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[发明专利]燃料电池装置-CN200710101888.8无效
发明人：康顾严;戴椿河;赖秋助;许盈盈 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01M8/10 文献下载
摘要：一种燃料电池装置，包括膜电极组、阴极多孔集电层、阳极多孔集电层及阴极吸水层。膜电极组具有质子传导膜、阴极电极及阳极电极，质子传导膜设置于阴极电极与阳极电极之间。阴极多孔集电层设置于阴极电极之上。阳极多孔集电层设置于阳极电极之上，并且相对于阴极多孔集电层。阴极吸水层设置于阴极多孔集电层之上，用以防止阴极多孔集电层表面形成水膜阻碍气体通过。
燃料电池装置

[发明专利]一种用于改善SGT工艺中多晶硅裂缝的方法-CN202011349728.7在审
发明人：刘秀勇;陈正嵘;陈广龙;吴长明;王光华 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于改善SGT工艺中多晶硅裂缝的方法，包括栅极多晶硅、位于栅极多晶硅两侧且上表面高于栅极多晶硅的第一氧化层；沿第一氧化层的侧壁刻蚀该第一氧化层结构至露出栅极多晶硅头部使第一氧化层的开口呈倒梯形；形成一层覆盖栅极多晶硅头部的第二氧化层，使栅极多晶硅头部的正截面形成正梯形；刻蚀第一、第二氧化层至露出截面结构为正梯形的栅极多晶硅头部为止；在露出的栅极多晶硅头部形成一层栅极氧化层，之后沉积覆盖栅极氧化层的多晶硅层；回刻多晶硅层至露出所述栅极多晶硅头部的栅极氧化层为止。本发明通过增加热氧工艺改善栅极多晶硅头部尖角形貌，从而消除后续再栅极多晶硅之间填充多晶硅导致的裂缝现象，提高产品良率。
一种用于改善 sgt 工艺多晶裂缝方法

[发明专利]抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法-CN201210266287.3有效
发明人：陈瑜;罗啸;马斌 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：在栅极多晶硅中注入硼离子；在栅极多晶硅表面注入铟离子；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在PMOS器件的栅极多晶硅硼注入之后，再进行铟注入，通过铟注入使栅极多晶硅表面发生固态相变，并使栅极多晶硅的表面形成晶界缺陷得到减少的多晶硅新核，多晶硅新核的形成能够降低掺杂原子的扩散速率，阻止硼向栅极多晶硅的表面扩散，能够降低在后续热过程中促使硼渗透到钨硅层中的风险，从而能有效抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽现象的发生，使PMOS器件的阈值电压稳定。
抑制 pmos 器件工艺栅极多晶耗尽方法

[发明专利]一种单梯形液流电池、多梯形液流电池及其电堆-CN201410495737.5有效
发明人：张华民;郑琼;邢枫 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01M8/04276 文献下载
摘要：该单梯形液流电池的正极多孔电极和负极多孔电极均为梯形的平板电极；正、负极多孔电极置于正、负极液流框内，于正、负极液流框上、靠近正、负极多孔电极梯形下底边一侧设有电解液进液流道，靠近正、负极多孔电极梯形上底边一侧设有电解液出液流道，电解液从正、负极多孔电极梯形下底边一侧流入经正极多孔电极后从正、负极多孔电极梯形上底边一侧流出；这种梯形液流电池可以在一定程度上降低电池内的浓差极化，减小电池电压损失，同时提高电解液的利用率，提高电池整体效率
多孔电极负极液流电池电解液正极负极液上底边下底边电堆电池出液流道电池电压进液流道浓差极化平板电极整体效率减小流出

[发明专利]抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法-CN201210337223.8有效
发明人：陈瑜;罗啸;李喆 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：在栅极多晶硅中注入硼离子；在栅极多晶硅表面进行氮离子注入；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在PMOS器件的栅极多晶硅硼注入之后，再进行氮离子注入，能在栅极多晶硅表面形成一层致密的氮化膜，氮化膜能够阻止硼向栅极多晶硅的表面扩散，能够降低在后续热过程中促使硼渗透到钨硅层中的风险，从而能有效抑制PMOS器件工艺中硼穿透到WSI层中而引起的栅极多晶硅耗尽现象的发生，使PMOS器件的阈值电压稳定。
抑制 pmos 器件工艺栅极多晶耗尽方法

