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[发明专利]一种碳化硅基氧化镓复合物及其制备方法和应用-CN202311014544.9在审
发明人：马宏平;沈毅 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅基氧化镓复合物及其制备方法和应用。该碳化硅基氧化镓复合物是通过在碳化硅基氧化镓的碳化硅衬底和氧化镓薄膜之间设置氧化硅层。该碳化硅基氧化镓复合物可以显著的提高碳化硅和氧化镓接触的界面导热能力，界面导热可以达到82.25MW/m2·K。
一种碳化硅氧化复合物及其制备方法应用

[发明专利]陶瓷浆料、陶瓷浆料的制造方法、带载体膜的陶瓷生片及层叠陶瓷电子部件的制造方法-CN201110128484.4无效
发明人：国房义之 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C04B35/63 文献下载
摘要：本发明提供一种可以形成作为烧结助剂的氧化硅成分均匀性良好且容易从涂布了硅酮系的脱模剂的载体膜剥离的陶瓷生片。陶瓷浆料为含有氧化硅成分作为烧结助剂的陶瓷浆料，并以溶胶的形态含有作为氧化硅成分的已表面改性的氧化硅。氧化硅成分为例如湿式合成而成的氧化硅的溶剂分散体，该氧化硅粒子的表面的硅烷醇基在溶剂中被表面改性而成。另外，氧化硅成分为氧化硅粒子的表面的硅烷醇基通过例如含有烷基、苯基、乙烯基、甲基丙烯酰氧基、环氧基、氨基、羰基、硝基或腈基的官能基团改性而成的。
陶瓷浆料制造方法载体层叠电子部件

[发明专利]一种非对称的铁基介孔硅纳米材料及其制备方法和应用-CN202310705878.4在审
发明人：汪志义;侯仰龙;卢奕杰;王術人 -专利权人：华南理工大学;北京大学
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01G49/08 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，特别涉及一种非对称的铁基介孔硅纳米材料的制备方法和应用。一种铁基介孔硅纳米材料，包括铁基磁性纳米颗粒、无定形二氧化硅壳层和介孔二氧化硅；无定形二氧化硅壳层包覆铁基磁性纳米颗粒；介孔二氧化硅生长在无定形二氧化硅壳层的表面；介孔二氧化硅为非对称结构。本发明在铁基磁性纳米颗粒的表面包覆无定形二氧化硅壳层，并在无定形二氧化硅壳层的表面生长介孔二氧化硅，且介孔二氧化硅为非对称结构，铁基磁性纳米颗粒具有超顺磁性，非对称的介孔二氧化硅具有良好的流体力学特性，使得本发明的非对称的铁基介孔硅纳米材料具有超顺磁性，良好的流体力学性能。
一种对称铁基介孔硅纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一种水泥基表面超疏水性微纳结构氧化硅及基于其的涂层及制备方法和应用-CN201811216118.2在审
发明人：王程;冷少争;郭慧东;黄剑锋;曹丽云 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：本发明涉及水泥基表面超疏水性微纳结构氧化硅涂层合成，具体涉及一种水泥基表面超疏水性微纳结构氧化硅及基于其的涂层及制备方法和应用，制备水泥基表面超疏水性微纳结构氧化硅涂层的方法，包括如下步骤：先对硅灰与纳米氧化硅进行混合，得到微纳氧化硅，再对微纳氧化硅进行改性，得到超疏水微纳结构氧化硅，最后涂在水泥上，得到水泥基表面超疏水性微纳结构氧化硅涂层。本发明的制备水泥基表面超疏水性微纳结构氧化硅涂层的方法首先通过对廉价的硅灰与纳米氧化硅混合，使其结构变成微纳结构；再对微纳氧化硅进行改性，提高其表面疏水性，通过本发明的方法制备的沸石具有较高的疏水性，且价格低
微纳结构水泥基表面超疏水性氧化硅氧化硅涂层制备制备方法和应用纳米氧化硅改性硅灰表面疏水性超疏水防覆冰疏水性沸石合成水泥应用

[发明专利]一种无掺杂硅基二氧化硅波导-CN201310176143.3有效
发明人：冯丽爽;王俊杰;刘惠兰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种无掺杂硅基二氧化硅波导，包括：硅片经热氧化而形成的二氧化硅层B，采用化学气相沉积法（包括但不限于等离子体增强化学气相沉积法PECVD和低压化学气相沉积法LPCVD）形成的二氧化硅层C，采用沉积非晶硅薄膜后经完全热氧化形成的二氧化硅层所述二氧化硅层B用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的下包层；所述二氧化硅层C用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的芯层，该层可以作为平板波导结构的芯层，也可以经刻蚀形成条状波导结构的芯层；所述二氧化硅层T用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的上包层由于采用了无掺杂设计，所述硅基二氧化硅波导具有抗辐照能力强，缺陷少，损耗低的特点。
一种掺杂二氧化硅波导

