“浮动扩散”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果236087个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]摄像装置-CN202211499738.8在审
发明人：滝沢正明;坂野頼人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种摄像装置，其包括光电转换元件；浮动扩散部，其连接至所述光电转换元件；转换效率切换晶体管，其连接至所述浮动扩散部；电容，其连接至所述转换效率切换晶体管；复位晶体管，其连接至所述转换效率切换晶体管；放大晶体管，其连接至所述浮动扩散部；以及选择晶体管，其连接至所述放大晶体管；其中，所述放大晶体管和所述选择晶体管沿第一方向设置，其中，所述复位晶体管和所述转换效率切换晶体管沿第二方向设置，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直
摄像装置

[发明专利]支持多种曝光模式的HDR图像传感器像素结构及成像系统-CN201810172280.2有效
发明人：张正民;莫要武;徐辰;任冠京;高哲;谢晓;邵泽旭;马伟剑;石文杰 -专利权人：思特威（上海）电子科技有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种支持多种曝光模式的HDR图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点；其光电二极管通过滚动曝光传输单元耦接至浮动扩散节点；同时，该光电二极管还通过全局曝光传输单元耦接至浮动扩散节点或者耦接至双转换增益控制单元与复位晶体管之间的节点。
支持多种曝光模式 hdr 图像传感器像素结构成像系统

[发明专利]具有固定电位输出晶体管的图像传感器-CN201310168391.3有效
发明人：真锅宗平;柳政澔 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述像素电路包括传送存储晶体管、电荷存储区域、输出晶体管及浮动扩散区。所述传送存储晶体管耦合在所述光敏区与所述电荷存储区域之间。所述输出晶体管具有耦合在所述电荷存储区域与所述浮动扩散区之间的沟道且具有连接到固定电压电位的栅极。所述传送存储晶体管引起所述图像电荷从所述光敏区传送到所述电荷存储区域以及从所述电荷存储区域传送到所述浮动扩散区。
具有固定电位输出晶体管图像传感器

[发明专利]CMOS图像传感器及其工作方法-CN201210362794.7有效
发明人：苗田乐;方娜;田犁;汪辉;陈杰 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H04N5/351 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器及其工作方法，所述图像传感器包括衬底以及在所述衬底上形成的光学传感区、浮动扩散区、转移晶体管、复位晶体管以及泄放晶体管，该图像传感器还具有一控制模块。此外，所述图像传感器的工作方法为所述控制模块通过比较参考电位Vref和浮动扩散区的电压值VFD，来判定所述浮动扩散区是否饱和，并根据饱和程度选择性地输出不同的电压值作为所述泄放晶体管的栅压，以控制该泄放晶体管的开关状态和打开程度
cmos 图像传感器及其工作方法

[发明专利]图像传感器单元-CN201910986798.4有效
发明人：黄晓橹;张盛鑫;魏代龙;金子贵昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器单元，包括基板；感光元件，所述感光元件形成于所述基板中并且响应于入射光生成电荷；浮动扩散区，所述浮动扩散区用于接收并存储来自所述感光元件的电荷；以及转移晶体管，所述转移晶体管被配置为能够将保留在所述感光元件中的电荷转移到所述浮动扩散区以在之后用于形成图像
图像传感器单元

[发明专利]像素存储电路、像素读出电路及其时序控制方法-CN202011228304.5有效
发明人：黄金德;王林;胡万景 -专利权人：锐芯微电子股份有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04N25/78 文献下载
摘要：一种像素存储电路、像素读出电路及其时序控制方法，像素存储电路包括：光电二极管，其一端接地；传输开关管，其栅极接入传输控制信号，其源极耦接所述光电二极管的另一端；浮动扩散节点，其第一输入端耦接所述传输开关管的漏极；复位开关管，其栅极接入复位控制信号，其漏极接入电源电压，其源极耦接所述浮动扩散节点的第二输入端；像素信号存储模块，其输入端耦接所述浮动扩散节点的输出端，用以存储像素信号；复位信号存储模块，其输入端耦接所述像素信号存储模块的输出端
像素存储电路读出及其时序控制方法

[实用新型]固态成像设备和成像系统-CN201720992373.0有效
发明人： R·莫里兹森 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：所述固态成像设备包括：第一像素和第二像素，其中每个像素包括光敏元件；以及复位晶体管，其包括：具有外周边的第一栅极区；第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，其中掺杂区与第一栅极区的外周边相邻；其中第一掺杂区和第二掺杂区包括浮动扩散有效区；并且其中第一像素耦合至第一浮动扩散有效区并且第二像素耦合至第二浮动扩散有效区。
掺杂区固态成像设备成像系统本实用新型浮动扩散有效区像素像素耦合外周边栅极区复位晶体管改进光敏元件技术效果

[实用新型]像素电路及CMOS图像传感器-CN202122717370.5有效
发明人：刘洲宏;侯金剑 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本实用新型提供一像素电路，包括：复位模块、增益控制模块、感光控制模块及读取模块；读取模块包括高增益读取单元及低增益读取单元，均连接至浮动扩散点，高增益读取单元用于读取高增益传输模式下浮动扩散点的电压信号并输出，低增益读取单元用于读取低增益传输模式下浮动扩散点的电压信号并输出；高增益读取单元包括第一电容，低增益读取单元包括第二电容，第一电容用于获取高增益传输模式下的图像信号与复位信号的电压差，第二电容用于获取低增益传输模式下的图像信号与复位信号的电压差
像素电路 cmos 图像传感器

