专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种量子点及其合成方法与应用-CN201811017169.2有效
  • 张超;李霞;张孟 - 宁波纳鼎新材料科技有限公司
  • 2018-08-31 - 2021-09-07 - C09K11/88
  • 本发明公开了一种量子点及其合成方法。所述量子点具有核壳结构,其中的核包括III‑V族量子点,所述III‑V族量子点上依次包覆有In2S3过渡层和ZnS壳层。所述量子点的合成方法,包括:提供作为核的III‑V族量子点;于所述III‑V族量子点上依次包覆In2S3过渡层和ZnS壳层。本发明通过在量子点核的包覆壳层中加入硫化铟(In2S3)过渡层,提高了壳层晶格常数与带宽的匹配度,提高了与量子点核层的能级匹配度,使得量子点结构更加致密,从而提高了量子点的量子效率,提高了其光学性能和稳定性,降低了半峰宽。
  • 一种量子及其合成方法应用
  • [发明专利]一种具有高蓝光吸收率的量子点及其制备方法-CN201811477371.3有效
  • 张孟;张超 - 宁波纳鼎新材料科技有限公司
  • 2018-12-04 - 2021-06-01 - C09K11/88
  • 本发明公开了一种具有高蓝光吸收率的量子点及其制备方法。所述量子点包括核,所述核上依次包覆有第一壳层及第二壳层,所述核的组成为CdZnSeS,所述第一壳层的材质为In2S3,所述第二壳层的材质为ZnS。本发明在量子点核外包覆In2S3,可以提高量子点对激发光蓝光的吸收能力,降低大浓度下量子点自吸收,提高量子点发光强度,降低能耗,在保证了对蓝色激发光的高吸收能力的同时,降低量子点用量,量子点具有低镉含量、高蓝光吸收率。同时可以降低重金属的含量,减少环境污染,降低生产成本,并得到厚度薄、亮度高、色彩纯正的量子点膜,使更适合应用于以蓝光作为激发光源的光致发光相关应用。
  • 一种具有高蓝光吸收率量子及其制备方法
  • [发明专利]量子点的合成方法及应用该合成方法合成的量子点-CN201810616797.6有效
  • 雷双全;蒋秀琴 - 宁波纳鼎新材料科技有限公司
  • 2018-06-14 - 2021-03-26 - C09K11/02
  • 本发明公开一种量子点的合成方法,包括:提供至少包含作为晶种的两种以上II‑VI纳米簇、配位型溶剂和/或非配位型溶剂的液相反应体系,或者,提供至少包含作为晶种的一种以上II‑VI纳米簇、金属阳离子前驱体和/或阴离子前驱体、配位型溶剂和/或非配位型溶剂的液相反应体系;使所述液相反应体系反应,形成合金化的量子点核;以及在所述合金化的量子点核上包覆壳层,从而获得量子点。较之现有技术,本发明利用II‑VI纳米簇晶种液分解重组合金化以制备量子点,由于II‑VI纳米簇晶种液的浓度可以制备到很高,从而提升了量子点核在反应体系中的浓度,进而提升了单位体积内量子点产量,节约了成本,适合工业化生产。
  • 量子合成方法应用
  • [发明专利]一种量子点及其合成方法-CN201810577676.5有效
  • 蒋秀琴 - 宁波纳鼎新材料科技有限公司
  • 2018-06-07 - 2020-10-16 - C09K11/88
  • 本发明公开了一种量子点及其合成方法。所述量子点具有核壳结构,其中的核包括CdZnSeS量子点,壳层包括依次包覆所述核的第一CdZnS层、第二CdZnS层、第一ZnS层以及第二ZnS层。所述合成方法包括:提供作为核的CdZnSeS量子点,于所述CdZnSeS量子点上包裹壳层,所述壳层包括依次形成的第一CdZnS层、第二CdZnS层、第一ZnS层和第二ZnS层。本发明的量子点采用双层CdZnS合金过渡层,可在提高吸光度的同时提升效率并且提高稳定性;并且,合成方法反应条件温和,应用前景广泛。
  • 一种量子及其合成方法
  • [发明专利]一种含硒量子点及其合成方法-CN201911314362.7在审
  • 张超;张孟;席玉坤;李霞;段永杰;蒋秀琴;白少军 - 宁波纳鼎新材料科技有限公司
  • 2019-12-19 - 2020-03-24 - C09K11/02
  • 本发明公开了一种含硒量子点及其合成方法。所述含硒量子点的合成方法包括:向包含量子点核的反应体系中加入硒源和阳离子源,从而在量子点核上包覆壳层,形成具有核壳结构的量子点;其中,所述硒源包括二硒化碳。本发明以二硒化碳与胺类结合作为硒源,与传统使用三辛基膦硒和三丁基磷硒作为硒源合成的量子点相比较,避免使用昂贵的三丁基磷和三辛基膦简化了制备工艺,减少了部分前驱体的使用,减少了能源的使用,尤为适用于目前量子点产业化的各方面需求;同时本发明所获量子点的尺寸均一,单分散性较好,发射波长可调控,量子效率高。
  • 一种量子及其合成方法

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