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[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201880077616.5在审
发明人：山崎舜平;半田拓哉;保坂泰靖;三本菅正太;山根靖正;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物及第三氧化物上的绝缘体，第二氧化物包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)及Zn，其中，第一氧化物及第三氧化物都包括In浓度比第二氧化物低的区域。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于甲烷氧化偶联的Sr-Ce-Yb-O催化剂-CN201780066867.9在审
发明人：梁五更;维迪雅·萨加尔·雷迪·萨尔桑尼;大卫·维斯特;赫克托尔·佩雷斯;方佑伦 -专利权人：沙特基础工业全球技术公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： B01J23/02 文献下载
摘要：一种甲烷氧化偶联(OCM)催化剂组合物，其包括：(i)Sr‑Ce‑Yb‑O钙钛矿；(ii)一种或多种选自锶(Sr)、铈(Ce)和镱(Yb)的金属氧化物；其中，所述一种或多种氧化物包括：单一金属氧化物、单一金属氧化物的混合物、混合金属氧化物、混合金属氧化物的混合物、单一金属氧化物和混合金属氧化物的混合物，或其组合。
单一金属氧化物混合金属氧化物混合物甲烷氧化偶联催化剂组合物金属氧化物钙钛矿氧化物催化剂

[发明专利]半导体元件-CN201910313720.6在审
发明人：陈敏璋;易圣涵;吕承轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种半导体元件，其包括基板、第一含锆氧化物层、第一金属氧化物层及顶电极。第一含锆氧化物层位于基板上方且具有铁电性或反铁电性。第一金属氧化物层与第一含锆氧化物层接触。第一金属氧化物层的厚度小于第一含锆氧化物层的厚度。顶电极位于第一含锆氧化物层上方。
含锆氧化物金属氧化物层顶电极基板半导体元件反铁电铁电性

[发明专利]碳被覆锂过渡金属氧化物、二次电池正极材料及二次电池-CN03806099.X有效
发明人：久英之;门胁彻治 -专利权人：御国色素株式会社
申请日： 2003-01-09 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： C01G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳被覆锂过渡金属氧化物，是在锂过渡金属氧化物表面附着炭黑而形成的碳被覆锂过渡金属氧化物，炭黑被覆锂过渡金属氧化物氧化物的大于或等于80％而形成的。在锂过渡金属氧化物表面附着碳纤维而形成的碳被覆锂过渡金属氧化物。由上述碳被覆锂过渡金属氧化物构成的二次电池用正极材料。
被覆过渡金属氧化物二次电池正极材料

[发明专利]掺杂的超低膨胀玻璃及用于制造其的方法-CN201580075988.0在审
发明人： S·安纳马莱;C·A·杜兰;K·E·贺迪纳 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： C03C3/06 文献下载
摘要：提供了掺杂的二氧化硅‑二氧化钛玻璃制品，其包括具有一种玻璃组合物的玻璃制品，所述玻璃组合物包含(i)二氧化硅‑二氧化钛基础玻璃、(ii)氟掺杂剂和(iii)第二掺杂剂。所述氟掺杂剂的氟浓度最高为5重量％，并且所述第二掺杂剂包含一种或多种氧化物，所述氧化物选自Al氧化物、Nb氧化物、Ta氧化物、B氧化物、Na氧化物、K氧化物、Mg氧化物、Ca氧化物和Li氧化物，总氧化物浓度为
掺杂膨胀玻璃用于制造方法

