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[发明专利]一种隔离与变换模块、电压变换与功率传输电路和SST-CN201710415355.0有效
发明人：陈宇;李杰;康勇 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本申请公开了一种隔离与变换模块，包括：变压器、上桥臂可控电压源和下桥臂可控电压源，上桥臂可控电压源和下桥臂可控电压源分别连接于变压器的两端，由于该隔离与变换模块复合利用变压器，变压器的励磁电感还可作为扼流电感，将扼流电感与变压器集成，使得本申请的器件数量及成本大大降低；又由于电力电子变换电路采用子模块串联构成的可控电压源，子模块可均分高电压，减小了子模块所需承受的电压；同时通过控制可控电压源吸收的有功功率为零
可控电压源变换模块变压器子模块隔离电力电子变换电路功率传输电路电压变换扼流电感上桥臂下桥臂申请变压器集成电压稳定高频电压功率传输交流电压励磁电感有功功率高电压减小串联复合吸收

[发明专利]一种高比能量的橄榄石型磷酸锰锂锂离子电池正极材料的制备方法-CN201810764933.6有效
发明人：徐友龙;王继生;薛旭 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：)1‑2x(SiO4)2x化学计量比，其中，x＝0.005～0.05，将锂源、锰源、磷源、铁源、锆源和硅源混合均匀，在300～450℃热处理2～10小时，然后粉碎研磨，再于500～800℃下烧结3～20小时即可。
一种能量橄榄石磷酸锂离子电池正极材料制备方法

[发明专利]锂离子电池正极材料及其制备方法-CN201810790678.2有效
发明人：张永昌;方成俊;田志远 -专利权人：北京汽车集团越野车有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子电池正极材料及其制备方法，锂离子电池正极材料的制备方法包括以下步骤：步骤S1、将铁源、磷源和锂源作为反应物溶解并混合均匀后装入压力容器中进行水热反应；步骤S2、待所述步骤S1完成反应后，在所述压力容器中再次加入所述步骤S1中的所述铁源、所述磷源和所述锂源进行二次水热反应；步骤S3、将所述步骤S2中的反应产物进行过滤洗涤、烘干和煅烧后得到目标产物。
锂离子电池正极材料及其制备方法

[发明专利]一种自适应抵消无线收发系统中无源互调信号的装置及方法-CN201810134215.0有效
发明人：孟庆南 -专利权人：香港梵行科技有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H04B1/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种自适应抵消无线收发系统中无源互调信号的装置及方法，其将无线收发系统产生的无源互调信号中落入到接收频段的分量抵消，包括多组耦合器，抵消器电路，发射信号鉴频电路，抵消检测电路，数字处理控制单元；其串接在无线收发设备和天线之间，经多组耦合器耦合分出三路信号：第一路信号经抵消器电路产生抵消无源互调的信号，并通过信号叠加实现抵消；第二路信号经发射信号鉴频电路和数字处理控制单元计算无源互调信号频率；第三路信号经抵消检测电路和数字处理控制单元对无源互调信号抵消结果检测，实时调控上述抵消器电路幅度和相位，使无源互调信号抵消结果满足预设值；本发明可安装在无线收发设备外或无线收发设备内。
一种自适应抵消无线收发系统无源信号装置方法

[发明专利]一种信息中心网络ICN中数据源解析方法-CN201510485971.4有效
发明人：刘外喜;吴颢;蔡君;胡晓 -专利权人：广州大学
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种信息中心网络ICN中数据源解析方法，其采用注册‑发现机制：节点存储目标内容或服务器产生内容时，都需要告诉解析服务器；利用BloomFilter技术，Interest查询数据源解析系统就可以得到目标内容的全部数据源的位置借鉴Q学习的思想，本发明设计的数据源解析系统是自适应的：存储机制初步确定存储内容的承诺时间，如果承诺时间大于最低门限，则注册，并确定其在解析系统中的级别；否则不注册。本发明可从存在着多数据源的ICN网络中快速地发现有效数据源，并进一步增强ICN对移动性的支持。
解析系统数据源解析目标内容信息中心承诺解析服务器变化趋势查询数据存储机制存储内容多数据源节点存储请求解析生命周期有效数据数据源移动性自适应门限服务器存储网络发现名字更新帮助

