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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法-CN201010502544.X无效
发明人：缪燕;彭仕敏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-11 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上形成栅电极；第二步，LDD注入，在栅电极侧壁形成侧墙；第三步，源漏注入及快速热退火；第四步，生长磷硅玻璃薄膜，该步骤具体为：
一种消除玻璃初始氧化方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法、薄膜晶体管及显示装置-CN201210526273.0无效
发明人：杨静;戴天明 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，包括依次形成的源漏极、有源层、栅绝缘层以及栅极，所述有源层由微晶硅制备而成。微晶硅形成有源层时无需进行晶化工艺，制备工艺简单；同时，微晶硅形成的有源层的场效应迁移率比非晶硅TFT结构中的有源层更高，且顶栅型的薄膜晶体管结构能够减少孵化层对源漏极之间的电流路径的影响，因此，采用微晶硅形成有源层的薄膜晶体管驱动能力较高
阵列及其制备方法薄膜晶体管显示装置

[发明专利]TFT阵列基板及制作方法、显示装置-CN201210564622.8无效
发明人：薛艳娜;王磊;薛海林;郭建 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明实施例的TFT阵列基板的制作方法，包括：在基板上制作包括栅极的图案，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线；依次形成栅绝缘层和半导体薄膜，通过一次构图工艺，制作形成位于所述栅绝缘层上的第一过孔以及位于所述半导体薄膜上的第二过孔
tft 阵列制作方法显示装置

[发明专利]半导体元件的制作方法-CN201210036091.5无效
发明人：章正欣;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件的制作方法，包括：提供一基底；形成一栅极介电层于基底上；形成一栅电极于栅极介电层上；形成一间隔件于栅极介电层和栅电极的侧壁；使用包括多个灯源和一偏压施加系统的快速热工艺装置掺杂基底
半导体元件制作方法

[发明专利]一种栅堆叠结构、半导体器件及二者的制造方法-CN201010142125.X无效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种栅堆叠结构，包括，隔离介质层，所述隔离介质层形成于所述栅极上且嵌入其中，所述侧墙覆盖所述隔离介质层中相对的侧面，位于所述活性区上的所述隔离介质层的厚度大于位于所述连接区上的所述隔离介质层的厚度。一种栅堆叠结构的制造方法，包括，去除部分厚度的所述栅极，被去除的位于所述活性区上的厚度大于位于所述连接区上的厚度，以暴露所述侧墙中相对的内壁；在所述栅极上形成隔离介质层，所述隔离介质层覆盖暴露的所述内壁
一种堆叠结构半导体器件二者制造方法

[发明专利]铅酸蓄电池板栅连铸机定模的压紧机构-CN201110226519.8无效
发明人：李万全;谭泽富;高长银 -专利权人：重庆三峡学院
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： B22D25/04 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种铅酸蓄电池板栅连铸机定模的压紧机构，用于调节板栅连铸机动模与定模之间的距离。
蓄电池板栅连铸机定模压紧机构

[发明专利]气动风补风机-CN201010164457.8无效
发明人：孙善骏 -专利权人：孙善骏
申请日： 2010-05-06 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： F03G6/00 文献下载
摘要：主要有进气栅（1）、排气栅（7）、外叶片（2）、内叶片（4）、外叶片臂（3）、机体（5）、轴（6）等组成，气动风补风机在空气热能转变为空气动能后起转化成机械能的作用并同时能利用自然风力加大这种作用，空气动能和风能转换为机械能一般直接用于发电
气动风机

[发明专利]半导体器件-CN201110070188.3无效
发明人：山越英明;冈保志;冈田大介 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：在半导体衬底的主面上将由具有浮置栅电极FG的存储晶体管和与所述存储晶体管串联的控制晶体管构成的多个存储单元呈阵列状排列在X方向和Y方向上。将按X方向排列的存储单元中的存储晶体管的漏极区域彼此连接的位布线M1B设在形成于半导体衬底上的多层布线构造中最下层的布线层上，以使所述位布线M1B覆盖整个浮置栅电极FG。
半导体器件

