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[发明专利]一种二氧化锗/石墨烯复合材料及其制备方法-CN201610646691.1在审
发明人：魏伟;贾方方;王科峰;瞿鹏;徐茂田 -专利权人：商丘师范学院
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种二氧化锗/石墨烯复合材料，涉及锂离子电池负极材料技术领域，该复合材料是由石墨烯纳米片包裹二氧化锗亚微米颗粒而构成的；其中，二氧化锗亚微米颗粒的直径为400~900 nm。本发明将二氧化锗粉末与氧化石墨烯一同溶解于蒸馏水中，然后在25~45℃下将水分完全蒸发，将蒸发后所得的粉末在空气气氛中200~300℃下煅烧1~3小时，即得所述复合材料。本发明制备的二氧化锗/石墨烯复合材料作为锂离子电池负极材料，具有较高的充放电比容量、较好的循环稳定性以及快速充放电性能，且制备方法简单，无污染，反应温度低，所得产品纯度高，无副产品。
一种氧化石墨复合材料及其制备方法

[发明专利]单层锗基石墨烯低温后固化转移方法-CN202111354758.1有效
发明人：胡开明;屠尔琪;张文明;李修远;辛宜航;邓心陆 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：一种单层锗基石墨烯低温后固化转移方法，在通过CVD工艺生长的锗基石墨烯表面旋涂载体材料，并三层复合结构以载体材料面朝上置于容器中，浇入未固化的PDMS与气泡法剥离得到的多层石墨烯(beGr)的混合物进行低温后固化工艺，然后对三层复合结构上的锗片进行刻蚀处理并最后进行触发加热实现三层复合结构的平坦化。本发明利用低温后固化构筑柔性目标基底，将大面积、高质量单层锗基石墨烯有效地转移，构建三层结构体系，既能够保证石墨烯与PMMA界面处、PMMA与PDMS界面处有足够的界面粘附能，也能避免高温后固化工艺引起PMMA与PDMS之间形成梯度界面层，从而构筑石墨烯/PMMA/beGr‑PDMS三层系统，并制备出单一尺度、失稳模式可控的石墨烯共型褶皱图案。
单层基石低温固化转移方法

[发明专利]一种锗烯二维原子晶体材料及其制备方法-CN201310565943.4有效
发明人：王业亮;李林飞;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗烯二维原子晶体材料及其制备方法，锗烯二维原子晶体材料的制备方法包括：1）在真空环境下，将适量锗蒸发沉积到过渡金属铂基底上；2）对整个样品进行退火处理，以使锗原子发生相互作用，在基底表面形成二维长程有序的膜状结构，其中锗原子成六角蜂窝状周期性排布，形成一种新型的二维原子晶体材料。这种类石墨烯结构的新型材料拓展了非碳基二维蜂窝状晶体材料的研究领域，在未来信息电子学及器件开发研究方面具有广泛的应用潜力。
一种二维原子晶体材料及其制备方法

[发明专利]一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用-CN201310351839.5有效
发明人：李振军;白冰;杨晓霞;王小伟;许应瑛;戴庆;裘晓辉 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗量子点的生长方法，所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面，在界面上实现了Ge量子点的生长，避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序，简化了工艺流程；且保证了锗量子点的低杂质元素含量和低缺陷密度，且保证了锗量子点的自组织生长过程，形成了形貌统一和密度均匀的锗量子点。
一种量子生长方法复合材料及其应用

[发明专利]硒化锗基太阳光分解水产氢电子器件、电极系统及其制备方法-CN201811179844.1有效
发明人：江丰;喻乐;王康;黄定旺;冯旷;李林涛 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化锗基太阳光分解水产氢电子器件及其制备方法，其包括衬底，位于所述衬底上的背电极层，位于所述电极层上的硒化锗吸收层，位于所述硒化锗吸收层上的缓冲层，位于所述缓冲层上的保护层以及附着于所述保护层上的金属纳米颗粒本发明利用硒化锗禁带宽度与太阳光谱非常匹配(1.15eV)，光吸收系数大，原材料便宜无毒、生长温度低的特点，首次将其设计为吸收层材料应用于太阳光分解水产氢器件，从而制备出硒化锗基太阳光分解水产氢器件，该器件在光照下分解水产氢的效率已突破
硒化锗基太阳光分解水产电子器件电极系统及其制备方法

