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[发明专利]一种核壳型石墨烯量子点@介孔二氧化硅纳米材料的制备方法-CN201710718491.7有效
发明人：杨冬芝;姚欣悦;孙世安;杜岩;汤道权;王娜;董睛睛 -专利权人：徐州医科大学
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳型石墨烯量子点@介孔二氧化硅纳米材料的制备方法，它是以石墨烯量子点为核，以中空介孔二氧化硅为壳的核壳型纳米颗粒，该纳米颗粒的直径为80~120 nm，荧光发射波长为570~670 nm本方法以有机合成方法制备的GQDs作为核，hMSN作为壳制备GQDs@hMSN。本方法利用有机相合成法制备水溶性GQDs，并直接以GQDs为核，制备石墨烯量子点@致密二氧化硅纳米颗粒，经化学蚀刻，制备兼具GQDs光学性能、hMSN中空介孔结构和丰富表面电荷的复合物。
一种核壳型石墨量子二氧化硅纳米材料制备方法

[发明专利]核壳结构的无镉量子点及其制备方法-CN201910740272.8有效
发明人：梁良;吴龙佳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种核壳结构的无镉量子点的制备方法，包括以下步骤：提供ZnInSe量子点溶液；将所述ZnInSe量子点溶液加热至250℃～300℃，加入锌前驱体溶液混合处理后，同时加入硒前驱体溶液和硫前驱体溶液，调控所述硒前驱体溶液和硫前驱体溶液的加入速率，以反应制备得到ZnInSe/ZnSeS核壳结构量子点或ZnInSe/ZnSeS/ZnS核壳结构量子点。采用该方法可以在光化学稳定性差的ZnInSe量子点表面形成对水氧不敏感的ZnSeS壳层，提高量子点的光化学稳定性，同时提高量子点的荧光特性。
结构量子及其制备方法

[发明专利]量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置-CN202111670612.8在审
发明人：闫晓林;周礼宽;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请公开一种量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置，所述量子点的结构包括量子点核/壳层1/······/壳层n，所述量子点中至少存在一第x层壳层，当x＝1时，壳层1的导带底能级小于与其相邻的量子点核的导带底能级及壳层2的导带底能级，当2≤xn时，壳层x的导带底能级小于与其相邻的壳层x‑1的导带底能级及壳层x+1的导带底能级；和/或所述量子点中至少存在一第y层壳层，当y＝1时，壳层1的价带顶能级大于与其相邻的量子点核的价带顶能级及壳层2的价带顶能级，当2≤yn时，壳层y的价带顶能级大于与其相邻的壳层y‑1的价带顶能级及壳层y+1的价带顶能级。所述量子点可以延缓至少一种载流子注入量子点核内，而降低所述至少一种载流子的注入效率。
量子组合发光二极管显示装置

[发明专利]量子点发光器件及显示装置-CN202111086665.5在审
发明人：陈开敏 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点发光器件及显示装置。量子点发光器件包括阳极、阴极及设在所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述发光层包括至少两层量子点发光层，每层所述量子点发光层均包括核壳结构量子点，所述核壳结构量子点包括核和至少一层包覆在所述核表面的壳层；其中，各层所述量子点发光层的核壳结构量子点的最外层壳层的厚度由所述阳极至所述阴极的方向依次增厚。
量子发光器件显示装置

[发明专利]一种高荧光量子产率核壳量子点的制备方法-CN202210180030.X有效
发明人：吴雪军;陶晨蕾 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种高荧光量子产率核壳量子点的制备方法，包括以下步骤：提供纤锌矿初始量子点；将包含初始量子点与第一阳离子前体、第一阴离子前体、第一配体、第二配体和溶剂在反应容器中混合，在惰性氛围下加热，得到第一产物体系核壳量子点；所述初始量子点为纤锌矿晶相CdSe，所述第一阳离子前体为镉，第一阴离子前体为硫；所述第一配体为脂肪胺，所述第二配体为脂肪酸。本发明核壳量子点的合成方法简单，反应条件温和重复性好；获得的核壳量子点粒径分布均匀、半峰宽窄、荧光量子产率高。
一种荧光量子产率核壳制备方法

