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[实用新型] 一种防反接防打火电路 -CN201120307082.6 有效
发明人：
胡勇 ;张伟大
- 专利权人：
北京动力源科技股份有限公司
申请日：
2011-08-19
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公布日：
2012-03-21
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主分类号：
H02J7/00 文献下载
摘要： 本实用新型公开了一种防反接防打火电路，该电路包括：第一电阻 、第二电阻 、第三电阻 、第一开关管、第二开关管和第三电容；所述第一电阻 连接在所述第一开关管的漏极和所述第二开关管的漏极之间；所述第一开关管的漏极连接在电源的负输出端或者正输出端；所述第二开关管的漏极连接在蓄电池的负极或者正极；所述第二开关管的栅极 与所述电源的正输出端或者负输出端相连；所述第一开关管源极与所述第二开关管的源极相连；所述第二电阻 连接在所述第一开关管的栅极 和所述第二开关管的栅极 之间；所述第三电阻 连接在所述第二开关管的源极和所述第二开关管的栅极 之间；所述第三电容连接在所述第一开关管的源极和所述第一开关管的栅极 之间。一种 防反 接防 打火 电路
[实用新型] 一种低功耗唤醒电路 -CN202220095462.6 有效
发明人：
曹宇宁 ;缪爱军 ;王明仁
- 专利权人：
威兹曼电源（苏州）有限公司
申请日：
2022-01-14
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公布日：
2022-07-01
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主分类号：
H01M10/42 文献下载
摘要： 本实用新型公开了一种低功耗唤醒电路，其包括第一MOS管、第二MOS管、按键、MCU以及电源管理芯片；第一MOS管为PMOS管，其栅极 与源极之间连接有第一电阻 ，其栅极 通过第二电阻 连接按键，其源极连接电池正极，其漏极连接电源管理芯片及充电接口；第二MOS管为NMOS管，其栅极 与源极之间连接有第三电阻 ，其栅极 通过第四电阻 连接MCU，其漏极通过第五电阻 连接第一MOS管的栅极 ，其源极接地；按键被按下后与其连接的线路被接地本实用新型中，系统闲置时，第一MOS管将电池的输出线路切断，在用户按下按键后第一MOS管导通，且MCU通过第四电阻 作用于第二MOS管使系统自锁，实现系统唤醒，在优选方案中，还能通过检测系统是否闲置自动关断以及在充电接口接入充电机后自动唤醒一种 功耗 唤醒 电路
[实用新型] 一种点触使能的控制电路 -CN201521107596.1 有效
发明人：
梁柱
- 专利权人：
深圳市沃特玛电池有限公司
申请日：
2015-12-26
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公布日：
2016-05-18
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主分类号：
H03K17/96 文献下载
摘要： 本实用新型公开了一种点触使能的控制电路，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q4、电阻 R1、电阻 R2、电阻 R3、电阻 R4、电容C1和开关J2；电阻 R1、电阻 R2和电容C1依次串联连接在电源V1的正、负极之间；MOS管Q1的栅极 通过开关J2连接至电容C1与电阻 R2的串联连接端，MOS管Q1的漏极连接至电阻 R1与电阻 R2的串联连接端，MOS管Q1的源极接地；MOS管Q2的栅极 连接至电阻 R1与电阻 R2的串联连接端，MOS管Q2的漏极通过电阻 R3连接至电源V1的正极，MOS管Q2的源极接地；MOS管Q4的栅极 与MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q4的栅极 还通过电阻 R4与MOS管Q1的栅极 连接；MOS管Q4的源极连接至电源一种 点触使能 控制电路
[发明专利] 低耗损功率装置及其制造方法 -CN202110572569.5 在审
发明人：
李绍曾
- 专利权人：
蓁创科技有限公司
申请日：
2021-05-25
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公布日：
2021-12-03
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主分类号：
