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[发明专利]深宽比依赖性降低的选择性蚀刻的方法-CN201780062967.4在审
发明人：阿达什·巴萨瓦林加帕;王彭;巴斯卡·纳加布海拉瓦;迈克尔·葛斯;普拉帕格拉·卡帕拉达苏;伦道夫·科纳尔;斯蒂芬·施米茨;菲尔·弗里德尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供包括多个蚀刻循环的蚀刻工艺，其中每个蚀刻循环包括：提供沉积阶段和蚀刻阶段。所述沉积阶段包括：提供沉积阶段气体流，所述沉积阶段气体包含具有碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率，其使所述沉积阶段气体形成等离子体；以及停止所述沉积阶段。所述蚀刻阶段包括：提供蚀刻阶段气体流，所述蚀刻阶段气体包含具有比所述沉积阶段气体的所述碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率低的碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率；以及停止所述蚀刻阶段
沉积阶段蚀刻氢氟烃碳氟化合物含碳氟化合物选择性蚀刻含氧气体阶段气体蚀刻循环等离子体气体形成蚀刻工艺气体流深宽比蚀刻层掩模

[发明专利]沉积岩成岩阶段分析方法-CN201610152184.2在审
发明人：刘欢;金涛 -专利权人：成都创源油气技术开发有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本发明公开了沉积岩成岩阶段分析方法，利用井下取心与测井解释评价进行分析，利用处于不同成岩阶段的地层所应具有不同的地质特征，以判断沉积岩所处成岩阶段。本发明的目的在于提供沉积岩成岩阶段分析方法，以提供一种判断沉积岩所处成岩阶段的方法。
沉积岩阶段分析方法

[发明专利]沉积岩成岩阶段分析方法-CN201610684533.5在审
发明人：彭绍宾 -专利权人：彭绍宾
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： G01N33/24 文献下载
摘要：本发明公开了沉积岩成岩阶段分析方法，利用井下取心与测井解释评价进行分析，利用处于不同成岩阶段的地层所应具有不同的地质特征，以判断沉积岩所处成岩阶段。本发明的目的在于提供沉积岩成岩阶段分析方法，以提供一种判断沉积岩所处成岩阶段的方法。
沉积岩阶段分析方法

[发明专利]沉积岩成岩阶段分析方法-CN201610684594.1在审
发明人：郭强 -专利权人：郭强
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： G01N33/24 文献下载
摘要：本发明公开了沉积岩成岩阶段分析方法，利用井下取心与测井解释评价进行分析，利用处于不同成岩阶段的地层所应具有不同的地质特征，以判断沉积岩所处成岩阶段。本发明的目的在于提供沉积岩成岩阶段分析方法，以提供一种判断沉积岩所处成岩阶段的方法。
沉积岩阶段分析方法

[发明专利]有关有机掩模的用于选择性地蚀刻氧化硅的方法-CN201710941778.6有效
发明人：巴斯卡·纳加布海拉瓦;阿达什·巴萨瓦林加帕;王彭;波罗跋枷罗·卡帕拉达苏;迈克尔·葛斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：处理氧化硅层包括多个工艺循环，其中每个蚀刻循环包括沉积阶段和蚀刻阶段，沉积阶段包括提供包括具有一定氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体的沉积阶段气体的流，提供恒定的RF功率，其将沉积阶段气体形成等离子体，并停止沉积阶段，所述蚀刻阶段包括提供包括氟碳比高于所述沉积阶段气体的氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体的蚀刻阶段气体的流，提供脉冲RF功率，其将蚀刻阶段气体形成等离子体，并停止蚀刻阶段。
有关有机用于选择性蚀刻氧化方法

[发明专利]一种钙钛矿器件的制备方法-CN202211390196.0在审
发明人：毕恩兵;汪勇;巴前凯 -专利权人：宣城先进光伏技术有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿器件的制备方法，包括以下步骤：采用干法工艺沉积金属卤化物膜，干法工艺包括第一沉积阶段和第二沉积阶段，第一沉积阶段沉积得到第一子膜层，第二沉积阶段沉积得到位于第一子膜层表面的第二子膜层，第一沉积阶段的第一沉积速率大于第二沉积阶段的第二沉积速率，第一子膜层的厚度大于第二子膜层的厚度，第二子膜层的厚度为20nm‑50nm；采用湿法工艺在金属卤化物膜的表面形成有机液膜，有机液膜中含有甲眯基团或胺基团
一种钙钛矿器件制备方法

[发明专利]形成钝化保护层的方法、发光二极管及其制作方法-CN201810226577.2有效
发明人：杨智慧 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：形成钝化保护层的方法包括采用至少两个沉积阶段形成所述钝化保护层；各个沉积阶段形成具有预定厚度的钝化保护子层；多个所述钝化保护子层叠加形成所述钝化保护层；各沉积阶段的预定的工艺参数不同，且后续各个沉积阶段的沉积速率均大于第一沉积阶段的沉积速率此外，采用不同的预定工艺参数，分阶段形成钝化保护层，能够保证刻蚀工艺中刻蚀物质的腐蚀速率，避免等离子体损失和漏电现象发生。
形成钝化保护层方法发光二极管及其制作方法