[发明专利]一种锗掺杂超细二氧化锡石墨烯复合材料的制备方法及应用-CN201910264753.6在审
发明人：赵永男;高海燕;黄志强 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗掺杂超细二氧化锡石墨烯复合材料的制备方法，具体制备过程如下：将一定比例的锗源，锡源和氧化石墨烯溶解于去离子水和乙醇的混合溶液中，加入适量盐酸调节pH值。反应结束后，进行离心清洗和冷冻干燥得到一种锗掺杂超细二氧化锡石墨烯复合材料。本发明中所制备的锗掺杂超细二氧化锡石墨烯复合材料作为锂离子负极材料具有良好的循环稳定性，优异的倍率性能和高的放电比容量。
一种掺杂超细二氧化锡石复合材料制备方法应用

[发明专利]锗烯二维纳米药物微针及其制备方法和微针贴片-CN202110949005.9在审
发明人：郭瑞;冯龙宝;黄尚辉;刘玉 -专利权人：广州贝奥吉因生物科技股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗烯二维纳米药物微针，包括针尖和与所述针尖连接的基底，所述针尖的宽度自与基底的连接端向远离基底一端减小；所述针尖包括具有生物相容性的赋形剂和负载于所述赋形剂的锗烯二维纳米药物。本发明的微针可将锗烯二维纳米药物进行局部微创透皮递送，在提高药物递送效率的同时可以极大地降低其全身毒副作用；该微针可响应近红外光同时具有光热以及化学药物协同治疗浅表肿瘤的作用；由于避开了全身循环，该纳米药物微针极大提高了锗烯二维纳米药物用于人体的安全性
二维纳米药物及其制备方法微针贴片

[发明专利]一种费米能级可调的石墨烯异质结结构及其制备方法-CN201810529019.3有效
发明人：单丹;陈雪圣 -专利权人：扬州工业职业技术学院
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明涉及一种费米能级可调的石墨烯异质结结构，包括衬底层，衬底层上为中间设有矩形窗口的第一矩形金电极；衬底层与矩形窗口构成矩形凹槽；矩形凹槽内设有石墨烯层，石墨烯层的底面与衬底层接触，边缘沿所述第一矩形环状金电极的内壁向上延伸至第一矩形环状金电极的顶部后向外折弯延伸，石墨烯层位于矩形凹槽内部分的上方设有P型掺杂的纳米锗薄膜层。本发明是利用一种硅基纳米材料即纳米锗薄膜材料与石墨烯之间形成异质结结构，使得纳米锗与石墨烯之间产生电荷转移行为，从而对石墨烯的费米能级进行调控。这种方式避免了化学掺杂方式调控石墨烯费米能级对石墨烯材料所造成的结构性的破坏以及光吸收率低的问题。
石墨烯费米能级衬底层异质结结构矩形凹槽石墨烯层金电极纳米锗薄膜矩形窗口矩形环状可调的石墨烯材料电荷转移光吸收率化学掺杂纳米材料向上延伸结构性纳米锗外折弯调控底面硅基后向内壁制备延伸

[发明专利]高密度锗纳米线的制备方法-CN201811245546.8有效
发明人：狄增峰;杨悦昆;薛忠营;张苗 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种高密度锗纳米线的制备方法，包括如下步骤：1)提供一锗衬底，锗衬底包括相对的第一表面及第二表面；2)于锗衬底的第一表面生长石墨烯；3)于锗衬底的第一表面形成铟催化剂层，且铟催化剂层至少覆盖石墨烯；4)于铟催化剂层远离锗衬底的表面生长锗纳米线。本发明无需采用电子束蒸发的方式沉积金属，大大简化了锗纳米线制备的工艺流程，并降低成本，非常适合于大规模低成本的锗纳米线的制备；本发明采用铟作为催化剂生长的锗纳米线具有较高的长宽比，同时具有较高的表面密度，这些特点使得该方法更便于锗纳米线的转移与应用，从而为基于四族纳米线的器件制备奠定工艺基础；同时，本发明制备的锗纳米线具有很好的稳定性和重复性。
高密度纳米制备方法

