专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]量子及其制备方法-CN201910710860.7在审
  • 梁良;吴龙佳 - TCL集团股份有限公司
  • 2019-08-02 - 2021-02-02 - C09K11/88
  • 本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种量子及其制备方法。S1‑y量子和包覆在所述CdxZn1‑xTeyS1‑y量子表面的ZnS层;其中,0<x≤1,0<y≤1。CdxZn1‑xTeyS1‑y合金量子表面包覆具有更宽能级的ZnS半导体层,形成具有结构的量子,可以进一步提高量子的稳定性,而且可以显著提升量子量子产率并且可有效抑制长波区缺陷态发光,在光电技术领域有广泛的应用前景。
  • 量子及其制备方法
  • [发明专利]一种量子及其制备方法-CN201811128678.2有效
  • 周健海 - 纳晶科技股份有限公司
  • 2018-09-27 - 2023-09-26 - C09K11/02
  • 本发明公开了量子及其制备方法,该量子包括CdSe以及由内到外依次包覆于所述CdSe外的CdxZn(1‑x)Se层、ZnSezS(1‑z)层、CdyZn(1‑y)S层、ZnS层,其中0x1,0y1,0<z≤1。本发明的量子的能级结构层层递进,各层之间的晶格不匹配度小,其合金层成分均一,尺寸形貌单分散性好,荧光半峰宽窄,荧光量子产率高,稳定性高,整个合成过程简单,影响因素少,重复性好。
  • 一种量子及其制备方法
  • [发明专利]Zn-CuInSe2-CN202010430611.5有效
  • 邹超;冯鹏宇;罗丽萍;翟兰兰;杨云;张礼杰 - 温州大学
  • 2020-05-20 - 2022-04-19 - C09K11/02
  • 本发明公开了Zn‑CuInSe2/ZnSe量子的合成方法,先用油胺活化二氧化硒,再向其中加入乙酰丙酮铜、醋酸铟和醋酸锌,反应得到Zn‑CuInSe2量子溶液,经多次离心和清洗得到中间产物量子沉淀,被分散在油胺和硫醇中反应,再向其中逐滴注入锌前驱体溶液,得到目标量子溶液,经多次离心和清洗后得到目标量子沉淀本发明摒弃了毒性较大的溶剂配体的使用,无需控制反应气氛,只需要在低温下注入锌前驱体即可实现壳体包覆,制得的目标量子的荧光吸收峰明显蓝移,实现更宽的光捕获范围,荧光强度显著增强,应用在太阳能电池中PCE
  • zncuinsebasesub
  • [发明专利]一种AgInSe2-CN202010891963.0在审
  • 周晨曦;于京华;刘悦 - 济南大学
  • 2020-08-31 - 2020-12-25 - C09K11/88
  • 本发明提供了一种AgInSe2‑CdSe量子的制备方法,属于量子的制备技术领域。在该发明过程中,利用两步水热法,首先通过水热法合成了AgInSe2量子,其中AgInSe2量子的合成需要在氩气饱和条件下通过高温反应制得,AgInSe2‑CdSe结构的制备利用水热法,首先制备Se前驱体溶液,然后将离散量的Cd2+和NaHSe故意添加到了制备的AgInSe2的脱气水溶液中,最后通过正丙醇沉淀,制得AgInSe2‑CdSe量子。该方法制得的AgInSe2‑CdSe量子形貌规整,尺寸均一,在有机溶剂中具有良好的分散性,在光电化学中具有较好的应用前景。
  • 一种aginsebasesub
  • [发明专利]结构纳米晶的制备方法-CN201811173187.X在审
  • 程陆玲;杨一行 - TCL集团股份有限公司
  • 2018-10-09 - 2020-04-17 - C09K11/02
  • 本发明提供了一种结构纳米晶的制备方法,包括:提供量子,将所述量子分散在含有有机胺的溶液中混合并加热;在所述量子表面进行N次层生长,制备N层层,得到结构纳米晶,用于所述生长的源包括源阳离子前驱体和源阴离子前驱体;在不同次序的M次相邻层生长步骤之间,向已形成前一层的层生长反应体系中加入有机羧酸混合并加热后,再进行后一层的生长;其中,N为大于等于2的正整数;M为正整数,且M的取值满足:N/3≤M≤N‑1;将所述结构纳米晶分散在含有第二有机膦的溶液中加热。
  • 结构纳米制备方法
  • [发明专利]结构纳米晶的制备方法-CN201811173589.X在审
  • 程陆玲;杨一行 - TCL集团股份有限公司
  • 2018-10-09 - 2020-04-17 - C09K11/02
  • 本发明提供了一种结构纳米晶的制备方法,包括:提供量子,将所述量子分散在含有有机羧酸的溶液中加热;在所述量子表面进行N次层生长,制备N层层,得到结构纳米晶,用于所述生长的源包括源阳离子前驱体和源阴离子前驱体;在不同次序的M次相邻层生长步骤之间,向已形成前一层的层生长反应体系中加入有机羧酸进行混合并加热后,再进行后一层的生长;其中,N为大于等于2的正整数;M为正整数,且M的取值满足:N/3≤M≤N‑1;将所述结构纳米晶分散在含有第二有机膦的溶液中加热。
  • 结构纳米制备方法

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