专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种ZnSe/ZnS/量子的制备方法-CN200610024520.1无效
  • 黄维;何耀;汪联辉;范曲立;陆昊婷;赛丽曼;胡梅;赖文勇 - 复旦大学
  • 2006-03-09 - 2006-09-20 - C09K11/56
  • 本发明属于纳米材料和生物分析检测技术领域,具体为一种制备水溶性ZnSe/ZnS/量子的光降解辅助程序控制微波制备方法。在水相中将锌盐或锌的氧化物与水溶性巯基乙酸混合,注入采用亚硫酸钠或亚硫酸钾与硒粉反应生成的亚硫酸硒钠或亚硫酸硒钾,得到ZnSe前体溶液,然后将此溶液置于微波辐射专用玻璃管中,在微波反应器中进行程序控制微波辐射,制备ZnSe量子再将制备得到的ZnSe量子进行光降解得到高荧光量子效率水溶性ZnSe/ZnS/量子。本方法完全在水相中进行,操作安全、简便,毒性小。所得产物荧光量子产率高,稳定性好,具有良好水溶性,可以广泛用于生物检测和分析的荧光标记物。
  • 一种znsezns量子制备方法
  • [发明专利]发光装置-CN201880090484.X有效
  • 兼弘昌行 - 夏普株式会社
  • 2018-03-07 - 2023-05-23 - H05B33/14
  • 在具备量子的发光装置中,为了有效地防止量子的氧化提供了一种具备发光元件(P)的发光装置(2),发光元件(P)包含第一电极(6)、第二电极(18)以及在所述第一电极(6)和所述第二电极(18)之间的量子层(18);在量子层(12)中层叠有量子(20),量子(20)包含(22)、覆盖该(22)的(24)、在该(24)的表面配位且具有抗氧化性的配体(26)。
  • 发光装置
  • [发明专利]结构纳米晶的制备方法-CN201811173681.6在审
  • 程陆玲;杨一行 - TCL集团股份有限公司
  • 2018-10-09 - 2020-04-17 - C09K11/88
  • 本发明提供了一种结构纳米晶的制备方法,包括以下步骤:提供量子,将所述量子分散在含有有机胺的溶液中进行加热处理;在所述量子表面进行N次层生长,制备N层层,得到结构纳米晶,用于所述生长的源阳离子前驱体为金属有机羧酸盐;在不同次序的M次相邻层生长步骤之间,向已形成前一层的层生长反应体系中加入有机胺进行混合和加热后,再进行后一层的生长;其中,N为大于等于2的正整数;M为正整数,且M的取值满足:N/3≤M≤N‑1;将所述结构纳米晶分散在含有有机酸的溶液中进行加热处理。
  • 结构纳米制备方法
  • [发明专利]结构纳米晶的制备方法-CN201811173683.5在审
  • 程陆玲;杨一行 - TCL集团股份有限公司
  • 2018-10-09 - 2020-04-17 - C09K11/02
  • 本发明提供了一种结构纳米晶的制备方法,包括以下步骤:提供量子,将所述量子分散在含有有机胺的溶液中进行加热处理;在所述量子表面进行N次层生长,制备N层层,得到结构纳米晶,用于所述生长的源阳离子前驱体为金属有机羧酸盐;在不同次序的M次相邻层生长步骤之间,向已形成前一层的层生长反应体系中加入有机胺进行混合和加热后,再进行后一层的生长;其中,N为大于等于2的正整数;M为正整数,且M的取值满足:N/3≤M≤N‑1;将所述结构纳米晶分散在含有有机膦的溶液中进行加热处理。
  • 结构纳米制备方法
  • [发明专利]结构纳米晶的制备方法-CN201811174089.8在审
  • 程陆玲;杨一行 - TCL集团股份有限公司
  • 2018-10-09 - 2020-04-17 - C09K11/02
  • 本发明提供了一种结构纳米晶的制备方法,包括以下步骤:提供量子,将所述量子分散在含有有机羧酸的溶液中进行加热处理;在所述量子表面进行N次层生长,制备N层层,得到结构纳米晶,用于所述生长的源阳离子前驱体为金属有机羧酸盐;在不同次序的M次相邻层生长步骤之间,向已形成前一层的层生长反应体系中加入有机胺进行混合和加热后再进行后一层的生长;其中,N为大于等于2的正整数;M为正整数,且M的取值满足:N/3≤M≤N‑1;将所述结构纳米晶分散在含有有机酸的溶液中进行加热处理。
  • 结构纳米制备方法
  • [发明专利]结构纳米晶的制备方法-CN201811174099.1在审
  • 程陆玲;杨一行 - TCL集团股份有限公司
  • 2018-10-09 - 2020-04-17 - C09K11/02
  • 本发明提供了一种结构纳米晶的制备方法,包括以下步骤:提供量子,将所述量子分散在含有有机羧酸的溶液中进行加热处理;在所述量子表面进行N次层生长,制备N层层,得到结构纳米晶,用于所述生长的源阳离子前驱体为金属有机羧酸盐;在不同次序的M次相邻层生长步骤之间,向已形成前一层的层生长反应体系中加入有机胺进行混合和加热处理后再进行后一层的生长;其中,N为大于等于2的正整数;M为正整数,且M的取值满足:N/3≤M≤N‑1;将所述结构纳米晶分散在含有有机膦的溶液中进行加热处理。
  • 结构纳米制备方法
  • [发明专利]一种改善量子点发光二极管寿命的方法-CN201510068498.X有效
  • 申怀彬;吝青丽;李林松 - 河南大学
  • 2015-02-10 - 2017-12-08 - H01L33/06
  • 本发明属于电致发光器件领域,涉及一种改善量子点发光二极管寿命的方法,其作为发光层的量子和核体积比大于601。所选用量子层材料均为II‑VI族材料,可以为CdSe/ZnS、CdSe/ZnCdS/ZnS、CdSe/CdS、ZnCdSe/ZnS或ZnCdSe/ZnSe/ZnS等。层可由ZnCdS与ZnS、或ZnSe与ZnS等复合而成。该方法利用“巨量子作为发光层,有效地抑制了量子的荧光闪烁,提高了其抗光漂白的能力,并由此有效地改善了半导体荧光量子作为发光层的电致发光器件的寿命。
  • 一种改善量子发光二极管寿命方法

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