[发明专利]基于遗传算法的智能电能表功能检定方法-CN201810345721.4有效
发明人：杨成林;黄建国;胡聪;陈芳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： G01R35/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于遗传算法的智能电能表功能检定方法，首先根据实际需要设置智能电能表待检定事件以及智能电能表功能检定时所涉及的电源参数，获取待检定事件的触发条件表，然后根据触发条件表得到每个电源参数的取值范围；然后以调源参数向量作为个体染色体，采用遗传算法依次获取每个调源参数向量，其中个体的适应度值为其对应调源参数向量所触发的待检定事件数量；最后根据调源参数向量对智能电能表的电源参数进行设置，实现对智能电能表功能的检定。本发明可以自动生成智能电能表功能检定的所需的调源参数向量，且能采用数量较少的调源参数向量完成全部待检定事件的检定，可以减少测试人员工作量，提高智能电能表功能检定的效率。
基于遗传算法智能电能表功能检定方法

[发明专利]一种车联网车辆位置信息可信度评价方法及系统-CN201810629785.7有效
发明人：曲艺;吴海涛 -专利权人：中国科学院光电研究院
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种车联网车辆位置信息可信度评价方法及系统，所述方法包括：当接收到从同一消息源车辆发出、经过一跳节点附加位置评价参考信息转发的多条特定消息时，判断所述多条特定消息对应的各源消息是否存在歧义；若存在歧义，则对所述各源消息分别进行消息清洗，并基于所述位置评价参考信息计算各源消息的车辆位置信息的可信度，采信可信度较高的源消息；若不存在歧义，则对任一源消息进行消息清洗后计算其车辆位置信息的可信度。
一种联网车辆位置信息可信度评价方法系统

[发明专利]在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度-CN201710912237.0有效
发明人：谢瑞龙;山下天孝;程慷果;叶俊呈 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度，其中，一种半导体结构包括半导体衬底，位于半导体衬底上方的第一垂直晶体管的底部源/漏层，位于该源/漏层上方的垂直沟道，以及包覆该垂直沟道的金属栅极，半导体结构还包括位于该垂直沟道上方的顶部源/漏层，以及至各顶部及底部源/漏层及该栅极的自对准接触。半导体结构可通过以下步骤实现：提供上方具有底部源/漏层的半导体衬底，在底部源/漏层上方形成垂直沟道，形成包覆垂直沟道的伪栅极，以及分别围绕垂直沟道的顶部及底部形成底部间隙壁层及顶部间隙壁层，垂直沟道的剩余中心部分定义固定垂直沟道高度
垂直晶体管替代栅极流程控制对准长度

[发明专利]集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法-CN201610793832.2有效
发明人：顾炎;程诗康;张森 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法，所述器件的JFET区包括：JFET源极，为第一导电类型；第一阱，为第二导电类型，设于第一导电类型区内且形成于JFET源极两侧；JFET源极的金属电极，形成于JFET源极上，与JFET源极接触；JFET金属栅极，设于JFET源极两侧的第一阱上；钳位区，位于JFET金属栅极的下方、第一阱内，为第二导电类型且离子浓度大于第一阱的离子浓度。
集成有结型场效应晶体管器件及其制造方法

