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[发明专利]沟槽填充方法-CN201210553011.3有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种沟槽填充方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有沟槽；在所述沟槽内形成覆盖所述沟槽底部和侧壁的第一介质层；采用旋涂工艺，将前驱物填充满所述沟槽；真空烘烤并驱除反应副产物，在沟槽内的第一介质层表面形成非晶硅层，所述非晶硅层填充满所述沟槽，与未反应之前的前驱物相比，所述非晶硅层的体积发生变化；将所述非晶硅层氧化，形成氧化硅层，所述氧化硅层对沟槽两侧的有源区产生应力作用。
沟槽填充方法

[发明专利]沟槽填充方法-CN201410138990.5无效
发明人：朱亚丹;周军;曾真 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明在现有的沟槽填充方法的基础上，于沟槽填充完成后对衬底表面进行研磨直至露出孔隙，再对细小的孔隙进行扩大，然后进行第二次填充。并且重复孔隙扩大和第二次填充步骤直至填充层中无缝隙出现。本方法解决了现有技术中无法对细小沟槽进行无缝隙填充的问题。
沟槽填充方法

[发明专利]沟槽填充方法及浅沟槽隔离结构制作方法-CN200810202836.4无效
发明人：胡亚威;刘明源 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种沟槽填充方法及浅沟槽隔离结构制作方法。所述沟槽填充方法包括：使用高密度等离子体化学气相沉积对沟槽进行填充，控制形成填充物的反应气体的气体流量，使得沟槽底部填充物的沉积量大于沟槽侧壁的填充物的沉积量。所述沟槽填充方法及浅沟槽隔离结构制作方法减少了对沟槽填充时空洞出现的概率，改善了沟槽填充的质量。
沟槽填充方法隔离结构制作方法

[发明专利]浅沟槽填充方法-CN200910054980.2有效
发明人：郭世璧;洪学鹍;荆学珍;程永亮;符云飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-16 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽填充方法，包括：提供衬底；所述衬底内形成有沟槽；所述沟槽侧壁形成有侧壁氧化层；用SiO2以递进速率填充所述沟槽，直至填充所述沟槽的第一宽度；对所述沟槽进行抽真空处理；用SiO2以第二填充速率填充所述沟槽本发明不但能够有效的填充沟槽，避免出现空隙现象或者出现隙缝现象，而且兼顾了填充效率和填充效果。
沟槽填充方法

[发明专利]提高深沟槽填充能力的方法-CN201810947062.1在审
发明人：姚亮;王飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高深沟槽填充能力的方法，步骤1、在已经形成的深沟槽内进行填充；步骤2、当填充到所述深沟槽填充满所需时间的一半时，先停止填充；步骤3、在所述深沟槽表面进行垂直注入；步骤4、对注入过的填充物质表面进行刻蚀，增大所述深沟槽开口角度；步骤5、在经过重新加工的开口的所述深沟槽内继续填充工艺步骤，完成沟槽填充。本发明能够实现深沟槽填充的完整性。
深沟槽填充开口填充物质表面工艺步骤沟槽填充刻蚀垂直加工

[发明专利]深沟槽外延填充方法-CN201810109007.5在审
发明人：伍洲 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽外延填充方法，在对深沟槽进行外延填充时，首先进行第一次外延填充，填充至深沟槽口沿处，未将沟槽填充满；然后进行化学机械研磨，将晶圆表面磨平，再对沟槽内的外延进行刻蚀，最后再进行第二次外延填充直至沟槽内外延填满本发明所述的深沟槽外延填充方法，针对深沟槽将外延填充分为两步，先进行第一步填充，完成后刻蚀掉有缺陷的上层部分，然后再进行第二步的外延填充，在进行第二步外延填充时相当于改善了沟槽的深宽比，外延填充更易达到较好的效果，消除了填充缺陷，改善了器件性能。
填充深沟槽刻蚀化学机械研磨晶圆表面器件性能深宽比口沿磨平填满上层

[发明专利]一种提高浅沟槽填充能力的STI结构及其填充方法-CN202111497542.0在审
发明人：王妍;宋欢欢 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种提高STI浅沟槽填充能力的方法，包括：STI浅沟槽完成第一次填充物沉积后，去除部分所述第一次填充物，使所述第一次填充物内部的空洞外露；完成STI浅沟槽第二次填充物的沉积。在提高STI浅沟槽填充能力的方法中，通过两次进行STI的沟槽填充，在两次STI沟槽填充的步骤间，通过化学机械研磨使第一次STI沟槽填充完之后填充物内部出现的空洞外露，以使第二次STI沟槽填充后，确保STI填充物中不会出现空洞。
一种提高沟槽填充能力 sti 结构及其方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN202310324124.4在审
发明人：田守卫;孙洪福;李正阶;崔永鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供衬底；刻蚀衬底，以形成沟槽；使用第一道填充工艺，向沟槽内填充氧化物，直到填充的深度为沟槽的二分之一时停止填充；使用第二道填充工艺，向剩余的沟槽内填充氧化物，其中，第一道填充工艺的射频源功率大于第二道填充工艺的射频源功率，第一道填充工艺的偏压功率小于第二道填充工艺的偏压功率，第二道填充工艺中引入氩气。使用两道结合的沟槽填充工艺，可提高浅沟槽的填充性能，在形成浅沟槽隔离结构后，提高了产品的良率和稳定性。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]通过回流填充材料进行沟槽填充-CN202011190662.1在审
发明人：陈文彦;王立廷;谢宛蓁;卢柏全;黄泰钧;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及回流填充材料进行沟槽填充。一种方法，包括在基底结构上方形成第一突出鳍和第二突出鳍，其中，沟槽位于第一突出鳍和第二突出鳍之间，沉积延伸到沟槽中的沟槽填充材料，以及对沟槽填充材料执行激光器回流工艺。在回流工艺中，沟槽填充材料的温度高于沟槽填充材料的第一熔点，并且低于第一突出鳍和第二突出鳍的第二熔点。在激光器回流工艺之后，沟槽填充材料被凝固。该方法还包括对沟槽填充材料进行图案化，其中，沟槽填充材料的剩余部分形成栅极堆叠件的部分，以及在栅极堆叠件的一侧上形成源极/漏极区域。
通过回流填充材料进行沟槽