[发明专利]一种稀土氧化物总量和稀土氧化物分量连续测定方法-CN202111661228.1在审
发明人：杜桂荣;李铁球;曹淑琴;李培佑;刘会武;龚明明;李梁;郭国龙 -专利权人：核工业北京化工冶金研究院
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明涉及稀土矿测定技术领域，具体公开了一种稀土氧化物总量和稀土氧化物分量连续测定方法，包括以下步骤：步骤1：制备稀土氧化物和钍氧化物分析试液；步骤2：配制标准溶液，分别配制稀土混合标准工作溶液和钍标准工作溶液；步骤3：ICP‑OES法测定钍量和稀土分量，分别测定氧化钍量、稀土氧化物总量、稀土氧化物分量；步骤4：分析结果计算，分别计算氧化钍量、稀土氧化物总量、稀土氧化物分量；步骤5：对稀土氧化物分量加和，验证稀土氧化物总量测定结果的准确性本发明方法可连续测定稀土氧化物总量、稀土氧化物分量，能够同时判断稀土矿床的品位、矿性，减少工时消耗，缩短分析周期，为稀土矿床开发工艺研究提供分析技术支持。
一种稀土氧化物总量分量连续测定方法

[发明专利]一种镁热还原制备金属合金粉末的方法-CN202010986927.2有效
发明人：孔令鑫;徐宝强;杨斌;徐俊杰;刘大春;李一夫;田阳;曲涛;蒋文龙;邓勇;庞俭;朱立国;游彦军;陈秀敏;杨红卫;王飞;吴鉴;熊恒;孔祥峰;杨佳;郁青春;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C22B5/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种镁热还原制备金属合金粉末的方法，包括制备混合熔盐，其中，混合熔盐中至少包括Mg以及RECl3；制备混合金属氧化物前驱体，其中，混合金属氧化物包括钛氧化物、钒氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、铌氧化物、钼氧化物以及钨氧化物中的两种以上；将混合金属氧化物前驱体加入混合熔盐，加热至反应结束，得到金属合金粉末。本发明在熔盐中加入稀土氯化物RECl3，稀土氯化物RECl3参与反应后能够使还原产物金属合金粉末中氧含量降至500ppm
一种还原制备金属合金粉末方法

[发明专利]一种增大分子筛粒子表面粘附力的方法-CN202211548425.7在审
发明人：孙立伟 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B01J29/76 文献下载
摘要：本发明提供了一种增大分子筛粒子表面粘附力的方法，通过原子层沉积方法，在Cu‑SSZ‑13分子筛的外表面包覆氧化物层和/或氢氧化物层；所述氧化物层包括硅的氧化物、铝的氧化物、钛的氧化物、锆的氧化物和稀土氧化物中的一种或几种；所述氢氧化物层包括硅的氢氧化物、铝的氢氧化物、钛的氢氧化物、锆的氢氧化物和稀土氢氧化物中的一种或几种。本发明针对分子筛催化剂表面粘附力小，涂覆后容易掉落的缺点，对分子筛进行包覆氧化物层和/或氢氧化物层，提高分子筛的表面粘附力。
一种增大分子筛粒子表面粘附方法

[发明专利]改性氧化钛微粒和使用它的光电转换器-CN200680003411.X无效
发明人：井上照久;紫垣晃一郎;星尚志;金子昌严 -专利权人：日本化药株式会社
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01M14/00 文献下载
摘要：本发明提供一种改性氧化钛微粒包含：氧化钛和一种或两种或以上的非钛金属氧化物(包含氧化硅)，该非钛金属氧化物选自由周期表中的IB族氧化物、IIA族氧化物、IIB族氧化物、IIIA族氧化物、IIIB族氧化物、除氧化钛之外的IVA族氧化物、IVB族氧化物、VIA族氧化物和VIII族氧化物和氧化钒组成的组。此外，本发明还提供一种使用该改性氧化钛微粒的光电变换器。
改性氧化微粒使用光电转换器

[发明专利]一种电池复合负极材料及其制备方法-CN202310517311.4在审
发明人：张易宁;王启明;陈卓;陈素晶 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种电池复合负极材料，所述电池复合负极材料包括亲锂氧化物、金属氧化物；所述亲锂氧化物为亲锂Cu基CuO阵列。首次通过结合金属氧化物和亲锂氧化物设计了一种特殊结构(金属氧化物涂覆在亲锂氧化物表面，或者将金属氧化物与亲锂氧化物结合)独特设计不仅减轻了金属氧化物在合金化/去合金化过程中的体积膨胀，而且提高了金属氧化物的导电性
一种电池复合负极材料及其制备方法

