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[发明专利]一种即时的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性检测方法-CN201210162915.3在审
发明人：张孟;张凌越;王慧 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种即时的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性检测方法，在晶圆上完成氧化物氮化物氧化物薄膜的生长工艺后即进行本检测方法；该方法包含：1、从晶圆加工腔中取出分别位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆；2、分别对位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆上生长的氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度进行分析；3、通过氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度的分析结果，判断氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性。本发明在晶圆上生长氧化物氮化物氧化物薄膜后，即时对控制晶圆上氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度进行分析，即时检测氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性，使氧化物氮化物氧化物薄膜可靠性的检测工艺更快捷和方便。
一种即时氧化物氮化物薄膜可靠性检测方法

[发明专利]氮化物半导体的生长方法、半导体器件及其制造方法-CN99124388.9有效
发明人：日野智公;浅野竹春;朝妻庸纪;喜嶋悟;船户健次;富谷茂隆 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 1999-11-26 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长III-V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO₂，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。
氮化物半导体生长方法半导体器件及其制造

[发明专利]半导体器件制造方法-CN03127864.7有效
发明人：日野智公;浅野竹春;朝妻庸纪;喜嶋悟;船户健次;富谷茂隆 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 1999-11-26 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长III－V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO₂，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种覆膜氮化物陶瓷复合粉体及其制备方法、氮化物陶瓷部件及其制备方法-CN201910816651.0在审
发明人：伍尚华;聂光临;黎业华;盛鹏飞 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C04B35/628 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种覆膜氮化物陶瓷复合粉体及其制备方法、氮化物陶瓷部件及其制备方法。本发明提供了一种覆膜氮化物陶瓷复合粉体，包括氮化物陶瓷粉体以及稀土金属氧化物和/或碱土金属氧化物；稀土金属氧化物和/或碱土金属氧化物包覆于氮化物陶瓷粉体表面，形成核壳结构。本发明中，稀土金属氧化物和/或碱土金属氧化物包覆于氮化物陶瓷粉体表面形成核壳结构，采用本发明覆膜氮化物陶瓷复合粉体进行氮化物陶瓷的制备，包覆物能够作为烧结助剂，在氮化物陶瓷基体上均匀分散，可改善氮化物陶瓷微观结构均匀性，继而可有效提升氮化物陶瓷的力学与热学性能，解决采用3D打印制得的氮化物陶瓷导热性能差和打印精度低的问题。
氮化物陶瓷制备复合粉体覆膜碱土金属氧化物稀土金属氧化物包覆导热性能粉体表面核壳结构热学性能烧结助剂陶瓷材料微观结构包覆物均匀性壳结构成核粉体面形力学打印印制

[发明专利]一种形成浅沟槽隔离的方法-CN200910209453.4无效
发明人：游家杰;王向春;蔡政泽;张进刚 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成浅沟槽隔离的方法，包括：步骤1、提供一基底，在所述基底上依次形成垫氧化物层和氮化物层；步骤2、对所述基底进行微影及蚀刻形成浅沟槽，在所述浅沟槽的底部和侧壁形成内衬氧化物层，并在所述内衬氧化物上形成内衬氮化物层；步骤3、氧化物填充所述浅沟槽后进行化学机械研磨，使填充的氧化物与氮化物层在同一平面；步骤4、蚀刻氮化物层和氧化物，并且氮化物和氧化物损失的比例为大于1∶1并至3∶1；步骤5、去除剩余的氮化物层。本发明能有效降低在使用磷酸进行湿蚀刻去除氮化物层时浅沟槽内形成的内衬氮化物层顶部的损失，从而使浅沟槽的隔离效果更加明显。
一种形成沟槽隔离方法

[发明专利]浅沟槽隔离区的制作方法-CN200910201052.4有效
发明人：任红茹 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了浅沟槽隔离区的制作方法，在晶圆衬底上依次形成氧化物和氮化物，刻蚀氮化物、氧化物和衬底形成浅沟槽，在浅沟槽内和氮化物表面淀积氧化物；之后，该方法还包括：去除氮化物表面的氧化物；测量氮化物高度SH1；去除浅沟槽内指定高度的氧化物；去除氮化物；测量浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2；根据SH2去除浅沟槽内和浅沟槽外的氧化物。本发明方案能够缩小制作完成浅沟槽隔离区之后得到的浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外硅表面之间的高度差的变化范围。
沟槽隔离制作方法