[发明专利]碳化硅超结功率半导体及制造碳化硅超结功率半导体方法-CN202210802851.2在审
发明人：孔国艳 -专利权人：孔国艳
申请日： 2022-07-09 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体为碳化硅超结功率半导体及制造碳化硅超结功率半导体方法，其中的碳化硅超结功率半导体包括有n+型层，在n+型层上形成n‑型层,n‑型层顶部交替形成若干主沟槽，主沟槽包括上沟槽填充层与下沟槽填充层，所述的下沟槽填充层与上沟槽填充层均为P型填充物，所述的下沟槽填充层与上沟槽填充层的填充物掺杂类型相同但浓度不同，所述的下沟槽填充层外侧为下扩展层，所述的上沟槽填充层外侧为上扩展层，所述主沟槽之间形成P
碳化硅功率半导体制造方法

[实用新型]一种隧道仰拱填充沟槽移动模具-CN201620310239.3有效
发明人：梁旋;王国炜;罗久旭;杨寒;向勇;沈廷忠;唐志林;易锋;郑信章;王新春;徐成华;杨小刚;周莉 -专利权人：中铁二局集团有限公司;中铁二局第一工程有限公司
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： E21D11/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及隧道施工领域，具体涉及一种隧道仰拱填充沟槽移动模具，包括若干支架连接而成的模架、填充沟槽模型、行走装置、升降装置和固定装置，填充沟槽模型、行走装置、升降装置和固定装置均连接在模架上，各装置配合使用让填充沟槽模型在填充部处成型匹配出填充沟槽，浇筑混凝土使填充沟槽成型。运用本实用新型所述的一种隧道仰拱填充沟槽移动模具，能够快速的完成隧道仰拱填充沟槽的施工，所完成的仰拱填充沟槽施工质量高且不会对既有混凝土结构造成损伤，结构设计简单且操作简便，便于推广，节约施工成本和施工时间
一种隧道填充沟槽移动模具

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201110337812.1有效
发明人：刘继全;肖胜安;季伟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，其采用化学气相沉积法填充衬底外延层中的沟槽。执行第一填充步骤，使用至少包括硅源和卤化物的混合气体填充所述沟槽，以形成半导体层，至少在所述沟槽填充的最后一个填充步骤中使用硅源气体而不使用卤化物气体填充沟槽，直到沟槽被完全填满。该方法既保证了沟槽的填充质量，又缩短了整个沟槽的填充时间，从而提高了具有沟槽结构尤其是具有深沟槽结构的半导体器件的生产效率，降低该半导体器件的生产成本。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种超深沟槽的填充方法-CN202310797796.7在审
发明人：李琳;谈娟;陈天;张祥;李宗旭;王黎;梁金娥;赵正元;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种超深沟槽的填充方法，包括提供衬底，在衬底中形成超深沟槽，该超深沟槽包括垂直沟槽和位于垂直沟槽上方的浅沟槽；采用热氧化工艺对超深沟槽进行氧化处理；采用HARP SACVD工艺对超深沟槽进行薄膜淀积填充，在超深沟槽中形成高度不超过浅沟槽的空气间隙；采用HDP工艺淀积填充超深沟槽直至填充完成；将超深沟槽进行平坦化处理。本发明利用HARPSACVD工艺与HDP工艺结合的方法进行超深沟槽的填充，在保证侧壁厚度的同时在超深沟槽中形成高度较低于浅沟槽的空气间隙，提高了器件隔离电压，实现了对超深沟槽的良好填充及电压隔离。
一种深沟填充方法

[发明专利]用于填充沟槽的方法和半导体器件-CN201610534209.5在审
发明人： M.巴特尔斯;M.莱姆克;S.特根;R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及用于填充沟槽的方法和半导体器件。公开了一种方法，包括在两个半导体鳍之间的半导体主体中形成第一沟槽；用第一填充材料填充第一沟槽；通过形成第二沟槽部分地去除第一填充材料，使得第二沟槽具有比第一沟槽低的深宽比；以及用第二填充材料填充第二沟槽，从而形成第一填充材料上的连续材料层。
用于填充沟槽方法半导体器件

[发明专利]浅沟槽隔离结构中的沟槽填充方法-CN202310067188.0在审
发明人：谈娟;李琳;唐阿鑫;李宗旭;梁金娥;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构中的沟槽填充方法，包括：提供一半导体结构，包括形成有衬底沟槽的衬底且衬底沟槽将衬底划分为各有源区，及形成于有源区的占位层，各占位层之间的间隙与其下方的衬底沟槽共同作为浅沟槽隔离结构的沟槽，占位层与衬底形成台阶结构；利用第一高深宽比填沟工艺于半导体结构的表面形成填充层，填充层填满衬底沟槽并延伸至台阶结构的上方，并于沟槽的顶端形成大小为33nm～47nm的开口；通过SiCoNi刻蚀工艺刻蚀填充层直至开口的大小为占位层的周期的42％～58％以形成填充沟槽；利用第二高深宽比填沟工艺填充所述填充沟槽。通过本发明解决了现有的高台阶比浅沟槽隔离结构中沟槽的填充存在空洞的问题。
沟槽隔离结构中的填充方法

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