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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种扫描驱动电路-CN201410649999.2有效
发明人：肖军城 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供一种扫描驱动电路，该扫描驱动电路包括上拉控制模块、上拉模块、下拉模块、下拉维持模块、自举电容以及恒压低电平源；其中上拉控制模块分别与上拉模块、下拉模块、下拉维持模块以及自举电容连接，恒压低电平源分别与下拉维持模块以及下拉模块连接本发明的扫描驱动电路通过设置上拉控制模块，可以很好的避免漏电现象的产生，提高扫描驱动电路的可靠性。
一种扫描驱动电路

[发明专利]用于制作超级电容器的结构-CN201810010581.5在审
发明人： B.S.多伊尔;S.马尼帕特鲁尼;S.M.利夫;V.K.辛赫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及用于制作超级电容器的结构。在此公开了一种设备，包括纤维，包括柔性材料；形成在所述纤维上方的栅电极；形成在所述纤维上方的源电极；以及形成在所述纤维上方的漏电极。
用于制作超级电容器结构

[发明专利]电致发光显示装置-CN201910739275.X在审
发明人：金劲旼;严惠先;尹斗铉 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了一种电致发光显示装置，包括：基板，包括彼此相邻的第一子像素和第二子像素；驱动薄膜晶体管，设置在第一子像素和第二子像素中的每一个中，并且被配置成包括栅电极、源电极和漏电极；第一电容器，第一电容器与设置在第一子像素中的驱动薄膜晶体管的栅电极和源电极电连接；以及第二电容器，第二电容器与设置在第二子像素中的驱动薄膜晶体管的栅电极和源电极电连接，其中，第一电容器从第一子像素延伸到第二子像素，并且第二电容器从第二子像素延伸到第一子像素。
电致发光显示装置

[发明专利]一种开关电容实现无变压器型逆变器及应用-CN201110042149.2有效
发明人：何湘宁;顾云杰;李武华;杨波;赵一 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关电容实现无变压器型逆变器，包括：二个电容，五个功率开关和滤波器；第一电容的二端分别与第一功率开关的漏极、滤波器的第二输入端相连；第一功率开关的源极与第二功率开关的漏极、第二电容的第一端和第四功率开关的漏极相连，第二功率开关的源极与第一电容的第二端和第三功率开关的漏极相连，第三功率开关的源极与第二电容的第二端和第五功率开关的源极相连，第五功率开关的漏极与第四功率开关的源极和滤波器的第一输入端相连。本发明还公开了其在光伏并网发电系统中的应用，本发明的逆变器结构简单，能够有效抑制无变压器型光伏并网系统中的对地漏电流。
一种开关电容实现变压器逆变器应用

[实用新型]一种开关电容实现无变压器型逆变器-CN201120043930.7无效
发明人：何湘宁;顾云杰;李武华;杨波;赵一 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种开关电容实现无变压器型逆变器，包括：二个电容，五个功率开关和滤波器；第一电容的二端分别与第一功率开关的漏极、滤波器的第二输入端相连；第一功率开关的源极与第二功率开关的漏极、第二电容的第一端和第四功率开关的漏极相连，第二功率开关的源极与第一电容的第二端和第三功率开关的漏极相连，第三功率开关的源极与第二电容的第二端和第五功率开关的源极相连，第五功率开关的漏极与第四功率开关的源极和滤波器的第一输入端相连。本实用新型还公开了其在光伏并网发电系统中的应用，本实用新型的逆变器结构简单，能够有效抑制无变压器型光伏并网系统中的对地漏电流。
一种开关电容实现变压器逆变器

[发明专利]一种沟槽式场效应管及其制备方法-CN201010527476.2无效
发明人：王颢 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种沟槽式场效应管及其制备方法，属于半导体器件领域，包括：半导体衬底、外延层、源掺杂区、沟道区、栅氧化层以及多晶硅栅，并在多晶硅栅与栅氧化层之间、水平方向位置处有一低介电常数的绝缘层。通过所述绝缘层的引入，有效减小了器件的栅-漏电容，大大缩短了MOS晶体管开关过程中对栅-漏电容的充放电时间，提高了MOS晶体管的开关速度，并降低其动态损耗，使器件性能有了很大提高。
一种沟槽场效应及其制备方法

[发明专利]一种非隔离高电压增益单开关DC-DC变换器及其控制方法-CN202211289705.0在审
发明人：陈景文;王媛 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种非隔离高电压增益单开关DC‑DC变换器，包括直流电压源，耦合电感，开关管，第一电容、第二电容、第三电容、第四电容，第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管以及电阻。它通过适当地选择耦合电感匝数比以获取所需的电压增益，选择由电容和二极管组成的无源箝位电路以降低开关管上的电压应力，利用箝位电容回收漏电感中的能量避免产生较大的电压尖峰；本发明在降低开关管应力的同时，开关管能够选择阻值较小的通态电阻以减小导通损耗
一种隔离电压增益开关 dc 变换器及其控制方法