[发明专利]碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料表面中高温长时间抗氧化涂层及其制备方法-CN201910383436.6在审
发明人：汤素芳;胡成龙;庞生洋;李建 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料表面中高温长时间抗氧化涂层及其制备方法，属于陶瓷基复合材料抗氧化技术领域。首先采用化学气相沉积工艺在碳化硅陶瓷基复合材料表面沉积碳化硅内层；以氧化硼、硼化锆、碳化硅、二氧化硅和氧化铝为涂层原料，硅溶胶为粘接剂，采用涂刷‑烧结工艺在碳化硅内层上制备ZrB₂‑SiC基中间层；再利用化学气相沉积工艺在中间层表面制备SiC外层，最终得到SiC/ZrB₂‑SiC/SiC复合抗氧化涂层。本发明所述涂层可以在900‑1500℃实现对碳化硅陶瓷基复合材料长时间抗氧化，氧化失重率最高仅为1.1％。
制备抗氧化涂层碳化硅陶瓷陶瓷基复合材料复合材料表面化学气相沉积碳化硅内层抗氧化中高温碳纤维增强碳化硅中间层表面二氧化硅烧结工艺涂层原料氧化失重种碳纤维复合材料硅溶胶硼化锆碳化硅氧化硼再利用粘接剂中间层氧化铝涂刷沉积复合

[发明专利]一种二氧化硅基复合陶瓷基板、其制作方法及封装基板-CN202010501017.0有效
发明人：宋锡滨;王海超;李心勇 -专利权人：山东国瓷功能材料股份有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种二氧化硅基复合陶瓷基板、其制作方法及封装基板。该二氧化硅基复合陶瓷基板包括体积比为3：97～3:7的氮化铝和二氧化硅，二氧化硅基复合陶瓷基板在20～43.5GHz范围内的介电常数为3.85～6.90，介电损耗为0.003～0.008，抗弯强度为180本申请的二氧化硅基复合陶瓷基板，以二氧化硅为基材进一步添加了氮化铝，利用二氧化硅和氮化铝的复合，提供了在高频范围内的低介电、低损耗的二氧化硅基复合陶瓷基板，且该基板的抗弯强度可以达到180Mpa以上，完全可以满足在各种工况下的应用
一种二氧化硅复合陶瓷制作方法封装

[发明专利]二氧化硅气凝胶隔热膜制作工艺-CN201410456195.0在审
发明人：吴建坤 -专利权人：吴建坤
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：二氧化硅气凝胶隔热膜制作工艺，包括以下步骤：(1)将二氧化硅气凝胶加工成纳米级粉未；(2)二氧化硅气凝胶载基进行消洁干燥，然后在载基上均匀地涂上耐高温胶(3)用喷枪将纳米二氧化硅气凝胶喷射到载基上(4)载基进行烘干固化处理后即得二氧化硅气凝胶隔热膜。
二氧化硅凝胶隔热制作工艺

[发明专利]二氧化硅基材料-CN200680047477.9有效
发明人： J·艾克罗斯 -专利权人：阿克佐诺贝尔公司
申请日： 2006-12-11 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： B01J20/32 文献下载
摘要：制备用于液相色谱的固定相所使用的有机基改性的二氧化硅基材料，它包括未改性的二氧化硅部分，和含有机基团键合到二氧化硅上的二氧化硅部分。制备有机改性的二氧化硅基材料的方法包括在含水介质内混合二氧化硅基材料和有机基硅烷化合物，并使该混合物反应。还公开了通过官能化有机基改性的二氧化硅基材料制备的固定相分离材料。
二氧化硅基材

[发明专利]一种煤矸石基介孔氧化硅材料及其制备方法-CN202210806905.2有效
发明人：李翔宇;潘大海;檀苗苗;韩丽娜;王兵;王建成 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明提供一种煤矸石基介孔氧化硅材料及其制备方法。煤矸石基介孔氧化硅材料的制备方法包括，将煤矸石基硅源、有机羧酸、无水有机醇和表面活性剂按照摩尔配料比为30～200:5～400:250～2000:1.0进行混合、反应，将反应溶液进行溶剂热自组装处理，经过离心、洗涤和干燥处理，得到煤矸石基介孔氧化硅材料前驱体；按照液固质量比10～100:1，将煤矸石基介孔氧化硅材料前驱体均匀溶于无机强酸溶液中，然后在密封条件下聚合，再将聚合所得产物进行焙烧。本发明提供的煤矸石基介孔氧化硅材料由上述方法制得，具有均一的介孔孔道结构。该方法原料廉价，工艺简单，大大降低了介孔氧化硅材料的制备成本，利于扩大化生产，所制得的煤矸石基介孔氧化硅材料具有高水热稳定性，应用范围广。
一种煤矸石基介孔氧化材料及其制备方法

