专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]CdTe/ZnS/聚醚/叶酸纳米颗粒的制法-CN201110309190.1无效
  • 刘丽炜;胡思怡;范雅 - 长春理工大学
  • 2011-10-13 - 2012-04-25 - A61K49/00
  • 本发明提供了一种纳米颗粒的制备方法。所述的纳米颗粒的内核材料为水性CdTe量子,中间层为ZnS,外壳为聚醚,叶酸作为生物偶联体联接到聚醚包裹后的纳米颗粒上;所用聚醚为F127、F85或F68。所述的CdTe量子粒径为4±0.6nm;所述的CdTe/ZnS量子粒径为8±0.6nm;CdTe与ZnS的间距为4±0.6nm。将具有磁电特性的CdTe量子进行层层包裹,利用微观复合法水相合成制成的纳米颗粒的量子产率高达60%、毒性小、成本低,解决了纳米粒子水溶性问题,稳定性大于6个月。所述的纳米颗粒应用于制备生物显像剂、分子生物探针和靶向载药载体。
  • cdtezns聚醚叶酸核壳型纳米颗粒制法
  • [发明专利]一种量子及其制备方法-CN201910245760.1有效
  • 赵治强;郭海清;王永红 - 北京北达聚邦科技有限公司
  • 2019-03-28 - 2020-06-16 - C09K11/88
  • 本发明公开了一种量子及其制备方法,该量子包括量子及包裹于所述量子上的若干量子层,所述量子与相邻量子层之间设置金属氧化物层,相邻量子层之间或者最外层的量子层上均设置金属氧化物层本发明通过使用提供氧化作用的前驱体,在量子表面都生成金属氧化物层,使量子无论还是每层都得到了有效的保护,阻隔水气、氧气等对量子的侵蚀,从而提高量子的稳定性。使用该量子制备量子膜,在不使用阻水隔氧膜情况下,量子膜在高温、高湿环境下依然保持良好的稳定性,减弱了对昂贵的阻水隔氧膜的依赖,减小成本,对量子点在显示、照明等领域的应用具有重要的意义。
  • 一种量子及其制备方法
  • [发明专利]无镉量子及其制备方法-CN201610860795.2在审
  • 程陆玲;杨一行 - TCL集团股份有限公司
  • 2016-09-28 - 2017-05-10 - C09K11/02
  • 本发明提供了一种无镉量子及其制备方法。所述无镉量子包括量子,在所述量子表面连续生长形成的渐变过渡层,在所述渐变过渡层表面形成的外壳层,其中,所述渐变过渡层包含所述量子中的阳离子、阴离子和所述外壳层中的阳离子、阴离子;且所述无镉量子点中,所述阳离子、阴离子的浓度从内往外依次减小,所述阳离子、阴离子的浓度从内往外依次增加。
  • 无镉核壳量子及其制备方法
  • [发明专利]结构量子及其制备方法,量子点发光薄膜和二极管-CN202011547579.5在审
  • 周礼宽;邹文鑫 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2020-12-24 - 2022-06-28 - C09K11/88
  • 本发明公开了一种结构量子及其制备方法、量子点发光薄膜和量子点发光二极管。所述结构量子包括第一量子的核体和包覆于所述核体的层,所述层的材料包括第二量子,且所述第二量子的带隙小于所述第一量子。本发明结构量子能够使得电子‑空穴对可以直接激发层中第二量子点发光,有效提高了载流子的注入速率,其EQE高,发光效率高。而且还可以对本发明结构量子层厚度的控制调节和对第一量子点选择以控制本发明结构量子点发射波长,从而可以获得全波段的本发明结构量子。本发明量子点发光薄膜和本发明量子点发光二极管的EQE高,发光效率高。
  • 结构量子及其制备方法发光薄膜二极管
  • [发明专利]量子的表面优化方法-CN201610332620.4有效
  • 彭笑刚;濮超丹 - 浙江大学
  • 2016-05-18 - 2020-06-12 - C09K11/02
  • 本发明提供了一种量子的表面优化方法。该量子层为硫化物,该表面优化方法包括:去除具有量子的第一反应体系中的硫化氢,得到去除表面缺陷的量子。由于合成上述量子层过程中硫化氢是不可避免会存在的,且硫化氢是以气体方式存在于体系中,在将具有量子的第一反应体系中的硫化氢去除后,由于硫化氢导致缺陷明显减弱甚至消失,进而使得量子的表面得到优化,提高了其荧光量子产率。
  • 量子表面优化方法
  • [发明专利]Cu掺杂Type-II结构白光量子材料及制备方法-CN201410177779.4有效
  • 解仁国;张卓磊;张颖;杨文胜 - 吉林大学
  • 2014-04-29 - 2014-07-30 - C09K11/02
  • 本发明的Cu掺杂Type-II结构白光量子材料及制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。量子结构中为Cu掺杂的CdS量子,在的基础上包覆ZnSe量子壁以形成II结构,再包覆宽带隙ZnS钝化保护层,最终量子为Cu:CdS/ZnSe/ZnS结构。本发明的量子材料具有连续宽谱白光,具有较大的斯托克斯位移,自吸收较小,具有较高的荧光量子效率和较高的显色指数,光色在空间分布均匀,通过调节内核CdS的尺寸,外壁ZnSe的厚度以及Cu掺杂浓度可调节不同的色度坐标和色温,本发明制备的量子材料在一定温度范围内无光色畸变现象,同时经长时间蓝光激发后,量子仍然具有较好的光稳定性。
  • cu掺杂typeii型核壳结构白光量子材料制备方法
  • [发明专利]一种量子及其制备方法、电子器件-CN201811407089.8有效
  • 胡保忠 - 纳晶科技股份有限公司
  • 2018-11-23 - 2023-05-23 - C09K11/88
  • 本发明公开了一种量子及其制备方法、电子器件。其中量子包括ZnTeSe、包覆于ZnTeSe外的ZnSeS层以及包覆于ZnSeS层外的ZnS层。本发明的量子ZnTeSe/ZnSeS/ZnS,通过在ZnSe中引入一定量的碲,形成均匀的ZnTeSe合金量子,使的禁带宽度变窄,发射波长红移,从而产生460~480nm蓝光的发射。此外通过在ZnTeSe外包覆ZnSeS层,弥补ZnTeSe表面的缺陷,有利于增加量子的光致发光产率和电致发光产率。还通过在ZnSeS层外进一步包覆ZnS层,提高量子的稳定性,从而进一步提高量子产率。
  • 一种量子及其制备方法电子器件

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