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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]成像像素-CN201821758762.8有效
发明人： S·威利卡奥;C·西尔斯比 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种成像像素(100)，所述成像像素可设置有上衬底层(30)、下衬底层(32)、所述上衬底层中的浮动扩散区(52)、以及所述上衬底层中耦接到所述浮动扩散区的光电二极管(36)。所述互连层可将所述浮动扩散区直接耦接到所述源极跟随器晶体管。所述成像像素可包括所述上衬底层中的重置晶体管(54)。
成像像素上衬衬底层浮动扩散区互连层源极跟随器晶体管转移晶体管金属层本实用新型光电二极管重置晶体管

[实用新型]像素单元、图像传感器及电子设备-CN201921867779.1有效
发明人：张盛鑫;徐辰;邵泽旭 -专利权人：思特威（上海）电子科技有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素单元、图像传感器及电子设备，其中像素单元包括：光电二极管、传输晶体管、浮动扩散点，复位晶体管、转换增益控制晶体管以及增益控制电容；其中浮动扩散点靠近传输晶体管设置并连接至传输晶体管；转换增益控制晶体管连接在浮动扩散点和复位晶体管之间
像素单元图像传感器电子设备

[实用新型]图像传感器-CN202020983161.8有效
发明人： P·马林格;F·拉兰尼;L·希莫尼 -专利权人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：图像传感器包括像素，每个像素包括：第一晶体管和第一开关，其串联连接在像素的第一节点与内部节点之间，第一节点被配置为接收第一电势，第一晶体管的栅极与像素的浮动扩散节点耦合；电容性元件，其第一端子连接到像素的浮动扩散节点该传感器还包括控制电路，该控制电路被配置为当每一次电压被存储在像素的组件中的一个组件中时，控制像素的浮动扩散节点与内部节点之间的电势差增加确定值。本公开的实施例能够减轻甚至消除像素中电压偏移。
图像传感器

[实用新型]一种像素结构及图像传感器-CN202122824110.8有效
发明人：许书洋;王强 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种像素结构以及图像传感器，像素结构包括：衬底、传输晶体管栅极、旁路晶体管栅极、辅助离子掺杂区、保护层、介质层以及浮动扩散区，其中，旁路晶体管栅极与传输晶体管栅极设于衬底的第一面并且相邻，辅助离子掺杂区设于传输晶体管栅极及旁路晶体管栅极之间的衬底中，保护层设于传输晶体管栅极和旁路晶体管栅极显露的表面及其周围的衬底的第一面上，介质层设于保护层上，且具有贯通的互连注入接触孔，浮动扩散区设于互连注入接触孔对应的衬底中区域，并且辅助离子掺杂区的外缘超出对应位置的浮动扩散区的外缘；从而解决了图像传感器在高温暗光条件下出现白色像素过多等问题。
一种像素结构图像传感器

[发明专利]具有宽的动态范围的光图像接收器件-CN200480003760.2有效
发明人：李道永 -专利权人：李道永
申请日： 2004-02-07 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：所述电容晶体管具有分别连接至电容节点和浮动扩散节点的第一和第二源/漏端，并且响应于预定的电容控制信号被选通。在所述CMOS光图像接收器件中，浮动扩散节点被激励至超过外部电源电压。由此，浮动扩散节点的电子势能在初始状态远大于光接收部分的最大电压。因此，该CMOS有源像元在光强较弱的区域具有相当高的灵敏度。此外，由于在光强较强的区域灵敏度会降低，因此其动态范围可以极大的增加。
具有动态范围图像接收器件

[其他]成像像素以及图像传感器-CN201690001087.7有效
发明人： S·威利卡奥;C·西尔斯比 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种成像像素以及图像传感器，所述成像像素可设置有上衬底层(30)、下衬底层(32)、所述上衬底层中的浮动扩散区(52)、以及所述上衬底层中耦接到所述浮动扩散区的光电二极管(36)。所述互连层可将所述浮动扩散区直接耦接到所述源极跟随器晶体管。所述成像像素可包括所述上衬底层中的重置晶体管(54)。
成像像素上衬衬底层浮动扩散区互连层源极跟随器晶体管图像传感器转移晶体管金属层本实用新型光电二极管重置晶体管

[发明专利]具有含多个沟道子区域的传输栅极的图像传感器-CN201010250961.X有效
发明人：野崎秀俊;代铁军 -专利权人：美商豪威科技股份有限公司
申请日： 2010-08-09 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及具有含多个沟道子区域的传输栅极的图像传感器，并公开了一种图像传感器像素，其包括光敏元件、浮动扩散区域及传输晶体管沟道区域。传输晶体管沟道区域布置于感光区域与浮动扩散区域之间。
具有含多个沟道区域传输栅极图像传感器

[发明专利]一种用于TOF图像传感器的复位噪声抑制方法-CN201910739398.3有效
发明人：徐江涛;林鹏;聂凯明;高志远;查万斌 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H04N5/363 文献下载
摘要：一种用于TOF图像传感器的复位噪声抑制方法，该方法基于双浮动扩散（Floating Diffusion,FD）结构，通过在像素内增加一个等效的复位管，在不显著增加像素面积和功耗的前提下，实现对像素内浮动扩散节点在复位过程中引入的复位噪声的抑制
一种用于 tof 图像传感器复位噪声抑制方法