[发明专利]一种核壳量子点的合成方法及核壳量子点-CN201810612803.0有效
发明人：刘珊 -专利权人：苏州一佳一生物科技有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳量子点的合成方法，包括：提供包含第一量子点和作为晶种的硫属化合物纳米簇的液相反应体系；使所述液相反应体系发生反应，从而在作为核的第一量子点上包覆壳层，形成具有核壳结构的第二量子点。较之现有技术，本发明通过纳米簇生长形成核壳结构量子点的壳层，因纳米簇的晶种液可制备成高浓度的前驱体，从而不仅避免了含膦溶剂的使用，也节省了其他溶剂的使用，成本低、工艺简单，适合工业化生产。同时该核壳量子点，尺寸较为均一，单分散性较好，发射波长可调控，量子效率高。
一种量子合成方法

[发明专利]一种量子点及其合成方法-CN201810577676.5有效
发明人：蒋秀琴 -专利权人：宁波纳鼎新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点及其合成方法。所述量子点具有核壳结构，其中的核包括CdZnSeS量子点，壳层包括依次包覆所述核的第一CdZnS层、第二CdZnS层、第一ZnS层以及第二ZnS层。所述合成方法包括：提供作为核的CdZnSeS量子点，于所述CdZnSeS量子点上包裹壳层，所述壳层包括依次形成的第一CdZnS层、第二CdZnS层、第一ZnS层和第二ZnS层。本发明的量子点采用双层CdZnS合金过渡层，可在提高吸光度的同时提升效率并且提高稳定性；并且，合成方法反应条件温和，应用前景广泛。
一种量子及其合成方法

[发明专利]QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置-CN202011623146.3在审
发明人：罗健;庄锦勇 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置，其中QLED器件包括依次层叠设置的阳极、复合发光层和阴极，所述复合发光层包括第一量子点层、第二量子点层和连接层，所述连接层位于所述第一量子点层和所述第二量子点层之间，所述第一量子点层和所述第二量子点层材料为核壳量子点，所述连接层材料与所述核壳量子点壳材料相同。其中，连接层有效隔离量子点并增大了第一层量子点和第二层量子点之间的距离，减少量子点之间的堆积，提高量子点的发光效率，延长QLED器件寿命。而且，连接层材料与核壳量子点壳材料保持一致有利于载流子在两层量子点间传输，避免了不同材料间的能极差。
qled 器件制备方法显示装置

[发明专利]一种铜镓硫/硒化锌核壳结构量子点及制备方法和应用-CN202210237233.8在审
发明人：童鑫;尤益民;王志明;李鑫;叶航 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜镓硫/硒化锌核壳结构量子点及制备方法和应用，该制备方法先合成CuGaS2核量子点，再在其表面合成ZnSe壳层。本发明的核壳结构量子点中的ZnSe壳层有效钝化了CuGaS2核大量的表面缺陷，提升了稳定性，并有效抑制了非辐射复合，相对于纯的铜镓硫量子点，硒化锌的壳层包覆有效提高了量子点光电化学电池的饱和光电流本发明的核壳结构量子点可应用于光电化学电池制氢，可提供更多电子注入到光阳极，从而提高光电流密度。
一种铜镓硫硒化锌核壳结构量子制备方法应用

[发明专利]InP/GaP/ZnS核壳量子点及其制备方法-CN201710516796.X有效
发明人：白杰;恒蔚宏 -专利权人：深圳天吉新创科技有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C09K11/70 文献下载
摘要：本发明提供一种InP/GaP/ZnS核壳量子点的制备方法，包括如下步骤：将铟前驱体、镓前驱体和锌前驱体溶解于有机溶剂，得到铟镓锌混合前驱体溶液；将磷前驱体加入所述铟镓锌混合前驱体溶液中，反应后得到InP/GaP:Zn量子点核溶液；向所述InP/GaP:Zn量子点核溶液中间隔多次加入壳层材料进行反应，所述壳层材料为锌盐溶液和硫醇的混合溶液，得到所述InP/GaP/ZnS核壳量子点。本发明的制备方法合成工艺简单，量子产量达60％‑90％，荧光波长范围覆盖510‑650nm。本发明制备的InP/GaP/ZnS核壳量子点的壳层厚度较厚、稳定性好。
inp gap zns 量子及其制备方法