[发明专利]涂覆体和用于涂覆的方法-CN202110268268.3在审
发明人： D.班纳吉;C.查尔顿;J.科尔谢恩 -专利权人：肯纳金属公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：公开了涂覆体和用于涂覆的方法。涂覆体具有基体和通过物理气相沉积施加到基体的涂层。涂层包括邻近基体的主层和邻近主层的多层。主层包含至少Al和Ti的氮化物。多层包括氧化物或氧氮化物层与氮化物层的交替层。氧化物或氧氮化物层包含Zr、Hf和Cr中的至少之一的氧化物或氧氮化物。氮化物层包含Zr、Hf和Cr中的至少之一的氮化物。金属间层在主层与多层之间，或者在多层的氧化物或氧氮化物层与氮化物层之间。
涂覆体用于方法

[发明专利]氮化物结合氧化物双涂层的制备方法及涂层刀具-CN202211119159.6在审
发明人：许雨翔;耿东森;王启民;彭滨;范江滔 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物结合氧化物双涂层的制备方法及涂层刀具，涂层刀具包括基体、氮化物涂层和氧化物涂层，氮化物涂层设置在基体上，氮化物涂层表面经过离子轰击处理，氧化物涂层设置在氮化物涂层上。制备方法包括如下流程：将基体装载至反应腔中；反应腔抽真空，加热，对基体进行离子清洗；利用物理气相沉积技术在基体上沉积氮化物涂层；对氮化物涂层进行离子轰击；利用物理气相沉积技术在氮化物涂层上沉积氧化物涂层在基体上沉积氮化物涂层后，利用离子轰击的方式处理氮化物涂层的表面，增加氮化物涂层表面的粗糙度，以便增加之后所沉积的氧化物涂层的结合强度，从而提高涂层刀具的耐磨性和切削寿命。
氮化物结合氧化物涂层制备方法刀具

[发明专利]制造带有锥形平顶侧壁膜的半导体设备的方法-CN03154373.1无效
发明人：佐藤好弘 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2003-08-20 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体设备的方法，其依次包括以下几个步骤：在底层绝缘膜上依次淀积金属、氮化物和氧化物膜，对氮化物膜和氧化物膜进行构图，使氧化物膜的构图区域小于氮化物膜的构图区域，利用所述氮化物膜和氧化物膜作为掩模对所述金属膜进行构图，在氮化物膜、氧化物膜和金属膜上形成具有锥形平顶结构的侧壁膜，用夹层电介质膜包埋侧壁氧化物膜，利用侧壁氧化物膜作为腐蚀停止器在夹层电介质膜和底层氧化物膜中形成一接触孔。
制造带有锥形平顶侧壁半导体设备方法

[发明专利]硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置-CN201210090806.5有效
发明人：远藤笃史;黑川昌毅;入宇田启树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置。本发明涉及在基板上层叠硅氧化物膜与硅氮化物膜的硅氧化物和硅氮化物膜的层叠方法，在成膜硅氮化物膜的气体中添加硼。
氧化物氮化物层叠方法装置

[发明专利]含多层氧氮化物层的氧化物‑氮化物‑氧化物堆栈-CN201610911402.6在审
发明人：赛格·利维;克里希纳斯瓦米·库马尔;弗雷德里克·詹纳 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本申请涉及含多层氧氮化物层的氧化物‑氮化物‑氧化物堆栈。本发明公开了一种含有多层电荷存储层的氧化物‑氮化物‑氧化物(ONO)堆栈的半导体器件及其形成方法。通常，该方法涉及(i)形成ONO结构上的第一氧化物层；(ii)在第一氧化物层上形成含有氮化物的多层电荷存储层；以及(iii)在多层电荷存储层上形成ONO结构第二氧化物层。优选的是电荷存储层包含至少两个含有不同氧，氮，和/或硅化学组成比的硅氧氮化物层。更优选的是ONO结构是硅‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑硅(SONOS)结构的一部分，且该半导体器件是SONOS存储晶体管。
多层氮化物氧化物堆栈

