极堆叠、侧墙和源/漏区；在所述衬底上形成覆盖所述栅极堆叠和源/漏区的掩膜层，刻蚀所述掩膜层以暴露出所述源区；刻蚀所述源区以及源区之下的超薄绝缘埋层，形成暴露出所述掩埋地层的开口；通过外延填充所述开口，以形成所述掩埋地层的接触塞本发明通过形成掩埋地层接触塞，将掩埋地层与源区电学连接，增强了半导体器件对阈值电压的控制能力，减小了短沟道效应，提高了器件性能，同时不必对掩埋地层做单独引出，节省了器件面积，简化了工艺。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]降低开尔文接触阻抗以及击穿电压的集成MOSFET器件及方法-CN201210455904.4有效
发明人：潘继 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：MOSFET还包括：一个开尔文接触本体以及一个嵌入的开尔文接触源极；一个延伸在外延层中的沟槽栅极；一个穿过开尔文接触源极以及至少部分开尔文接触本体延伸的下部接触沟槽，分别限定垂直源极-接触表面和垂直衬底-接触表面；一个在开尔文接触源极和沟槽栅极上方的带图案的电介质层；一个带图案的顶部金属层。一个平面台面结构形成在开尔文接触源极上方；MOSFET器件具有不高的衬底开尔文接触阻抗，并且由于存在平面台面结构，其源极开尔文接触阻抗比没有平面台面结构的MOSFET器件的更低；还形成了一个集成并联的肖特基二极管
降低开尔文接触阻抗以及击穿电压集成 mosfet 器件方法

[发明专利]机载设备网络数据传输通用的数据格式转换方法及其系统-CN201210541430.5有效
发明人：尹彦清;马骏 -专利权人：中国航空无线电电子研究所
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种机载设备网络数据传输通用的数据格式转换方法及其系统，其包括以下步骤：步骤一，根据被转换源数据的类型，定义源数据的数据结构类型描述说明；步骤二，声明源数据类型描述说明的变量，并对该源数据类型描述说明的变量进行初始化赋值；步骤三，定义目标数据存储缓冲区；步骤四，按照数据格式转换规则，对源数据类型描述说明的变量进行解析；步骤五，根据解析的数据类型对源数据进行转换，将转换结果存储到目标数据存储缓冲区中。
机载设备网络数据传输通用数据格式转换方法及其系统

[发明专利]RFLDMOS工艺中的ESD器件及其制造方法-CN201210181338.2有效
发明人：刘冬华;段文婷;胡君;王邦麟;石晶;钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件，ESD器件为N型LDMOS器件，在多晶硅栅源端一侧的P阱中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源漏注入区，在多晶硅栅的漏端一侧的P阱中形成有N型源漏注入区、第二N型轻掺杂漏注入区和用于降低ESD器件的击穿电压的第二P型轻掺杂漏注入区，第二P型轻掺杂漏注入区位于N型源漏注入区的外侧并且第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于等于第二N型源漏注入区的结深。本发明能减少一道额外的ESD器件的源漏注入光罩，能降低工艺的复杂性，减少工艺成本，提高RFLDMOS工艺的竞争力。
rfldmos 工艺中的 esd 器件及其制造方法

[发明专利]无线传感器网络时间同步方法-CN201210508523.8有效
发明人：陈其工;王冠凌;江明;王俊杰 -专利权人：安徽工程大学
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H04W56/00 文献下载
摘要：本发明提供一种无线传感器网络时间同步方法，包括步骤；步骤A：中心节点初始化后，向全网终端节点广播接收自标准源设备的标准源秒脉冲时间信息；终端节点初始化后，接收标准源秒脉冲时间信息；然后中心节点和终端节点分别执行如下步骤B及步骤C：步骤B：中心节点标准源秒脉冲预测自校准以更新标准源脉冲时间，并应答终端节点的请求将更新后的标准源脉冲时间向全网终端节点广播；步骤C：终端节点依次自唤醒预测同步校准。
无线传感器网络时间同步方法

[发明专利]超晶格纳米线场效应晶体管及其形成方法-CN201210038792.2有效
发明人：王文博 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-02-20 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：栅极结构包括栅极、位于栅极和纳米线之间的栅介质层，栅极结构位于凹槽底部上且包围至少两层叠置的纳米线，纳米线的长度大于栅极的宽度；在栅极结构四周形成侧墙；去除伸出侧墙的纳米线；利用外延生长法在侧墙的外侧形成源极本技术方案用外延生长法形成源极和漏极，可以将需要掺杂的离子伴随着源极和漏极的形成掺杂在源极、漏极中，避免现有技术中利用离子注入形成源极、漏极而导致源极和漏极中的离子掺杂不均匀的问题。
晶格纳米场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]一种用于观察子宫肿瘤放疗总剂量的分布图像的生成方法-CN201310190506.9有效
发明人：甄鑫;周凌宏;王琳婧;陈海斌;肖阳;胡洁 -专利权人：南方医科大学
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： G06T11/00 文献下载
摘要：本发明涉及X射线辐射的测量，具体涉及一种用于观察子宫肿瘤放疗总剂量的分布图像的生成方法，该方法由以下步骤组成：先根据图像中像素点CT值的大小，分割出含施源器HDR CT图像中的施源器区域，并进行二值化处理得到掩膜图像；然后，利用掩膜图像对HDRCT图像进行收缩变形和线性插值处理，再以处理后的图像为浮动图像，以不含施源器的盆腔IMRT CT图像为参考图像进行变形配准；最后，用得到的配准变形场对去除施源器区域剂量的HDR剂量分布图像进行变形，该变形结果与不包含施源器的IMRT剂量分布图像进行叠加后再与不包含施源器的IMRT CT图像进行图像融合。
一种用于观察子宫肿瘤放疗剂量分布图像生成方法