[发明专利]具有扩展动态范围的成像阵列-CN201780084532.X在审
发明人： H·T·杜;R·D·麦克格雷斯 -专利权人： BAE系统成像解决方案有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H04N5/359 文献下载
摘要：成像阵列包括连接到位线的多个像素传感器，每个像素传感器包括光电检测器，该光电检测器包括光电二极管、浮动扩散节点、和连接到浮动扩散节点的缓冲器，缓冲器产生具有电压的像素输出信号，该电压是浮动扩散节点上的电压的单调函数
溢流像素传感器电容器浮动扩散节点光电二极管成像阵列缓冲器光电检测器传输栅极电荷像素输出信号单调函数光电荷改进

[发明专利]像素结构及制备方法、图像传感器、电子设备-CN202210334857.1在审
发明人：郭同辉;石文杰;邵泽旭 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构及制备方法、图像传感器、电子设备，像素结构包括半导体衬底、光电转换区、浮动扩散区、第一传输控制门及第二传输控制门。本发明的像素结构设计中形成有两个传输控制门，即第一传输控制门和第二传输控制门，可以基于在两个传输控制门上施加电压对器件的开启关断以及传输控制门与其他部分(如浮动扩散区)之间的电场进行灵活调控，以满足器件的实际需求当传输控制门电极与浮动扩散区之间形成有电场时，可以基于两个传输控制门对上述电场进行调制。当电荷传输晶体管的栅极与漂浮扩散有源区之间构成高电势差时，可以通过第二传输控制门减小高电势差，从而减小栅极诱导漏电，改善图像白点坏像素的问题，提高CIS的图像质量。
像素结构制备方法图像传感器电子设备

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610163597.7无效
发明人：全寅均 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2006-10-13 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了CMOS图像传感器及其制造方法，该传感器能够通过增加浮动扩散区的结电容改善图像传感器的性能。CMOS图像传感器具有一个光电二极管，和转移、复位、驱动和选择晶体管，CMOS图像传感器包括第一导电型半导体衬底，在其上限定了一个包括光电二极管区、浮动扩散区和电压输入/输出区的有源区，通过在插入栅极绝缘层在半导体衬底的有源区上形成每个晶体管的栅电极，在对应于电压输入/输出区的半导体衬底的表面上形成第一导电型第一阱区，在对应于浮动扩散区的半导体衬底的表面上形成第一导电型第二阱区，在每个栅电极两侧的半导体衬底的表面上形成的第二导电型扩散区。
cmos 图像传感器及其制造方法

[实用新型]像素结构、图像传感器、电子设备-CN202220813744.5有效
发明人：郭同辉;石文杰;邵泽旭 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种像素结构、图像传感器、电子设备，像素结构包括半导体衬底、光电转换区、浮动扩散区、第一传输控制门及第二传输控制门。本实用新型的像素结构设计中形成有两个传输控制门，即第一传输控制门和第二传输控制门，可以基于在两个传输控制门上施加电压对器件的开启关断以及传输控制门与其他部分(如浮动扩散区)之间的电场进行灵活调控，以满足器件的实际需求当传输控制门电极与浮动扩散区之间形成有电场时，可以基于两个传输控制门对上述电场进行调制。当电荷传输晶体管的栅极与漂浮扩散有源区之间构成高电势差时，可以通过第二传输控制门减小高电势差，从而减小栅极诱导漏电，改善图像白点坏像素的问题，提高CIS的图像质量。
像素结构图像传感器电子设备

[发明专利]用于抑制CMOS图像传感器中的浮动扩散结泄漏的隔离结构-CN202110761809.6有效
发明人：文成烈 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及一种用于抑制CMOS图像传感器中的浮动扩散结泄漏的隔离结构。提供一种像素阵列，其解决像素单元的浮动扩散区处或附近的泄漏电流。实例实施例还包含在像素晶体管区下面延伸以使所述像素晶体管区的P阱区“浮动”的深(N)掺杂阱。
用于抑制 cmos 图像传感器中的浮动扩散泄漏隔离结构

[发明专利]逻辑单元放置的方法、电子设备和计算机可读存储介质-CN201780036875.9有效
发明人： B·J·鲍尔斯;A·小科雷亚莱;T·德拉·罗瓦 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/00 文献下载
摘要：系统和方法涉及用于改进晶体管的扩散长度的单元放置方法。举例来说，在晶体管等级布局中识别具有由第一扩散切口限界的第一扩散节点的第一晶体管。用第一浮动栅极来代替所述第一扩散切口，且添加具有第一填充剂扩散区的第一填充剂单元来延伸所述第一扩散节点的扩散长度。增加所述扩散长度引起改进所述第一晶体管的驱动强度和性能。
逻辑单元放置方法电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]摄像装置-CN201980070803.5在审
发明人：山下浩史 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：摄像装置包括第一部分，所述第一部分包括：第一半导体基板；至少一个第一光电转换区；第一浮动扩散部；第一接合部；第一配线，其电连接在所述第一浮动扩散部与所述第一接合部之间；至少一个第二光电转换区；第二浮动扩散部，其连接到所述至少一个第二光电转换区；第二接合部；第二配线，其电连接在所述第二浮动扩散部与所述第二接合部之间；第一区域，其连接到用于接收基准电压的节点；和第三配线，其在所述第一配线和所述第二配线之间的位置处连接到所述第一区域
摄像装置