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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610132045.X无效
发明人：林兑泓 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括具有凹陷表面的半导体衬底；在该半导体衬底的凹陷表面上形成的栅绝缘层；在该栅绝缘层上形成的栅电极；以及在该栅电极两侧形成的源极/漏极区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]基于外延层的纳米线器件及其制造方法及包括其的电子设备-CN201610467229.5有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：公开了半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；与衬底相隔开的至少一条沿弯曲纵向延伸方向延伸的半导体纳米线；在衬底上形成的隔离层，隔离层露出半导体纳米线；以及在隔离层上形成的与半导体纳米线相交的栅堆叠，其中栅堆叠包括至少部分环绕半导体纳米线外周的栅介质层以及栅导体层
基于外延纳米器件及其制造方法包括电子设备

[发明专利]半导体器件及其沟槽栅结构的制造方法-CN202011416328.3在审
发明人：尹率;宋彦松;方宇;景晓娟;黄留敏;周源;王玉 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其沟槽栅结构的制造方法，该沟槽栅结构的制造方法包括：在半导体结构表面形成牺牲层，其中半导体结构包括半导体层、位于半导体层中的沟槽、覆盖于半导体层上并填充于沟槽内的栅极导体层，且对应于沟槽的栅极导体层表面具有凹陷结构，牺牲层至少填充凹陷结构的一部分；同步刻蚀牺牲层与栅极导体层，以平坦化栅极导体层的表面。该沟槽栅结构的制造方法在保证该半导体器件的沟槽栅结构具有较高质量的同时，还降低了沟槽栅结构的制造难度与制造成本。
半导体器件及其沟槽结构制造方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201410790512.2在审
发明人：刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成伪栅结构，所述伪栅结构包括：位于半导体衬底表面的伪栅介质层和位于所述伪栅介质层表面的伪栅极；在所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成源漏区；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层的表面与伪栅结构表面齐平，且覆盖伪栅结构的侧壁，所述介质层的材料与伪栅介质层的材料不同；去除所述伪栅极，形成凹槽；采用湿法刻蚀工艺去除所述凹槽底部的伪栅介质层，所述湿法刻蚀工艺中，所述伪栅介质层的刻蚀速率大于介质层的刻蚀速率；在所述凹槽内形成栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极。
晶体管形成方法

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN200410069834.4有效
发明人：小野瑞城 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2000-09-29 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种场效应晶体管，它包含：半导体衬底；制作在半导体衬底上的栅电极；制作在栅电极和半导体衬底之间的栅绝缘膜，此栅绝缘膜从栅电极的至少一个彼此相对的端部退出；制作在栅电极的至少一个彼此相对的侧表面上的层间绝缘膜，使位于栅绝缘膜退出一侧上的层间绝缘膜部分与半导体衬底接触，并由栅电极、栅绝缘膜和衬底产生一个空洞；以及沿栅电极的彼此相对的侧表面制作在半导体衬底表面部分中的源/漏区，此源/漏区具有位于栅电极紧邻下方的相对的端部，各个相对的端部具有覆盖栅电极的覆盖区。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911296982.2在审
发明人：李演光;姜声珉;金敬珉;禹珉希;姜俊求;金荣睦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括其中顺序堆叠了下半导体层、绝缘填隙层和上半导体层的衬底。栅结构设置在上半导体层上。源/漏电极设置在栅结构的侧壁上。半导体图案设置在源/漏电极与上半导体层之间。栅结构包括栅电极和隔墙结构。隔墙结构包括顺序设置在栅电极的侧壁上的第一隔墙图案、第二隔墙图案和第三隔墙图案。半导体图案延伸到第三隔墙图案的底表面下方的区域并连接到第二隔墙图案。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的平板显示器-CN201210311792.5在审
发明人：安定根;李王枣 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的平板显示器。所述半导体器件包括位于衬底上的半导体层、通过栅绝缘层与半导体层电绝缘的栅电极、位于栅绝缘层和栅电极上的绝缘层以及位于绝缘层上的源电极和漏电极，源电极和漏电极与半导体层连接。源电极和漏电极之一与栅电极的至少一部分重叠。源电极和漏电极之一、绝缘层和栅电极彼此重叠，以便提供电容器。
半导体器件包括平板显示器

