专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种CdSe@CdS结构量子的制备方法-CN201610135095.7有效
  • 沈水发;万思;李玲 - 福州大学
  • 2016-03-10 - 2017-09-22 - C09K11/02
  • 本发明属于量子的制备领域,具体涉及一种CdSe@CdS结构量子的制备方法。先在含有硫脲、硒源和过量Cd2+离子的微乳体系中合成出CdSe量子,然后将此反应体系进行水热处理,利用硫脲分解产生的S2‑在CdSe表面外延生长出一层CdS,形成CdSe@CdS结构量子。本发明采用微乳液法和水热处理法相结合,一步加料,两阶段反应,制得尺寸小且均一、粒度易于控制、晶化程度高、单分散性好的CdSe@CdS结构量子。工艺操作简便,对设备要求低。
  • 一种cdsecds结构量子制备方法
  • [发明专利]发光元件及包括其的显示装置-CN202111284161.4在审
  • 金容一 - 三星显示有限公司
  • 2021-11-01 - 2022-07-12 - H01L51/50
  • 根据一实施例的发光元件包括:第一电极;空穴传输区域,布置于第一电极上;发光层,布置于空穴传输区域上,并且包括量子复合体;电子传输区域,布置于发光层上;以及第二电极,布置于电子传输区域上,其中,量子复合体包括两个以上的量子,所述量子包括以及包围与至少一个相邻的量子彼此结合,从而可以改善发光效率及元件寿命。
  • 发光元件包括显示装置
  • [发明专利]QLED器件、显示装置及QLED器件的制备方法-CN201911424141.5有效
  • 眭俊 - 广东聚华印刷显示技术有限公司
  • 2019-12-30 - 2022-08-19 - H01L51/50
  • 本发明公开了一种QLED器件、显示装置及QLED器件的制备方法,其中,QLED器件包括依次层叠设置的基板、底电极、混合发光层和顶电极,混合发光层包括阻隔层,所述阻隔层形成有多个向内凹陷的凹坑,所述凹坑内填充有量子点发光材料,所述阻隔层由无机纳米材料制成,所述量子点发光材料包括量子,所述量子点发光材料与所述阻隔层之间为物理混合,所述无机纳米材料的禁带宽度均大于所述量子材料的禁带宽度。本发明的阻隔层有效隔离量子并增大了量子之间的距离,减少了量子之间的能量转移;由于量子点发光材料与阻隔层之间为物理混合,没有对量子进行化学处理,不改变量子的化学结构,因此不会影响量子点发光产率。
  • qled器件显示装置制备方法
  • [发明专利]含镉量子及其制备方法及其应用-CN202110489233.2有效
  • 乔培胜;周鑫;汪均;周健海 - 纳晶科技股份有限公司
  • 2021-05-06 - 2023-10-27 - C09K11/88
  • 本公开提供了一种含镉量子及其制备方法及其应用。含镉量子包括第一半导体材料的,以及设置在上的第二半导体材料的,其中含镉量子包括镉、锌、硒和硫,包括CdSe,包括第一和设置在第一上的第二,第一包括CdZnSe,第二包括ZnS,第一中的各个元素分布均匀,含镉量子还包括金属元素,金属元素包括IA元素、IIA元素中的一种或多种,还包括IIIA元素、IVA元素中的一种或多种;含镉量子的紫外可见吸收光谱具有第一吸收峰,第一吸收峰的吸收度为Iab大于等于10,含镉量子的荧光发射峰的半峰全宽小于等于20nm。具有该结构的量子具有较低的含镉量的同时,表现出改善的发光性质。
  • 量子及其制备方法应用
  • [发明专利]量子、其制备方法、及含其的光电器件和量子组合物-CN201911150389.7在审
  • 周健海;余世荣 - 纳晶科技股份有限公司
  • 2019-11-21 - 2021-05-21 - C09K11/02
  • 本发明提供了量子、其制备方法、及含其的光电器件和量子组合物。该制备方法包括:步骤S1,制备含有II‑VI族纳米团簇的第一溶液,并将提前准备好的量子与第一溶液混合并加热,以使II‑VI族纳米团簇与量子至少部分发生合金化,以在量子外包覆第一II‑VI族层。由于量子与纳米团簇融合过程一开始就直接合金化,从而能够在包覆II‑VI层初期就抑制激子扩散,使荧光峰位置直接发生荧光蓝移,进而不仅能够使得采用的量子具有更小的尺寸,还能够得到蓝光发射的合金量子;并且,上述制备方法先形成合金层,后形成层,能够制备得到荧光半峰宽窄的量子,荧光量子产率更高,合金层更厚,且光学稳定性优异。
  • 量子制备方法光电器件组合

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