[发明专利]金属氧化物半导体结构及其制造方法-CN201110025571.7无效
发明人：林钦雯;黄全一;黄仲钦;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物半导体结构及其制造方法，该结构具有：一基板；一栅电极，沉积于该基板上方；一闸绝缘层，沉积于该栅电极及该基板上方；一IGZO层，沉积于该闸绝缘层上方，用以充作一通道；一源电极，沉积于该闸绝缘层上方且与该
金属氧化物半导体结构及其制造方法

[发明专利]具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管-CN201110221750.8无效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;石逸群 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，包含漏极结构、井区、栅极沟渠结构，及源极结构，漏极结构包括成第一导电性的漏极区，及主要载子浓度小于漏极区且形成于漏极区中的袋状区，井区成第二导电性且形成于漏极区上，栅极沟渠结构形成于漏极区中且与袋状区实体接触，并包括导电块，及隔离井区与导电块的介电层，源极结构包括形成于井区上且成第一电性的源极区，本发明利用主要载子浓度低且与栅极结构接触的袋状区，降低栅/漏极间电容
具有漏极间电容沟渠功率晶体管

[发明专利]粉状化肥施肥机-CN201110263147.6无效
发明人：魏凤兰;赵凤芹;董年沛;伍显胜;杨洪伟;张文杰 -专利权人：沈阳农业大学
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： A01C15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种粉状化肥施肥器，包括机架、料斗、地轮、增速变速箱、振动装置、流量调节装置，其特征是：在料斗的底部，即机架上设置支撑架，多条均布排列的转杆两端转动组装在支撑架上；转杆上焊接栅板；在每根转杆上固定连接螺栓，每个螺栓的下部通过钢丝连接在一起；在机架的中部设置两穿孔，两钢丝穿过穿孔连接流量调节装置的拉板，固定螺栓焊接在机架上，拉板穿装在固定螺栓上，在拉板的内侧组装螺母，在靠边的栅板和机架之间连接拉簧。
粉状化肥施肥

[发明专利]一种双馈风力发电系统低电压穿越用Crowbar装置-CN201110415838.3无效
发明人：谭国俊;凌臧;徐世周 -专利权人：北京洲能科技发展有限公司
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种双馈风力发电系统低电压穿越用Crowbar装置，属于电力电子应用技术领域，包括三相桥式不控整流桥UR、续流二极管D1、大功率泄放电阻R1、RCD吸收保护电路和绝缘栅双极型晶体管IGBT。有益效果是采用Crowbar电路来实现对低电压的穿越，其中Crowbar模块使用绝缘栅双极型晶体管IGBT作为开关器件，动作响应快，能够及时释放暂态电流；当暂态电压电流被释放后，切出Crowbar电路，
一种风力发电系统电压穿越 crowbar 装置

[发明专利]逆导型绝缘栅双极晶体管-CN201110265957.5无效
发明人：小林俊章;小林政和 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供逆导型绝缘栅双极晶体管。根据一个实施方式，在逆导型绝缘栅双极晶体管中，缓冲层设于第二基底层的背面，杂质浓度比第二基底层高。第一集电极层与缓冲层的背面的一部分相接，杂质浓度比第二基底层高。
逆导型绝缘双极晶体管

[发明专利]半导体装置-CN201110255938.4无效
发明人：石井孝明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，具备：第1导电型基极层；设置在第1导电型基极层之上的第2导电型基极层；栅极绝缘膜；与栅极绝缘膜邻接地在第2导电型基极层的表面选择地设置的第1导电型源极层；设置在沟槽内的栅极绝缘膜的内侧的栅电极主电极设置在第2导电型基极层的表面上及第1导电型源极层的表面上，并且设置在比沟槽内的栅电极及第2导电型基极层更深的位置。主电极与第2导电型基极层及第1导电型源极层电气连接。
半导体装置

[发明专利]混合银粉晶体硅基太阳能电池正面银浆料及其制备方法-CN201210160701.2无效
发明人：刘飘;刘宵;杨华荣;陈鹏;祁鑫;凌果;王刘功;龙丹;钟贤阳;谷宗浩 -专利权人：湖南利德电子浆料有限公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：此正银银浆的特点为印刷性能好，能满足副栅宽度为35～100微米的网板印刷工艺，烧结工艺窗口宽，烧结之后线条分辨率高，电池栅线高宽比好，光电转化效率高，平均能达到18.4%，高于一般商业正银浆料水准。
混合银粉晶体太阳能电池正面浆料及其制备方法

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