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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]闪存的编程验证优化方法-CN201110257443.5在审
发明人：杨光军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开一种闪存的编程验证优化方法，该闪存具有第一存储单元与第二存储单元，包括如下步骤：对该第一存储单元进行编程；均衡字线电压与该第二存储单元的位线电压，完成后断开；均衡该字线电压与该第二存储单元的控制栅电压，完成后断开；均衡该字线电压与该第一存储单元的控制栅电压，完成后断开；以及进行验证操作，本发明通过对原先进行放电的电压经过均衡处理，不仅减少了电荷的浪费，而且有效的优化了编程验证速度。
闪存编程验证优化方法

[发明专利]铅酸蓄电池极板固化架及其制备工艺-CN201610630176.4在审
发明人：程先清;陈健;刘克宇;徐进;罗旭 -专利权人：湖北润阳新能源有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01M4/21 文献下载
摘要：本发明提出了一种铅酸蓄电池极板固化架及其制备工艺，省去了淋酸和表面快速干燥的环节，更加高效和节能，降低成本；无需使用涂板纸，能同时适用于铅带式极板和重力浇铸极板，且不会增大电池阻值，影响大电流放电性能；极板没有经过高温，边框、极耳部位栅膏结合好，板栅各部位腐蚀一致，三次跌落掉粉量是普通极板的40％；本发明的固化架中极板是等间距非紧密固化，固化过程中气流、热量循环均匀，极板间不会产生高温，化学成分一致。
蓄电池极板固化及其制备工艺

[发明专利]一种采用SiC功率管的桥式功率转换器的栅驱动电路-CN201610570855.7在审
发明人：孙伟锋;夏熙;朱俊杰;刘鹏;钱钦松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：一种采用SiC功率管的桥式功率转换器的栅驱动电路，包括两部分结构相同的电路，每部分电路均包括初级开关电路、隔离变压器和RCD电平移位电路，将传统的耦合隔离变压器分成了分立的隔离变压器，次级功率管由分立的初级驱动电路分别控制驱动本发明可以大大降低谐振栅驱动电路的驱动损耗，降低SiC功率管发生误导通的概率，同时降低SiC功率管上下两管出现直通的概率，可靠性好，效率高。
一种采用 sic 功率管功率转换器驱动电路

[发明专利]SONOS器件结构及形成该器件的方法-CN201610924432.0在审
发明人：张强;黄冠群;丁航晨 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：根据本发明的SONOS器件结构包括：硅衬底、形成在硅衬底中的源极和漏极、形成在硅衬底上的多层结构的栅极；其中所述栅极从下至上包括：隧穿氧化硅层、氮化硅层、阻挡氧化硅层和多晶硅控制栅，所述隧穿氧化硅层与硅衬底相接触；其中，在多晶硅控制栅侧壁上形成有第一栅极侧墙，在第一栅极侧墙以及隧穿氧化硅层、氮化硅层、阻挡氧化硅层的侧壁上形成有第二栅极侧墙。
sonos 器件结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510089886.6在审
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层和位于所述介质层表面的浮栅材料层；依次刻蚀所述浮栅材料层、介质层和半导体衬底，形成若干凹槽，所述凹槽的底部位于半导体衬底内；
半导体结构形成方法

[发明专利]薄膜晶体管基底、其制造方法、显示装置及其制造方法-CN201610227491.2在审
发明人：李在贤 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：第一TFT包括具有第一氢密度的第一有源图案和与第一有源图案的一部分叠置的第一栅电极。第二TFT包括具有比第一氢密度高的第二氢密度的第二有源图案和与第二有源图案的一部分叠置的第二栅电极。
薄膜晶体管基底制造方法显示装置及其

[发明专利]一种阶梯p‑GaN增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管-CN201710021083.6在审
发明人：段宝兴;谢慎隆;郭海君;袁嵩;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该晶体管结构是在晶体管栅极边缘引入p型GaN帽层，该帽层厚度小于栅下p型GaN介质层的厚度。该p型GaN帽层会降低该区域导电沟道的二维电子气浓度，实现电场调制效应。通过产生新的电场峰，降低了栅边缘的高电场，使晶体管表面的电场分布更加均匀。与传统p‑GaN增强型结构相比，本发明在击穿电压和可靠性方面有了明显的提高与改善。
一种阶梯 gan 增强 algan 异质结场效应晶体管