[发明专利]刻蚀方法及半导体结构的形成方法-CN201610213588.8有效
发明人：胡敏达;郑二虎;张城龙;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：，所述形成方法包括：提供待刻蚀结构，所述待刻蚀结构内具有沟槽，所述沟槽内具有介质层；对所述沟槽内的介质层进行刻蚀，在刻蚀过程中，在所述待刻蚀结构侧壁表面形成聚合物，通过改变刻蚀温度使所述刻蚀过程包括：沉积阶段和去除阶段，在所述沉积阶段中，聚合物在待刻蚀结构表面的沉积速率大于聚合物刻蚀速率，在所述去除阶段中，聚合物在待刻蚀结构表面的沉积速率小于聚合物刻蚀速率。其中，通过改变温度使所刻蚀过程包括：沉积阶段和去除阶段，能够防止侧墙表面的聚合物过多而使刻蚀停止。
刻蚀方法半导体结构形成

[发明专利]一种利用测井资料分析沉积岩成岩阶段的方法-CN201610152170.0在审
发明人：金涛;刘欢;杨波 -专利权人：成都创源油气技术开发有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用测井资料分析沉积岩成岩阶段的方法，通过测井解释评价进行分析，利用处于不同成岩阶段的地层所应具有不同的地质特征，以实现判断沉积岩所处成岩阶段的目的。本发明的目的在于提供一种利用测井资料分析沉积岩成岩阶段的方法，以快速的利用测井资料判断出所测地层所处成岩阶段。
一种利用测井资料分析沉积岩阶段方法

[发明专利]一种利用测井资料分析沉积岩成岩阶段的方法-CN201610684449.3在审
发明人：彭绍宾 -专利权人：彭绍宾
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用测井资料分析沉积岩成岩阶段的方法，通过测井解释评价进行分析，利用处于不同成岩阶段的地层所应具有不同的地质特征，以实现判断沉积岩所处成岩阶段的目的。本发明的目的在于提供一种利用测井资料分析沉积岩成岩阶段的方法，以快速的利用测井资料判断出所测地层所处成岩阶段。
一种利用测井资料分析沉积岩阶段方法

[发明专利]一种利用测井资料分析沉积岩成岩阶段的方法-CN201610684577.8在审
发明人：郭强 -专利权人：郭强
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用测井资料分析沉积岩成岩阶段的方法，通过测井解释评价进行分析，利用处于不同成岩阶段的地层所应具有不同的地质特征，以实现判断沉积岩所处成岩阶段的目的。本发明的目的在于提供一种利用测井资料分析沉积岩成岩阶段的方法，以快速的利用测井资料判断出所测地层所处成岩阶段。
一种利用测井资料分析沉积岩阶段方法

[发明专利]一种动态力学特性的测量方法及装置-CN201810070956.7有效
发明人：孙芳芳;张旭辉;鲁晓兵 -专利权人：中国科学院力学研究所
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种动态力学特性的测量方法及装置，所述方法包括：四个阶段，阶段一，非饱和含水合物沉积物样品制备，并进行核磁共振测量；阶段二，非饱和含水合物沉积物样品制备，再进行静态三轴加载，并核磁共振测试；阶段三，非饱和含水合物沉积物样品制备，再进行动态三轴加载，并核磁共振测试；阶段四，非饱和含水合物沉积物样品制备，先进行动态三轴加载，再进行静态三轴加载，并核磁共振测试四个阶段，获取含天然气水合物沉积物在动载荷作用下的宏观动态响应
一种动态力学特性测量方法装置

[发明专利]用于硅蚀刻的无机快速交变处理-CN201180013792.0有效
发明人：朝生强;卡梅利娅·鲁苏 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：通过所述掩膜蚀刻硅衬底，其包含多个循环，其中每个循环包含侧壁沉积阶段和蚀刻阶段。该侧壁沉积阶段包括：向该等离子体处理室中提供包括含硅化合物气体以及氧气、氮气或者NOx中的至少一种的侧壁沉积阶段气体流；在该等离子体处理室中由该侧壁沉积阶段气体形成等离子体；以及停止向该等离子体处理室提供该侧壁沉积气体流该蚀刻阶段包括：提供包含卤素成分的蚀刻气体流；在该等离子体处理室由该蚀刻气体形成等离子体；以及停止提供蚀刻气体流。
用于蚀刻无机快速处理

[发明专利]填充方法-CN201811445042.0在审
发明人：丁安邦;陈鹏;傅新宇;荣延栋 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种填充方法，包括以下步骤：沉积阶段，在待加工孔的整个内壁上沉积基层；第一钝化阶段，沉积第一钝化层，第一钝化层覆盖基层表面的位于待加工孔的第一预设深度以上的第一区域；填充阶段，向待加工孔中填充预设厚度的主体材料，预设厚度小于待加工孔的深度；刻蚀阶段，对在填充阶段沉积在待加工孔中的预设厚度上方的主体材料进行刻蚀；循环填充阶段和刻蚀阶段至少一次，且在主体材料完全填充待加工孔时停止循环。
填充方法

[发明专利]用于覆盖高纵横比特征结构的氮化硅钝化层-CN201180014065.6无效
发明人： N·拉贾戈帕兰;X·韩;R·雅玛西;朴智爱;S·帕特尔;T·诺瓦克;Z·崔;M·奈克;H·L·朴;R·丁;金秉宪 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：在沉积方法的第一阶段中，将包括含硅气体与含氮气体的电介质沉积气体导入处理区中并经供给能量以沉积氮化硅层。在第二阶段中，将组成不同于电介质沉积气体的处理气体导入处理区并经供给能量以处理氮化硅层。可对第一阶段与第二阶段执行多次。
用于覆盖纵横特征结构氮化钝化

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