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[发明专利]一种高性能的光电探测器及其制备方法-CN202110517706.5有效
发明人：彭明发;刘玉申;洪学鹍;马玉龙;张磊;况亚伟 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种高性能的光电探测器制备方法，在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片，利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极，然后旋涂CsPbBr3纳米晶体，退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性，同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合，改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力，从而提高光电探测器的性能。
一种性能光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种单分散空心结构蓝色ZrO2-CN202210481690.1在审
发明人：姚霞喜;洪学鹍;胡福荣;胡秀丽;王旭红;陈锋;黄旭峰 -专利权人：华东理工常熟研究院有限公司;常熟理工学院
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C01G25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单分散空心结构蓝色ZrO2材料及制备方法，该材料在自然光下呈蓝色，形貌为空心球结构，内部直径为240‑280nm，壳层厚度为20‑15nm，其尺寸分布均一，呈单分散性，壳层上分布无定形碳。以正硅酸四乙酯为前驱体，氨水为催化剂合成SiO2球模板，进而在SiO2模板球外表面包覆ZrO2壳层，通过模板部分刻蚀形成颗粒生长空间、惰性气氛中高温处理以及氢氧化钠溶液刻蚀完全移除SiO2模板得蓝色ZrO2材料。本发明使用的方法操作过程简单，原料易得，可大范围合成，并且该空心结构的米氏散射共振不受观察角度的影响，呈现明亮的蓝色，稳定性优异，有望用于结构色器件的显示。
一种分散空心结构蓝色 zro base sub

[发明专利]一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法-CN202011090280.1有效
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;洪学鹍;魏青竹;倪志春;王书昶;郝明辉;张德宝 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率，且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
一种具备微结构三层氮化硅减反层及其制备方法

[发明专利]一种VNxOy/V2-CN202111210789.X在审
发明人：刘玉申;钱洪强;邵振广;刘心如;沈亮;洪学鹍;况亚伟;张树德 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种VNxOy/V2O3纳米颗粒与PEDOT：PSS有机无机热电复合薄膜的方法，借助熔盐法以三聚氰胺与五氧化二钒为前驱体制备出VNxOy/V2O3纳米颗粒，将VNxOy/V2O3纳米颗粒粉末与PEDOT：PSS混合，制备出热电性能极佳的有机无机热电纳米复合薄膜，电导率达到了8278.4S/cm，105摄氏度时塞贝克系数达到了48.8μV/K，功率因子达到了1995.7μWm‑1K‑2。
一种 vnxoy base sub

[发明专利]一种PEDOT:PSS/VN0.52-CN202111210818.2在审
发明人：刘玉申;钱洪强;邵振广;刘心如;沈亮;洪学鹍;况亚伟;张树德 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开发明了一种VN0.52O0.26纳米颗粒与PEDOT：PSS相结合的热电纳米复合薄膜的方法，借助熔盐法将尿素热解产生氨气与NaVO3高温反应制备出VN0.52O0.26纳米颗粒，构建P型PEDOT：PSS与N型VN0.52O0.26纳米颗粒有机无机复合的pn结势垒，同时利用纳米颗粒与有机物PEDOT界面之间的能量过滤效应，提高热电复合膜的电导率、塞贝克系数和功率因子，制备出的有机无机热电纳米复合薄膜，90℃时塞贝克系数达到了62.75μV/K，功率因子达到了474.424μWm‑1K‑2。
一种 pedot pss vn base sub 0.52

[发明专利]一种车缝标准工时分析系统-CN202110980301.5在审
发明人：颜吉强;李伟鸿;蔡翠翠;洪学鹍 -专利权人：丰捷（苏州）云科技有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种车缝标准工时分析系统，包括：基础资料模块、标准库模块、款式资料模块、款式分科模块、线量计算模块和快速报价模块，所述标准库模块与基础资料模块进行通讯，所述款式资料模块与基础资料模块进行通讯；所述款式分科模块分别与款式资料模块及标准库模块进行通讯，包括车缝分科、裁剪分科、后道分科和特殊工艺分科；所述线量计算模块与款式分科模块进行通讯，款式分科模块推送工序数据到线量计算模块；所述快速报价模块与标准库模块或者款式分科模块进行通讯，进行成本的计算。通过上述方式，本发明所述的车缝标准工时分析系统，减少了系统操作录入时间，有利于进行工时的准确计算和快速报价，提升了工作效率。
一种标准工时分析系统

[发明专利]一种用于大数乘法的数论变换电路-CN202010012148.2有效
发明人：华斯亮;张猛蛟;徐健;卞九辉;张静亚;洪学鹍;张惠国;刘玉申 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G06F7/523 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于大数乘法的数论变换电路，包括主控单元，接收变换前数据并存储入主存，向地址生成单元发送数论变换开始信号；主存，存储数论变换前\中\后的数据；基16运算单元，实现16点的数论变换并存入第一随机存储器；地址生成单元，生成取数地址，将取数地址作为存储地址发送给转置及旋转因子相乘单元，生成旋转因子只读存储器地址发送给旋转因子只读存储器；转置及旋转因子相乘单元，读取第一随机存储器中矩阵，完成矩阵的转置，以及矩阵和旋转因子的点乘并根据存储地址将结果存入主存；旋转因子只读存储器读取旋转因子发送给转置及旋转因子相乘单元。本发明实现786432bits数字乘法的数论变换，提高运算利用率，节省电路逻辑及存储资源。
一种用于大数乘法数论变换电路