[发明专利]一种氧化物-氮化物-氧化物和多晶体残余的移除方法-CN200710198540.5无效
发明人：何荣;李秋德;曾令旭;曾海 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物-氮化物-氧化物和多晶体残余的移除方法，包括：第一步，提供一衬底，该衬底上有沟槽；第二步，在衬底上依次形成穿隧氧化层，浮置栅极层，氧化物-氮化物-氧化物层；第三步，形成导体层，并对该导体层进行蚀刻，利用光罩首先蚀刻单元栅极，而后蚀刻逻辑栅极；在第三步中，上述光罩的图形为在外围电路区域全部打开，并且在闪存单元中氧化物-氮化物-氧化物不起作用的部分也打开。本发明通过更改阵列氧化物-氮化物-氧化物蚀刻光罩图形的定义及阵列氧化物-氮化物-氧化物蚀刻方式，在不增加额外光罩层的条件下，将氧化物-氮化物-氧化物围篱及多晶体残余彻底去除，从而显著改善合格率。
一种氧化物氮化物多晶体残余方法

[发明专利]复合涂层刀具及其制备方法和应用-CN202110120644.4有效
发明人：林海天;李立升;许雨翔;王启民 -专利权人：东莞市华升真空镀膜科技有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合涂层刀具及其制备方法和应用，复合涂层刀具包括刀具基体，刀具基体的表面设有依次层叠的金属氮化物层、金属氧氮化物梯度层和金属氧化物层；自金属氮化物层至金属氧化物层的方向上，金属氧氮化物梯度层的氧含量逐渐增大且小于金属氧化物层的氧含量本发明的复合涂层刀具通过梯度结构，成功将刀具基体与氧化物涂层之间的结合问题转化成了刀具基体与氮化物、氮化物与氧氮化物、不同氧含量的氧氮化物之间以及氧氮化物与氧化物之间结合的问题。通过氧含量的逐渐变化将涂层之间热膨胀系数的差异控制在一个较小的范围内，从而在基体上制备出结合力良好的氧化物涂层，该复合涂层刀具具有强结合力、高抗冲击性和长久的切削寿命等优点。
复合涂层刀具及其制备方法应用

[发明专利]元件的制造方法-CN200810165772.5有效
发明人：何青原;藤田博丈;江柏叡 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2008-09-23 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在隔离结构之间的基底上依序形成第一氧化物层及第一导体层。进行第一氮化工艺，以在第一导体层及隔离结构的表面上分别形成第一氮化物层及第一氮氧化物层。形成第二氧化物层在第一氮化物层及第一氮氧化物层上。进行一密实工艺，以氧化隔离结构的表面上的第一氮氧化物层。形成第二氮化物层在第二氧化物层上。形成第三氧化物层在第二氮化物上。进行第二氮化工艺，以在第三氧化物层的表面上形成第三氮化物层。形成第二导体层在第三氮化物层上。
元件制造方法

[发明专利]一种湿法腐蚀三族氮化物的方法-CN201510958312.8在审
发明人：法比奧·圣阿加塔;艾莉娜·耶尔沃利诺;罗伯特·索科洛夫斯基;董明智;张国旗;王小葵 -专利权人：北京代尔夫特电子科技有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种湿法腐蚀三族氮化物的方法，所述方法为：先用氧化剂溶液将三族氮化物中的金属元素氧化为金属氧化物，再用氧化物腐蚀液将金属氧化物去除，即得到腐蚀后的三族氮化物。本发明提供的腐蚀三族氮化物的方法中的氧化只会发生在三族氮化物表层及表层以下的一定深度(几个至十几个纳米)；所述氧化物的去除不会损伤氧化物之下的氮化物材料；所述方法只需溶液腐蚀环境，腐蚀过程无需高温，可在100℃以下，甚至常温下进行，对工艺和设备要求低，适于大规模生产。
一种湿法腐蚀氮化物方法

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