[发明专利]一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法-CN201310140267.6有效
发明人：张幸红;李宁;胡平;韩文波;金鑫鑫;洪长青 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，它涉及一种抗超高温度氧化损伤的陶瓷基复合材料的制备方法。本发明是要解决现有的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料在超高温度(＞1700°C）下存在氧化层的稳定性差的问题。制备方法:一、制备二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料;二、氧化抑制处理;即得到抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。本发明可用于制备抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。
一种超高温度氧化损伤二硼化锆碳化硅陶瓷复合材料制备方法

[发明专利]利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法-CN201811099168.7在审
发明人：马北越;张亚然;高陟;于敬雨;任鑫明;苏畅;吴桦;于景坤 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C04B35/573 文献下载
摘要：本发明属于二次资源高效综合利用及多孔陶瓷材料制备技术领域，具体涉及利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法。本发明的技术方案：首先，将氧化硅基固体废弃物进行预处理，除去杂质，其次，根据氧化硅基固体废弃物组分配比掺入还原剂；然后，以预处理后的氧化硅基固体废弃物为原料，加入粘结剂与造孔剂，将物料混均；最后，经干压成型，在保护气氛下高温烧结制得碳化硅基多孔陶瓷。该方法实现了氧化硅基固体废弃物的高附加值利用，减少其对环境造成的污染，有利于降低生产成本，而且该方法操作简单易行，便于工业化生产。
固体废弃物氧化硅基多孔陶瓷碳化硅基预处理制备多孔陶瓷材料制备技术领域干压成型高温烧结组分配比还原剂造孔剂粘结剂掺入混均污染

[发明专利]一种用于多孔二氧化硅疏水化的新方法-CN202080022364.3在审
发明人： R·苏布拉马尼亚姆;F·米斯费尔特;P·古里科夫;I·斯米尔诺瓦;S·莫瓦海德;W·勒尔斯贝格;P·迪林格 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B01J20/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于多孔二氧化硅基化合物疏水化的方法，该方法包括以下步骤：提供一种包含多孔二氧化硅基化合物的组合物(I)，用包含六甲基二硅醚或其水解形式的组合物(II)处理组合物(I)，并移除处理过的二氧化硅基化合物本发明还涉及通过该方法获得的多孔二氧化硅基化合物以及本发明的多孔二氧化硅基化合物或通过本发明所述的方法获得或可获得的多孔二氧化硅基化合物用于医药应用、用作吸附剂、用于化妆品应用、用作食品添加剂、用作催化剂载体
一种用于多孔二氧化硅疏水新方法

[发明专利]一种高屏蔽耐热光纤及其制备方法-CN201610910875.4有效
发明人：何异;徐阿宏;黄芳;朱森祥 -专利权人：福州盛世凌云环保科技有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种高屏蔽耐热光纤及其制备方法，该高屏蔽耐热光纤包括屏蔽层、内包层、芯材三层，其中屏蔽层为碳膜，内包层为二氧化硅基低折射率玻璃，芯材为二氧化硅基高折射率玻璃；其中二氧化硅基低折射率玻璃按分子数量包括二氧化硅85‑92份、二氧化硫2‑3份、二氧化碳2‑3份、氧化硼6‑8份；二氧化硅基高折射率玻璃按分子数量包括二氧化硅85‑92份、五氧化二磷3‑4份、氧化锗8‑10份。
一种屏蔽耐热光纤及其制备方法

[发明专利]一种氧化硅基半导体纳米薄膜的制备方法-CN201010269008.X无效
发明人：祖小涛;李志杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-08-31 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种氧化硅基半导体纳米薄膜的制备方法，属于无机化学材料技术领域。该方法将经水热晶化发制备的半导体无机氧化物纳米颗粒分散到氧化硅溶胶中，再采用旋涂法或提拉法镀膜得到氧化硅基半导体纳米薄膜。该方法操作简单、成本低廉，适合于大规模生产；所制备的氧化硅基半导体纳米薄膜由于半导体纳米颗粒分散在氧化硅薄膜中，其表面被氧化硅保护，具有优良的稳定性，可用于制作气体传感器、光催化剂、光电材料和紫外线屏蔽薄膜等
一种氧化半导体纳米薄膜制备方法

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