[发明专利]一种石墨烯纳米带缠绕锗纳米颗粒复合材料的制备方法-CN201510192070.6有效
发明人：李新禄;张欣琳;李同涛;赵昱颉;黄佳木 -专利权人：重庆大学
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：即一种石墨烯纳米带缠绕纳米锗复合材料的制备方法，以石墨烯纳米带和二氧化锗粉末为原料，采用一步法原位合成锗‑石墨烯纳米带复合材料产品。操作简便，成本低廉，环境友好，所制得的产物具有出色的结构稳定性和导电性，并且可以有效地抑制锗在充放电过程中的体积效应，可广泛应用于大电流大功率设备中，特别适用作锂离子电池负极材料。
一种石墨纳米缠绕颗粒复合材料制备方法

[发明专利]一种石墨烯包覆纳米锗复合材料及其制备方法和应用-CN201310132216.9有效
发明人：欧阳柳章;郭丽娜;胡仁宗;刘辉;曾美琴;杨黎春;朱敏 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯包覆纳米纯锗复合材料的制备方法，将锗粉与石墨粉或热处理的膨胀石墨采用介质阻挡放电等离子体辅助高能球磨法进行球磨；或者先将锗粉进行介质阻挡放电等离子体辅助高能球磨，然后将球磨后的锗粉与石墨粉或热处理的膨胀石墨混合后采用介质阻挡放电等离子体辅助高能球磨法进行球磨通过以上工艺步骤制备出的复合材料结构为纳米的锗颗粒被单层或多层石墨烯网络所均匀包覆；由于锗的高容量、优秀的锂离子扩散速率和石墨烯的高强度、高比表面积、高导电性等，该复合结构材料作为锂离子电池负极材料表现出高容量
一种石墨烯包覆纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]光纤-CN01145666.3有效
发明人：松尾昌一郎;畔蒜富夫;原田光一 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2001-10-03 - 公布日： 2002-07-17 - 主分类号： G02B6/16 文献下载
摘要：本发明涉及抗氢性提高了的光纤。光纤包括高浓度锗层和低浓度锗层。高浓度锗层在光纤的中心位置,其含氧化锗,相对于高浓度锗层总重量,浓度为0.1%(重量)或更多。低浓度锗层在高浓度锗层周围,其含氧化锗,相对于低浓度锗层总重量,浓度小于0.1%(重量)。从高浓度锗层漏进低浓度锗层的光功率与经光纤传播的总光功率的比率是0.4%或更小。
光纤

[发明专利]一种等离子合成法流化生产锗烷的方法-CN202210736607.0在审
发明人：栗鹏伟;潘海涛;齐相前;赵懿斌;王敏华 -专利权人：苏州金宏气体股份有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C01B6/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子流化生产锗烷的方法，氢气进入等离子氢发生器产生等离子氢进入流化床；与锗粉进行流化反应生成锗烷；反应物流的气相增压后进行冷凝，冷凝液塔的中上部进入脱轻塔进行轻组分杂质的去除，塔釜物料从中下部进入脱重塔进行重组分杂质的去除，塔顶得到纯度不低于5N纯度的锗烷进入锗烷产品罐。脱轻塔塔顶采出的轻组分杂质与脱重塔塔釜采出的重组分杂质进入尾气燃烧器进行焚烧处理生产二氧化锗粉末，再用氢气进行还原生产锗粉，得到的锗粉进入锗粉罐，循环利用。本发明解决了目前锗烷生产效率低下，副产物与废水产生等问题，不产生废水和难以分离及处理的副产物，反应的效率高，产品纯度高。
一种等离子成法流化生产方法

[发明专利]防雾贴合复合膜、制备方法及其在胶卷中的用途-CN202010735580.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：嘉兴市爵拓科技有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C08J7/054 文献下载
摘要：其中防雾贴合复合膜材料，包括：经钛酸酯偶联剂和山椒子烯醇改性获得的复合型氧化锗；其制备方法为：将氧化锗加入液体石蜡中分散；利用钛酸酯偶联剂对氧化锗进行改性得改性氧化锗；利用山椒子烯醇继续对改性氧化锗改性得复合型氧化锗
贴合复合制备方法及其胶卷中的用途

[发明专利]一种碳化硅/晶体-锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法-CN201710803903.7有效
发明人：李连碧;臧源;胡继超;林生晃;贺小敏;韩雨凌;褚庆;蒲红斌;封先锋;冯松;宋立勋;雷倩倩 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为本发明利用石墨烯的高透过率和高载流子迁移率，Ge对近红外光的高敏感度，与SiC形成新型的SiC基Ge/石墨烯异质结，得到了一种可应用于大功率、高温环境的高速、高响应的近红外光控器件。
一种碳化硅晶体石墨烯异质结光电器件及其制造方法