[发明专利]沸石和氧化还原氧化物组合催化剂结构体-CN200910118672.1有效
发明人：史蒂文·B·奥冈乌米;M·D·帕笛尔;谢玉明;王树东;程昊 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所;康宁公司
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：所述催化剂主体包括选自由钨氧化物、钒氧化物以及它们的组合组成的组的第一氧化物，选自由铈氧化物、镧氧化物、锆氧化物以及它们的组合组成的组的第二氧化物，以及沸石。本发明涉及一种沸石和氧化还原氧化物组合催化剂结构体。
氧化还原氧化物组合催化剂结构

[发明专利]一种金属氧化物叠层场效应电极-CN201810695140.3有效
发明人：吕正红;张涛;王登科 -专利权人：云南大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物叠层场效应电极。该金属氧化物叠层场效应电极包括多个金属条和金属氧化物叠层薄膜，金属氧化物叠层薄膜的第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度大于3eV；第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第一金属氧化物薄膜、所述第二金属氧化物薄膜和所述第三金属氧化物薄膜的厚度小于或等于采用本发明的金属氧化物叠层场效应电极，具有光透过率高、场致导电性能好的优点。
金属氧化物薄膜金属氧化物禁带电极场效应叠层叠层薄膜导电性能光透过率金属条场致

[发明专利]用于调整内燃发动机中的氮氧化物传感器的特性曲线的方法-CN201780017526.2有效
发明人：张宏 -专利权人：大陆汽车有限公司
申请日： 2017-02-02 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： F02D41/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于调整具有排气再循环的内燃发动机的氮氧化物传感器（32）的特性曲线的方法，该内燃发动机具有被设置在SCR催化转化器（20）上游的第一氮氧化物传感器（32）和被设置在SCR催化转化器（20）下游的第二氮氧化物传感器公开的方法包括：确定颗粒过滤器（30）处于再生阶段；增加排气再循环速率；中断通过尿素喷射装置（26）进行的尿素供给；从由第一氮氧化物传感器（32）产生的第一氮氧化物信号获取第一氮氧化物值，并且确定第一氮氧化物值处于第一氮氧化物区间内；从由第二氮氧化物传感器（22）产生的第二氮氧化物信号获取第二氮氧化物值，并且确定第二氮氧化物值处于第二氮氧化物区间内；并且借助于第二氮氧化物值调整第一氮氧化物传感器（32）的特性曲线。
用于调整内燃发动机中的氧化物传感器特性曲线方法

[发明专利]半导体装置、该半导体装置的制造方法以及包括该半导体装置的显示装置-CN201780014556.8有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;冈崎健一;中泽安孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括栅电极、栅电极上的绝缘膜、绝缘膜上的氧化物半导体膜以及氧化物半导体膜上的一对电极的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜以及第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜、第二氧化物半导体膜及第三氧化物半导体膜包括相同的元素。第二氧化物半导体膜包括其结晶性比第一氧化物半导体膜和第三氧化物半导体膜中的一方或双方低的区域。
半导体装置制造方法以及包括显示装置

[发明专利]形成阻挡结构的方法和半导体结构-CN202011576888.5在审
发明人：陈彦羽;程仲良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开的实施例描述了一种用于在无衬垫导电结构与下方导电结构之间形成阻挡结构的方法。该方法包括在布置在接触层上的介电层中形成开口，其中，开口暴露接触层中的导电结构。该方法还包括将第一金属层暴露于氨以形成具有第一金属层和第一金属层的氮化物的双层，并且随后将氮化物暴露于氧等离子体以将第一金属层的氮化物的一部分转换为氧化物层。该方法还包括去除氧化物层并在第一金属层的氮化物上形成含半导体层。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构。
形成阻挡结构方法半导体