H01L29/78 文献下载
摘要： 现有的半导体晶体管制程可形成横向延伸邻接传统栅极 结构。可改变这些横向栅极 延伸下方的介电厚度，以使装置通道电阻 最佳化，阻止在高工作电压击穿。延伸栅极 不受光刻尺寸解析度和对准能力的限制，并且与传统制程相容，以便于与其他装置集积。薄介电层可形成在延伸栅极 下以降低通道电阻 。厚介电层可形成在延伸栅极 下以改善工作电压范围。本发明提供具有横向栅极 延伸的创新结构，可称之为EGMOS(extended gate metal oxide semiconductor，延伸栅极 金属氧化物半导体)。耗损 功率 装置 及其 制造 方法
[发明专利] 一种用于串联IGBT的均压保护电路 -CN201611027624.8 有效
发明人：
张明 ;王栋煜
- 专利权人：
华中科技大学
申请日：
2016-11-17
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公布日：
2019-09-06
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主分类号：
H03K17/567 文献下载
摘要： 本发明公开了一种用于串联IGBT的均压保护电路，包括电压采集模块、第i比较器、控制模块以及栅极 电阻 模块；其中，i为1～N的任意整数，N为自然数；所述电压采集模块的第i输出端连接第i比较器，所述第i比较器的第一输出端连接栅极 电阻 模块的第i输入端，第一比较器的第二输出端连接控制模块的输入端，所述控制模块的输出端连接栅极 电阻 模块的第N+1输入端，所述栅极 电阻 模块的输出端作为所述均压保护电路的输出端。本发明利用设定阈值，并根据集射极电压信号来获取方波信号，从而更改栅极 电阻 的大小，可以调整集射极电压的上升速率，减少了峰值电压，同时抑制了因信号传递线路杂散参数不同带来的过压影响，可以避免IGBT在串联工作当前关断阶段与整个工作周期中的过压损坏风险一种 用于 串联 igbt 保护 电路
[实用新型] 一种模拟开关 -CN201520706062.4 有效
发明人：
周磊
- 专利权人：
衢州市沃思电子技术有限公司
申请日：
2015-09-11
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公布日：
2015-12-16
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主分类号：
H03K17/687 文献下载
摘要： 本实用新型公开一种模拟开关，N沟道场效应管Q1漏极和P沟道场效应管Q2漏极连接后经电阻 R1接至电源正端，沟道场效应管Q1源极经电阻 R2接地，N沟道场效应管Q1栅极 经并联电容C1和二极管D1接至栅极 控制端，P沟道场效应管Q2栅极 经并联电容C2和二极管D2接至栅极 控制端，P沟道场效应管Q2源极经电阻 R3接地；N沟道场效应管Q1’漏极和P沟道场效应管Q2’漏极连接后经电阻 R1’接至电源负端，沟道场效应管Q1’源极经电阻 R2’接地，N沟道场效应管Q1’栅极 经并联电容C1’和二极管D1’接至栅极 控制端，P沟道场效应管Q2’栅极 经并联电容C2’和二极管D2’接至栅极 控制端，P沟道场效应管Q2’源极经电阻 R3’接地一种 模拟 开关
[发明专利] 高压工艺集成电路方法 -CN201710851519.4 在审
发明人：
王惠惠 ;金锋 ;邓彤
- 专利权人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：
2017-09-19
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公布日：
2018-03-09
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主分类号：
H01L21/8249 文献下载
摘要： 包含步骤1，在P型衬底上注入形成N型深阱,以及注入形成P阱；在高阻区域形成热氧化层；步骤2，对器件表面进行杂质的整体注入，调整N型深阱区硅表面掺杂的浓度，进而调整PMOS阈值电压达到设计要求；步骤3，淀积栅极 热氧化层及多晶硅，进行低掺杂注入，调节多晶硅电阻 值达到高值电阻 的阻值要求,完成多晶硅栅极 及高值电阻 的刻蚀成型，完成CMOS中PMOS和NMOS的源漏极注入；步骤4,淀积层间介质，刻蚀接触孔并制作电极、引出。本发明采用CMOS栅极 多晶硅的低掺杂P型注入来调节高值电阻 的电阻 值，利用CMOS的源区及漏区注入来同时调整多晶硅栅极 的方块电阻 ，省掉高值电阻 的一次光刻步骤，节省了工艺成本。高压 工艺 集成电路 方法