[发明专利]一种量子点及其制备方法-CN202011563056.X有效
发明人：赵治强;高晓斌;阴德贺 -专利权人：北京北达聚邦科技有限公司;魏县聚邦新材料科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点的制备方法，先制得ZnCdSe晶种后在其上生长ZnSe过渡层，然后依次包覆ZnSe壳层和ZnS壳层。本发明还公开了上述制备方法制得的量子点。本发明通过ZnSe过渡层的设置，巩固核与壳层之间的联系，有效控制核及各壳层之间的过渡，减小晶格之间的缺陷；通过脂肪酸抑制量子点中其他晶种的形成，从而控制量子点晶种的成分、大小与均一度，补加阴离子进行晶种的长大成核，形成表面具有ZnSe过渡层的量子点核结构，之后依次外延生长ZnSe壳层和ZnS壳层，减小混晶结构核各组分之间、核与壳之间的晶格应力，制备的量子点可见光内峰位可调、半峰宽窄、量子效率高。
一种量子及其制备方法

[发明专利]III-V族量子点及其制备方法-CN201880004530.X有效
发明人：彭笑刚;李洋 -专利权人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种III‑V族量子点及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：加热II族元素前体和III族元素前体的混合液；加入V族元素前体到混合液中，加热形成包括III‑V族量子点核的第一溶液；加入VI族元素前体到第一溶液中形成III‑V/II‑VI族核壳量子点；纯化III‑V/II‑VI族核壳量子点；将纯化得到的III‑V/II‑VI族核壳量子点分散至第二溶液中；加入活化剂和II族元素前体至第二溶液中；加热第二溶液；加入VI族元素前体至第二溶液中形成III‑V/II‑VI/II‑VI族核/壳/壳量子点。
iii 量子及其制备方法

[发明专利]全无机氧化物高效量子点太阳电池及其制作方法-CN201110388242.9无效
发明人：张宇;张佳全;于伟泳;王一丁;张铁强;林晓珑;冯毅 -专利权人：吉林大学
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型全无机氧化物结构量子点太阳电池及其制作方法。该电池由PbSe/CdSe核壳量子点薄膜、NiO薄膜和ZnO纳米薄膜以及阳极和阴极组成，NiO薄膜作为空穴的收集层；ZnO纳米薄膜作为电子的收集层；PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与ZnO纳米薄膜界面构成异质结，形成的电势差有助于光生电子从PbSe/CdSe核壳量子点薄膜迁移进入氧化物电子收集层，PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与NiO薄膜界面构成异质结；阳极为ITO电极；阴极为Ag电极。其制作方法包括以下步骤：1、NiO薄膜的制备；2、PbSe/CdSe核壳量子点的合成与薄膜制备；3、ZnO纳米薄膜的制备；4、蒸镀电极。
无机氧化物高效量子太阳电池及其制作方法

[发明专利]一种中性HgSe/CdSe/ZnSe双壳量子点及其制备方法-CN202010598195.X有效
发明人：刘西京;刘红雨;陈云 -专利权人：湖北理工学院
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C09K11/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种中性HgSe/CdSe/ZnSe双壳量子点及其制备方法，所述的量子点为在HgSe/CdSe核‑壳量子点外包裹ZnSe量子点形成的核‑壳‑壳结构的双壳量子点，其发射波长为1000‑1400nm本发明在制备HgSe/CdSe核壳量子点时，采用多段瞬时微波增温法进行加热，不同于常规的加热方法，该加热方法可瞬时升温，避免了其他杂物的干扰，完美的实现了成核以及壳层生长所需的最佳反应温度。该量子点具有完美的核壳壳结构，其粒度均一，荧光稳定性好，荧光量子效率高，生物安全性高，发射波长位于第二近红外区域(1000‑1400nm)，可以直接用于生物体内肿瘤检测、深度活体成像以及靶向给药，也可以用于水中三聚氰胺
一种中性 hgse cdse znse 量子及其制备方法

[发明专利]一种铜掺杂磷化铟硒化锌量子点材料及其制备方法和光电化学电池-CN202110643053.5有效
发明人：童鑫;赵宏洋;王志明;李鑫;许国锋 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜掺杂磷化铟硒化锌量子点材料及其制备方法和光电化学电池，在制备时，首先，该新型环保型量子点材料及光电化学电池制备方法如下：合成磷化铟量子点；合成磷化铟/硒化锌核壳量子点；合成一系列壳层铜掺杂的磷化铟/硒化锌量子点；制备一系列新型量子点敏化的光阳极并组装成光电化学电池。本发明还包括上述方法制得的铜掺杂磷化铟硒化锌量子点材料，及该材料作为光阳极的化学电池。本发明通过一系列可控的铜掺杂进入磷化铟/硒化锌核壳量子点壳层，解决了传统量子点光激发电子和空穴复合快、现有光电化学电池耐久性差和光电转化效率低等问题。
一种掺杂磷化铟硒化锌量子材料及其制备方法光电化学电池