[发明专利]提高功率的IBC电池互联结构-CN201710046890.3在审
发明人：李华;鲁伟明 -专利权人：泰州乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明通过将电池分成半片或者多片来降低由于电流较大造成的功率损失，也通过电池主栅线的重新设计来降低电池的串联电阻，减少主栅印刷时的工艺复杂性，从而最大限度的提高组件的功率。
提高功率 ibc 电池联结

[发明专利]一种塑壳断路器灭弧室装配夹具及其操作方法-CN201610824641.8在审
发明人：陈佳成;姚立锋;楼伟国 -专利权人：杭州之江开关股份有限公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B25B27/02 文献下载
摘要：包括灭弧栅片和隔弧板，所述的灭弧栅片的两侧端分别设有隔弧板，还包括底座、定位组件和气缸组件，所述的底座的上部设有龙门支架，所述的底座的上部设有定位组件，所述的龙门支架中设有与定位组件相匹配对应的气缸组件
一种断路器灭弧室装配夹具及其操作方法

[发明专利]一种无网结网版-CN201710054275.7在审
发明人：欧敏;陈少禧 -专利权人：赫日光电（苏州）有限公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B41F15/36 文献下载
摘要：纬线与纬线之间平行设置，经线与纬线之间垂直设置，经线和纬线与网框的接触处通过粘贴固定，网框的中部设置有印刷图形，印刷图形中横向的印刷线条落入与经线方向平行的一个网格中间，印刷图形纵向的图形边框、纵向的防断栅竖线、纵向的主栅边缘均设置为波浪形结构。
一种结网

[发明专利]一种阵列基板、显示装置及其制作方法-CN201710229051.5在审
发明人：周星宇 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：第一栅极电极层；第一绝缘层；沟道层；源极和漏极电极层；第二绝缘层；间隔设置的像素电极层和第二栅极电极层，形成在所述第二绝缘层上；其中，所述第二栅极电极层与所述第一栅极电极层以及所述源极和漏极电极层形成双栅结构的薄膜晶体管通过上述方式，形成双栅结构的薄膜晶体管TFT，进一步增大阵列基板的驱动力。
一种阵列显示装置及其制作方法

[发明专利]顶栅型薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板-CN201710224236.7在审
发明人：张建业;李伟;张星 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板，包括形成在衬底基板与有源层之间的遮光层，所述遮光层采用非金属材料制成。本发明提供的顶栅型薄膜晶体管以非金属材料作为遮光层，不但避免了金属层作为遮光层所产生的寄生电容，并且可以有效地减少漏光对有源区影响，从而有效地提升了产品良率和器件性能。
顶栅型薄膜晶体管及其制作方法阵列显示面板

[发明专利]鳍状场效晶体管-CN201611024390.1在审
发明人：张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述栅极结构包括设置于衬底上的堆叠条以及设置于堆叠条上的栅电极堆叠。所述多个间隔物设置于栅极结构的相对侧壁上，且栅电极堆叠与相对设置的间隔物的侧壁相接触。
鳍状场效晶体管

[发明专利]像素电路和具有该像素电路的显示装置-CN201710131262.5在审
发明人：徐映嵩 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：公开了一种像素电路，其包括有机发光二极管；驱动晶体管，与所述有机发光二极管串联连接并且具有连接到第一节点的栅极和连接到第二节点的漏极；双栅晶体管，耦合在所述第一节点与所述第二节点之间；以及漏电流抑制结构，用于抑制由流过所述双栅晶体管的漏电流引起的所述有机发光二极管的驱动电流的变化。
像素电路具有显示装置

[发明专利]一种降噪冷却风扇-CN201710564585.3在审
发明人：李小顺 -专利权人：李小顺
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： F04D25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种降噪冷却风扇，该降噪冷却风扇包括进气段外壳、中间段外壳、排气段外壳、驱动电机以及连接在驱动电机上的风叶，其中，所述进气段外壳与所述中间段外壳之间设置有整流网；所述排气段外壳的空腔内设置有排气导向叶栅，所述驱动电机连接在所述排气导向叶栅上。
一种冷却风扇

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