[实用新型]可程式型电子开关-CN200420003885.2无效
发明人：舒英豪;魏禄几;马斌严 -专利权人：宇泉能源科技股份有限公司
申请日： 2004-02-25 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H03K17/94 文献下载
摘要：一种可程式型电子开关，主要是利用低漏电电容的分压特性，用以提供N型金属氧化硅场效电晶体(N－MOSFET，电子栅)的栅源启始电压，将电源电流泄漏至后端的电源转换电路；当此供应电力控制系统的电源转换电路达到启动电压时再通过由寄生电源转换电路的高压产生电路，提供高于电源10V以开启电压，以将N－MOSFET完全开启；并透过微处理器的导入，以供使用者自行设定关闭条件，在关闭阶段，是由微处理器提供一关闭讯号，将横跨于N－MOSFET栅源两端的低漏电电容短路，以将电子开关关闭；而开关的开启及关闭时间，均可在十毫秒(10mS)中完成，且开启阻抗低至五毫欧姆(5mΩ)，关闭漏电流在零点二毫安培(200uA)以下。
程式电子开关

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201510132293.3有效
发明人：刘晓娣;王刚 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板，包括在衬底上设置的栅电极层、有源层和漏源电极层，所述衬底上包括存储电容区；在所述存储电容区，所述栅电极层和所述有源层在衬底上的投影至少部分重合，所述有源层和所述源漏电极层在衬底上的投影至少部分重合本发明能够在不增大存储电容所占面积的同时有效增大存储电容，有利于减小像素面积，增大PPI。
一种阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]半导体结构和半导体结构的制备方法-CN202210303198.5在审
发明人：邵光速;肖德元;白卫平;邱云松 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法，属于半导体技术领域，该半导体结构包括衬底、电容结构、晶体管结构、位线和字线；衬底包括半导体层和隔离层。电容结构设置在衬底上，隔离层位于电容结构和至少部分半导体层之间。晶体管结构和字线设置在电容结构的远离衬底的一侧，晶体管结构的源极和漏极中的一者与电容结构电连接，晶体管结构的栅极与字线电连接，晶体管结构的源极和漏极中的另一者与位线电连接。本申请的半导体结构能够有效缓解电容结构的漏电流问题，保证电容结构的性能稳定，提升半导体结构的性能。
半导体结构制备方法

[发明专利]整流电路-CN201310071378.6有效
发明人：西胁达也;吉冈启;齐藤泰伸;新井雅俊 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H02M7/12 文献下载
摘要：在进行直流动作时，当反向偏置时流过整流元件的第1漏电流大于当在场效应晶体管的栅电极及源电极间施加了阈值以下的电压时流过源电极及漏电极的第2漏电流，并且第2漏电流与漏电极及源电极间的电压之间的关系处在场效应晶体管的安全工作区内，在进行交流动作时，当整流元件切换为反向偏置时，在反向偏置的期间内向整流元件的结电容的充电完成，并且充电过程中从整流元件流过场效应晶体管的电流处在场效应晶体管的安全工作区内。
整流电路

[发明专利]基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管-CN201810064170.4有效
发明人：张洪涛;张泽森 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，包括两个自激励单电子自旋电磁晶体管，两个自激励单电子自旋电磁晶体管共接直流栅极电压源Vg，共接源极和漏极，组成一对称的环状电路，环状电路的一端与负载电阻R、电容C、漏电压Vp连接，另一端为输出端，在栅极电压Vg超过阈值时，输出漏电流随输入的漏电压Vp呈现谐振变化，形成顺时针和逆时针循环环路电流，在输出端两个晶体管的漏极形成干涉电流。本发明证实在栅极电压的阈值超过后，基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管的源漏电压与漏电流的关系呈现干涉现象。
基于激励电子自旋电磁晶体管量子干涉

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和有机发光显示装置-CN201210144179.9有效
发明人：崔钟炫;崔宰凡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：TFT阵列基板包括薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极和漏电极、位于所述有源层和所述栅电极之间的第一绝缘层，和位于所述栅电极以及所述源电极和所述漏电极之间的第二绝缘层；位于第一绝缘层和第二绝缘层上且连接至所述源电极和所述漏电极之一的像素电极；电容器，包括位于与所述栅电极相同的层上的第一电极、由与像素电极相同的材料形成的第二电极、位于第二电极上的第一保护层，和位于第一保护层上的第二保护层；位于第二绝缘层和像素电极之间以及第一电极和第二电极之间的第三绝缘层；以及覆盖所述源电极和所述漏电极以及第二保护层且使像素电极暴露的第四绝缘层。
薄膜晶体管阵列及其制造方法有机发光显示装置

[发明专利]模块化的三维电容器阵列-CN201080041800.8有效
发明人： L·L·徐;X·欧阳;C-C·杨 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-08-23 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：一种模块化的电容器阵列包括多个电容器模块。每个电容器模块包括电容器和开关器件，该开关器件配置成电断开电容器。开关器件包括配置成检测该电容器的漏电水平的感测单元，从而使得如果泄漏电流超过预定水平，则开关器件电断开电容器。每个电容器模块可以包括单个电容器平板、两个电容器平板或多于两个的电容器平板。使用漏电传感器及开关器件以电断开电容器阵列的任何漏电的电容器模块，从而保护电容器阵列免受过度漏电之害。
模块化三维电容器阵列

[实用新型]一种电容漏电流批量测试装置-CN202021676170.9有效
发明人：高敬一;杨晔 -专利权人：江苏伊施德创新科技有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电容漏电流批量测试装置，包括：电源、由并联的多个待测电容电路构成的阵列；阵列的高电平端与电源连接，阵列的低电平端接地；一个待测电容电路包括串联的待测电容、可调节的限流装置、漏电流测试装置本装置提高了在不同电容漏电流测试的适用性，扩大了适用范围，可用于钽电解电容、铝电解电容的多路漏电流测试机上，也可用于陶瓷电容、薄膜电容及其它各种类型电容的多路漏电流测试机上。
一种电容漏电批量测试装置

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