[发明专利]一种单分散空心结构紫色Fe3-CN202010323750.8有效
发明人：姚霞喜;胡秀丽;崔莹莹;洪学鹍;王旭红 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C01G49/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种单分散空心结构紫色Fe3O4@SiO2材料及制备方法，该材料在自然光下呈紫色，形貌为空心球结构，内部直径为195‑215 nm，壳层厚度为20‑15 nm，其尺寸分布均一，呈单分散性；以聚苯乙烯球为模板，通过简易的水热反应、SiO2层包覆和高温处理即可得到单分散空心结构紫色Fe3O4@SiO2材料，SiO2包覆有效保护和分散了Fe3O4材料，避免热处理过程中Fe3O4层的破碎及Fe3O4空心球之间的粘连。本发明使用的方法操作过程简单，原料易得，可大范围合成，并且该空心结构的米氏散射共振不受观察角度的影响，呈现明亮的紫色，稳定性优异，有望用于结构色器件的显示。
一种分散空心结构紫色 fe base sub

[发明专利]一种宽光谱响应光电探测器及其制备方法-CN202110568736.9在审
发明人：彭明发;刘玉申;马玉龙;张磊;洪学鹍;丛姗 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种宽光谱响应光电探测器的制备方法，首先在硅基衬底制备二维层状MoS2纳米片，利用光刻/剥离技术沉积上一层金属电极，然后旋涂PbSe量子点，退火处理后得到PbSe量子点/二维层状MoS2纳米片异质结光电探测器。本发明通过利用室温下一步法直接合成的PbSe量子点与机械剥离法获得的二维层状MoS2材料之间的相互协同作用，拓宽二维MoS2纳米片的光谱响应范围并提升异质结界面处的载流子传输能力，从而提升光电探测器的性能。
一种光谱响应光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种具备微结构的硅基叠层太阳能电池及其制备方法-CN202010781222.7有效
发明人：况亚伟;张树德;郑豪;魏青竹;刘玉申;倪志春;洪学鹍;张德宝 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备微结构的硅基叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层，中间刻蚀制备纳米截头锥孔周期阵列结构并形成p型掺杂层，在纳米截头锥孔内壁制备Ag薄膜反射层，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极。本发明还公开了该电池的制备方法。本发明利用纳米截头锥孔周期阵列优异的光捕获能力，同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率，在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
一种具备微结构硅基叠层太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种单晶Ge-Sn-Te纳米线的制备方法-CN202011347874.6在审
发明人：张杰;刘玉申;杨希峰;洪学鹍;邵振广 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶Ge‑Sn‑Te纳米线的制备方法，将GeTe粉末预先加热处理，再和Sn粉末混合作为反应源，将上述反应源置于化学气相沉积设备的反应区内；其后，将所述反应区温度提升至第一设定温度，而将所述衬底温度维持于第二设定温度，按设定流速持续通入载气；反应结束后，继续通入载气，使化学气相沉积设备自然降温，获得单晶Ge‑Sn‑Te纳米线。本发明采用化学气相沉积法，利用预加热GeTe粉末手段，制备了组分可控的立方Ge‑Sn‑Te纳米线，将相变温度降低至300K以下，从而使立方GeTe基材料发挥优异的热电性能。
一种 ge sn te 纳米制备方法

[实用新型]一种硅基阵列叠层太阳能电池-CN202020169954.6有效
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;魏青竹;倪志春;洪学鹍;钱洪强 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基阵列叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底表面刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构四周设置SiO2绝缘层，在n型单晶硅衬底中间及纳米孔内壁制备p型掺杂层，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极，TiO2薄膜层层叠于SiO2绝缘层和p型掺杂层之上并填充嵌入纳米孔内。本实用新型通过利用硅孔阵列优异的光捕获能力，同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率，在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
一种阵列太阳能电池

[实用新型]一种硅基叠层太阳能电池-CN202020169955.0有效
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;魏青竹;倪志春;洪学鹍;钱洪强 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层，中间制备p型掺杂层，在p型掺杂层和n型单晶硅衬底的层叠区域刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构，n型单晶硅衬底的纳米孔内为空隙，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极。本实用新型利用周期纳米孔阵列优异的光吸收和电荷传输性能，提高了底电池长波光子的利用效率，在兼容硅基电池工艺的同时提高了叠层太阳能电池的光电转换效率。
一种硅基叠层太阳能电池

[发明专利]一种硅基阵列叠层太阳能电池及其制备方法-CN202010092857.6在审
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;魏青竹;倪志春;洪学鹍;钱洪强 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基阵列叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底表面刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构四周设置SiO2绝缘层，在n型单晶硅衬底中间及纳米孔内壁制备p型掺杂层，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极，TiO2薄膜层层叠于SiO2绝缘层和p型掺杂层之上并填充嵌入纳米孔内。本发明通过利用硅孔阵列优异的光捕获能力，同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率，在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
一种阵列太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种硅基叠层太阳能电池及其制备方法-CN202010092810.X在审
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;魏青竹;倪志春;洪学鹍;钱洪强 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层，中间制备p型掺杂层，在p型掺杂层和n型单晶硅衬底的层叠区域刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构，n型单晶硅衬底的纳米孔内为空隙，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极。本发明利用周期纳米孔阵列优异的光吸收和电荷传输性能，提高了底电池长波光子的利用效率，在兼容硅基电池工艺的同时提高了叠层太阳能电池的光电转换效率。
一种硅基叠层太阳能电池及其制备方法

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