[发明专利]半导体器件结构及其制造方法-CN201010230771.1有效
发明人：钟汇才;梁擎擎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体器件结构及其制造方法，涉及半导体制造领域。该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅电极线；在所述栅电极线外侧形成侧墙；在所述栅电极线两侧的半导体衬底上形成源/漏区；在所述栅电极线或源/漏区上形成接触孔；其中，在所述侧墙形成后至所述半导体器件结构的前道工艺完成之前，将所述栅电极线进行切割以形成电隔离的栅电极。
半导体器件结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710811212.1在审
发明人：吉富敦司;川岛祥之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提高具有非易失性存储器的半导体器件的可靠性和性能。控制栅电极经由第一绝缘膜形成在半导体衬底上。存储器栅电极经由具有电荷积累部的第二绝缘膜形成在半导体衬底上。第二绝缘膜横跨半导体衬底和存储器栅电极之间以及控制栅电极和存储器栅电极之间地形成。在控制栅电极和存储器栅电极之间，第三绝缘膜形成在第二绝缘膜和存储器栅电极之间。第三绝缘膜未形成在存储器栅电极之下。存储器栅电极的一部分存在于第三绝缘膜的下端面之下。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]反熔丝结构及其制作方法-CN201911038763.4有效
发明人：李雄;冯鹏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中具有浅沟槽隔离结构、有源区和反熔丝区；利用离子注入工艺和沉积工艺，在所述半导体衬底上形成所述栅氧化材料层；在形成所述栅氧化材料层的半导体基板上形成栅电极；对所述栅电极和所述栅氧化材料层进行刻蚀，形成栅极和栅氧化层，其中所述栅氧化层覆盖反熔丝区，所述栅极覆盖所述栅氧化层，且所述栅氧化层的有效厚度不大于5nm；在所述半导体衬底内形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述栅氧化层两侧的所述有源区
反熔丝结构及其制作方法

[发明专利]半导体功率器件及其控制方法-CN202110788277.5在审
发明人：龚轶;毛振东;徐真逸;刘伟 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件及其控制方法，包括：位于半导体衬底内的若干个栅沟槽；位于栅沟槽的上部内的第一栅极，第一栅极外接第一栅电极；位于栅沟槽的下部内的第二栅极，第二栅极外接第二栅电极。本发明的半导体功率器件在开启时，对第一栅电极施加第一栅电压，在p型体区内形成第一电流沟道；对第二栅电极施加第二栅电压，在台面区的下部内形成第二电流沟道。本发明可以降低半导体功率器件的导通电阻。
半导体功率器件及其控制方法

[发明专利]p型半导体器件及其制造方法-CN201010233549.7有效
发明人：许高博;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种p型半导体器件及其制造方法。该器件的结构包括：半导体衬底；沟道区，位于所述半导体衬底上；栅堆叠，位于所述沟道区上，所述栅堆叠包括栅介质层和栅电极，所述栅介质层位于所述沟道区上，所述栅电极位于栅介质层上；源/漏区，位于所述沟道区两侧且嵌入所述半导体衬底中；其中，在所述栅介质层的上表面、下表面、以及所述栅电极的下表面中至少一个表面分布有Al元素。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310213600.5在审
发明人：金东洙;权世汉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括：衬底，其包括栅沟槽；栅电介质层，其沿着栅沟槽的侧壁和底表面形成；高功函数层和下栅电极，其在栅电介质层之上填充栅沟槽的底部部分；上栅电极，其在下栅电极之上，包括低功函数调整元素，并且包括与下栅电极的材料相同的金属氮化物；以及覆盖层，其在上栅电极之上间隙填充栅沟槽的其它部分。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]有机发光二极管显示装置-CN201910564788.1在审
发明人：黄荣仁;金成虎;梁容豪;王盛民 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：驱动晶体管包括第一栅电极、多晶半导体层和第二栅电极，第一栅电极布置在衬底上，多晶半导体层布置在驱动晶体管的第一栅电极上并且包括第一电极、第二电极和沟道，并且第二栅电极布置在驱动晶体管的多晶半导体层上。补偿晶体管包括多晶半导体层和栅电极，多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道，并且栅电极布置在补偿晶体管的多晶半导体层上。
栅电极多晶半导体层驱动晶体管补偿晶体管有机发光二极管显示器第二电极第一电极沟道衬底

[发明专利]半导体装置-CN201911081130.1有效
发明人：斋藤顺;山下侑佑;浦上泰 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具备：半导体基板；覆盖半导体基板的上表面的一部分的绝缘膜；隔着绝缘膜而与半导体基板的上表面对向的栅电极。在半导体基板，通过体层而向上表面延伸的漂移层隔着绝缘膜而与栅电极对向。绝缘膜从半导体基板的上表面通过栅电极与上表面电极之间延伸至栅电极的上表面，在栅电极的上表面划定开口。在通过与栅电极对向的漂移层的对向面并与该对向面垂直的直线的集合即第一区域内，在栅电极的上表面不存在绝缘膜。
半导体装置

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