[发明专利]具有电荷装仓的图像传感器-CN200480020150.3有效
发明人： R·M·圭达什 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2004-07-01 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H04N9/04 文献下载
摘要：一种图像传感器，包括：(a)排列成阵列的多个测光元件，以及元件的至少一部分具有与光接收元件配对的滤色器，它允许测光元件进行有选择的色彩接收；(b)多个浮动扩散，分别与多个光接收元件配对；以及(c)电气连接到所述浮动扩散中的两个或两个以上的输出结构
具有电荷图像传感器

[发明专利]一种N型IBC太阳电池的制作方法-CN201711368340.X在审
发明人：梁兴芳;柯雨馨;许新湖 -专利权人：阳光中科（福建）能源股份有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型IBC(Interdigitated back contact)太阳电池的制作方法，所述方法包括如下步骤首先硅片双面清洗；再背面硼扩散；扩散面掩膜(SiNx)等离子化学气相沉积；然后硅片正面单面制绒；正面硼扩散形成前浮动发射极；再硅片双面硼玻璃及掩膜去除；硅片前表面钝化及减反膜等离子化学沉积SiO2/SiNx；硅片背面硼扩散面激光图形化；激光图形化的部分磷扩散形成背表面场；接着硅片背面钝化膜沉积；本发明由扩硼的前浮动发射极取代传统扩磷的前表面场，减少光生载流子的行径距离，减少表面复合的机会，所以得到最高的短路电流，且方便金属化工艺及组件工艺的连接。
一种 ibc 太阳电池制作方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610152394.8无效
发明人：全寅均 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一扩散区在有源区的第一区中由第二导电型形成，其中，第一区不包括转移晶体管和复位晶体管之间的浮动扩散区和光电二极管区。第二扩散区以低于第二导电型第一扩散区浓度的浓度在浮动扩散区中由第二导电型形成。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]用于相位检测自动聚焦及图像感测光电二极管的图像传感器-CN202210554033.5在审
发明人：许程成;王睿;邓伟;杨春生;王雪晴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：第一及第二浮动扩散区经配置以分别从第一及第二光电二极管接收电荷。模/数转换器ADC经配置以分别同时从所述第一及第二浮动扩散区接收第一及第二位线信号。所述ADC接下来在电荷从所述第一光电二极管转移到所述第一浮动扩散区之后响应于所述第一及第二位线信号而产生相位检测自动聚焦PDAF读数的前半部。所述ADC接着在电荷从所述第二光电二极管转移到所述第二浮动扩散区之后响应于所述第一及第二位线信号而产生全图像读数。
用于相位检测自动聚焦图像测光二极管图像传感器

[发明专利]具有升压型光电二极管驱动的成像传感器-CN201810295837.1有效
发明人：真锅宗平;马渕圭司;后藤高行;陈刚 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：浮动扩散部安置于半导体中且经耦合以接收在非钉扎光电二极管中光生的电荷载流子。转移晶体管安置于半导体材料中且耦合于非钉扎光电二极管与浮动扩散部之间。转移晶体管适于经接通以将在非钉扎光电二极管中光生的电荷载流子转移到浮动扩散部。升压电容器安置于半导体材料的表面上方、接近于非钉扎光电二极管。在转移晶体管经接通以将在非钉扎光电二极管中光生的电荷载流子进一步驱动到浮动扩散部时，升压电容器经耦合以接收光电二极管升压信号。
钉扎光电二极管浮动扩散部半导体材料电荷载流子转移晶体管耦合成像传感器光电二极管升压电容器安置升压型驱动接通光生电荷载流子接收光电二极管图像传感器升压信号像素电路入射光申请案半导体响应

[发明专利]减少照明诱发的闪烁的图像传感器像素和成像系统-CN201710905557.3有效
发明人：毛杜立;特吕格弗·维拉森;约翰内斯·索尔胡斯维克;马渕圭司;陈刚;真锅宗平;戴森·H·戴;比尔·潘;奥拉伊·奥尔昆·赛莱克;林志强 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述转移栅极可将电荷选择性地转移到第一浮动扩散区，且当所述产生的电荷大于所述光电二极管电荷容量时，所述抗溢出栅极可将过量电荷选择性地转移到第二浮动扩散区。所述第一源极跟随器晶体管可通过栅极直接耦合到所述第一浮动扩散区，所述第一源极跟随器响应于第一行选择晶体管的启用选择性地输出第一信号到第一位线，且所述第二源极跟随器晶体管可电容耦合到所述第二浮动扩散区，所述第二源极跟随器响应于第二行选择晶体管的启用选择性地输出第二信号到第二位线
减少照明诱发闪烁图像传感器像素成像系统

[发明专利]一种图像传感器和图像信号的处理方法-CN202010473314.9在审
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：图像传感器包括：像素单元，该像素单元包括：光电转换装置，该光电转换装置用于将入射光转换为光生电子；至少两个调制装置，该调制装置用于传输所述光电转换装置中的所述光生电子；其中，该至少两个调制装置连接同一个浮动扩散区域，该浮动扩散区域用于处理该素单元中所述存储装置中存储的所述光生电子。该方法通过在像素电路中设置共享的光电转换区和共享的扩散电容，通过扩散电容的转换完成一个像素单元中对不同相位下产生的光生电子进行处理，最终得到不同相位下的积分电荷的差值，进而得到飞行时间。
一种图像传感器图像信号处理方法

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