[发明专利]结型场效应晶体管及其制造方法-CN201610793198.2有效
发明人：顾炎;程诗康;张森 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制造方法，所述结型场效应晶体管包括：阱区，为第二导电类型且形成于第一导电类型区内；源极，为第一导电类型且形成于阱区内；源极金属电极，形成于源极上且与源极接触；横向沟道区，为第一导电类型，形成于两相邻源极之间且两端与两相邻源极接触；金属栅极，形成于阱区上。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201010533970.X有效
发明人：陈昶亘 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括一基板、一半导体层、一图案化掺杂半导体层、一源极与一漏极、一栅绝缘层以及一栅极。半导体层配置于基板上。源极与漏极配置于图案化掺杂半导体层上且位于半导体层的相对两侧上方，其中被源极与漏极覆盖的部分半导体层具有一第一厚度，以及位于源极与漏极之间且未被源极与漏极覆盖的部分半导体层具有一第二厚度，第二厚度介于200栅绝缘层配置于源极与漏极以及部分半导体层上。栅极配置于栅绝缘层上。在本发明的薄膜晶体管可使得薄膜晶体管具有较佳的元件特性。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]不对称晶体管的形成方法-CN200910056032.2有效
发明人：邹立;罗飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种不对称晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区；在所述有源区表面形成栅极结构；在所述有源区内、栅极结构两侧形成漏极区、源极区和介于源极区与漏极区之间的沟道区；在衬底表面形成覆盖所述漏极区、源极区和栅极结构的介质层；在介质层表面形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀介质层直至形成暴露出漏极区的第一沟槽和暴露出源极区的第二沟槽；所述第二沟槽的线宽大于第一沟槽；以所述光刻胶图形为掩膜，对沟道区进行离子注入，形成口袋区，所述口袋区与源极区相邻，所述口袋区掺杂类型与源极区相反；在所述第一沟槽和第二沟槽内形成金属插塞。
不对称晶体管形成方法

[发明专利]一种锂离子电池高电压正极材料制备及表面包覆方法-CN201010512745.8有效
发明人：王珍珍;杨茂萍;刘大军;徐小明 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本发明提供了一种锂离子电池高电压正极材料制备及表面包覆的方法，本发明采用两步法制备的高电压正极材料尖晶石型LiNi0.5Mn1.5O4，先将镍源和锰源溶液与表面活性剂溶液混合均匀，再经干燥，350-450℃空气中焙烧得到镍锰氧化物的前躯体；将前躯体与锂源经液相球磨混合，干燥，最后空气中400-900℃焙烧得到正极活性材料；在含有锂源的可溶性铝盐溶液中加入正极活性材料，控制锂源、可溶性铝源、正极活性材料在适当摩尔
一种锂离子电池电压正极材料制备表面方法

[发明专利]半导体装置-CN201110206210.2有效
发明人：宫原真一朗;高谷秀史;杉本雅裕;森本淳;渡边行彦 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种SiC半导体装置，包括：反转型MOSFET，所述MOSFET包括：基底(1)；基底上的漂移层(2)和基极区(3)；基极区上的基极接触层(5)和源极区(4)；多个沟槽(6)，具有在第一方向上的纵向方向，沟槽(6)穿透所述源极区和所述基极区；经由栅极绝缘膜(8)处于每个沟槽中的栅极电极(9)；中间层绝缘膜(12)，覆盖所述栅极电极并具有接触孔(12a)，所述源极区和所述基极接触层通过所述接触孔(12a)得到暴露；源极电极(11)，通过所述接触孔与所述源极区和所述基极区电耦合；以及所述基底上的漏极电极(13)。源极区和基极接触层沿垂直于第一方向的第二方向延伸，并且沿第一方向交替布置。接触孔具有在所述第一方向上的纵向方向。
半导体装置

[发明专利]一种烃源岩有机碳含量的确定方法和装置-CN201410042090.0有效
发明人：李长喜;李华阳;李潮流;胡法龙;王昌学 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： G01N33/24 文献下载
摘要：本发明提供一种烃源岩有机碳含量的确定方法，包括：S1：实验测量烃源岩岩心的有机碳含量值；S2：获取各岩心深度处的测井曲线中铀含量、电阻率、补偿声波时差和补偿密度的测井值；S3：根据S2的测井值计算ΔlgR；S4：根据S1-S3的结果建立有机碳含量值和ΔlgR、铀测井值的对应关系并拟合成函数；S5：根据拟合的函数确定井中各位置处的烃源岩有机碳含量。本发明还提供了一种烃源岩有机碳含量的确定装置实施例。本发明提供的一种烃源岩有机碳含量的确定方法和装置是基于铀测井曲线和ΔlgR联合来确定有机碳含量的，计算结果精度高，在烃源岩有机碳含量的计算中具有明显的实际应用效果。
一种烃源岩有机含量确定方法装置