[发明专利]阵列基板、其制造方法及显示装置-CN201310193797.7有效
发明人：崔承镇;金熙哲;宋泳锡;刘圣烈 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该方法包括：在基板上形成栅极金属层，通过构图工艺形成包括栅极和栅线的图案；在形成有栅极和栅线图案的基板上依次形成绝缘层、半导体材料层和源/漏金属层，通过构图工艺形成包括半导体层、源/漏电极和数据线的图案，其中源/漏电极的图案与半导体层的图案一致；在形成有半导体层、源/漏电极和数据线图案的基板上形成第一透明导电层，通过构图工艺形成第一透明电极的图案，并在源/漏电极的图案上形成间隙以形成源极和漏极的图案。
阵列制造方法显示装置

[发明专利]一种基于终端直通通信的多中继通信方法-CN201310471005.8有效
发明人：邵世祥;姜浩;孙君 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H04W8/14 文献下载
摘要：基站向会话请求方发出D2D对探测请求，并告知目的端准备监听，并指定探测所占用的资源，包括探测功率、探测所用时频资源；会话请求端设定最大探测功率，在探测信道内向周围广播探测信号；目的端在探测信道监听是否能收到源端信息；若收到探测信息，则反馈信息给源端；源端根据收到的反馈信号判定是否达到Qos要求；若需要，源端广播RTS信息，目的端广播CTS，周围的空闲用户作为中继；基站将判决情况反馈给源端，分配合适资源；源端与中继端
一种基于终端直通通信中继方法

[发明专利]基于双MMC换流器的电网输电增容改造方法-CN201510587691.4有效
发明人：田鑫;全程浩;荆平;杨继业;赵波;孙刚;宋卓然;刘岩;宋颖巍;刘明岳;龚树东;戴承文 -专利权人：国网智能电网研究院;国网辽宁省电力有限公司经济技术研究院;沈阳电力勘测设计院;国家电网公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H02J3/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于双MMC换流器的电网输电增容改造方法，包括：构建电压源换流器和电压电流调节器；电压源换流器包括送端电压源换流器和受端电压源换流器，电压电流调节器包括送端电压电流调节器和受端电压电流调节器；将送端电压源换流器接入送端交流系统和送端电压电流调节器之间，以及将受端电压源换流器接入受端交流系统和受端电压电流调节器之间；将送端电压电流调节器和受端电压电流调节器通过交流电缆连接。
基于 mmc 换流电网输电增容改造方法

[发明专利]一种低温性能优异的磷酸铁锂正极材料及其制备方法-CN201310027761.1有效
发明人：张卫东;周恒辉;黄长靓 -专利权人：北大先行科技产业有限公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：其制备方法是：在分散剂中将锂源化合物、铁源化合物、磷源化合物和含掺杂金属元素M的化合物按照Li:Fe:P:M=X:1:1:Y（1.02≤X≤1.10，0≤Y≤0.05）的摩尔比例充分混合，研磨、干燥后获得一干物料A；将A进行热处理得到一烧物料B；将B与锂源、铁源和磷源化合物加入到分散剂中，研磨、干燥后获得二干物料C；将C进行热处理，生成表面包覆有焦磷酸亚铁锂的磷酸铁锂颗粒。
一种低温性能优异磷酸正极材料及其制备方法

[发明专利]双冷源新风机组-CN201310013283.9有效
发明人：杨仕超;余鹏;罗运有 -专利权人：广东省建筑科学研究院
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： F24F3/14 文献下载
摘要：一种双冷源新风机组，包括新风机组壳体，所述新风机组壳体内设置有压缩机、第一冷凝器、第二冷凝器、节流装置、蒸发器、进风口、过滤器、出风口、冷冻水供回水管和表冷器；所述压缩机、第一冷凝器、第二冷凝器、节流装置和蒸发器依次通过铜管连接，组成新风机组的自身冷源系统；所述表冷器通过冷冻水供回水管连接外部集中空调冷源系统。本发明具有如下优点：（1）本发明自带独立冷源系统，在过渡季节集中空调冷源停止工作，空调风系统全新风节能运行时，能运用自身的冷源对新风进行除湿处理，避免出现室内潮湿、发霉的现象发生；（2）使用本发明的新风机组
双冷源新风机组

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