[实用新型]一种梯形液流电池及其电堆-CN201420556074.9有效
发明人：张华民;郑琼;邢枫 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：该单梯形液流电池的正极多孔电极和负极多孔电极均为梯形的平板电极；正、负极多孔电极置于正、负极液流框内，于正、负极液流框上、靠近正、负极多孔电极梯形下底边一侧设有电解液进液流道，靠近正、负极多孔电极梯形上底边一侧设有电解液出液流道，电解液从正、负极多孔电极梯形下底边一侧流入经正极多孔电极后从正、负极多孔电极梯形上底边一侧流出；这种梯形液流电池可以在一定程度上降低电池内的浓差极化，减小电池电压损失，同时提高电解液的利用率，提高电池整体效率
一种梯形流电及其

[实用新型]一种具有氢能回用的电解式臭氧发生装置-CN202022333722.2有效
发明人：周元全;涂晓波;张辉 -专利权人：武汉威蒙环保科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C25B9/23 文献下载
摘要：由电解操作的臭氧发生单元和电池操作的氢能回用单元组成，其中臭氧发生单元由原料水箱、阳极多孔集电器、阳极多孔催化膜、阳离子交换膜、阴极多孔催化膜、阴极多孔集电器、阴极氢/水分离室构成；其中氢能回用单元由氢气室、负极多孔集电器、负极多孔催化膜、氢离子迁移膜、正极多孔催化膜、正极多孔集电器和空气室构成，所述氢气室与所述阴极氢/水分离室的顶部连通。
一种具有氢能回用电解臭氧发生装置

[实用新型]一种新型多位一体铜条组件-CN201821611687.2有效
发明人：陈伟杰;王骏啸;娄绍军;周强 -专利权人：得力集团有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01R25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型多位一体铜条组件，包括L极多位一体铜条、接地极多位一体铜条、N极多位一体铜条和多位两插一体铜条，所述L极多位一体铜条上设有L极多位一体铜条单元，所述N极多位一体铜条上设有N极多位一体铜条单元，所述多位两插一体铜条上设有多位两插一体铜条单元，所述L极多位一体铜条单元、N极多位一体铜条单元和接地极一体铜条组件之间构成五孔插套，所述多位两插一体铜条设有两条，相邻两多位两插一体铜条单元之间构成两孔插套
铜条多位一体多位铜条组件本实用新型接地极插套加工材料组装效率紧凑简易占用

[发明专利]一种半导体元件及其制备方法-CN202210138082.0在审
发明人：罗志云;王飞;潘梦瑜 -专利权人：恒泰柯半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体元件中，外延层远离衬底的一侧包括沟槽；氧化层位于沟槽内；栅极多晶硅层和源极多晶硅层均内嵌于氧化层中，并以该氧化层隔开；体区和源区均位于栅极多晶硅层的左右两侧，体区位于源区靠近衬底的一侧；源极电极位于体区远离衬底的一侧并与源区以及源极多晶硅层电连接，源极多晶硅层包括至少两层沿垂直于衬底的方向层叠设置的源极多晶硅子层；源极多晶硅层的掺杂离子的类型与源极多晶硅子层的掺杂离子的类型相反，并且靠近沟槽底部的源极多晶硅子层掺杂离子的浓度低于远离沟槽底部的源极多晶硅子层掺杂离子的浓度
一种半导体元件及其制备方法

[发明专利]低功耗MOS器件栅极刻蚀方法及低功耗MOS器件制造方法-CN201310386315.X在审
发明人：张振兴;王百钱 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：所述低功耗MOS器件栅极刻蚀方法包括：形成低功耗MOS器件的栅极多晶硅层，其中低功耗MOS器件包括低功耗NMOS器件和低功耗PMOS器件，而且其中所述NMOS器件的栅极多晶硅层为掺杂的栅极多晶硅，所述PMOS器件的栅极多晶硅层为未掺杂的栅极多晶硅；利用氟化物和CL2的混合气体对所述低功耗MOS器件的栅极多晶硅层进行刻蚀以形成所述低功耗MOS器件的栅极多晶硅图案。
功耗 mos 器件栅极刻蚀方法制造

[发明专利]一种电池及电子设备-CN201410426289.3在审
发明人：于海峰 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明实施例中提供了一种电池及电子设备，该电池包含：正极多孔金属板，该正极多孔金属板中包含多个小孔，在该小孔中填充有用于电池阴极反应的正极材料；负极多孔金属板，该负极多孔金属板中包含多个小孔，在该小孔中填充了用以电池阳极反应的负极材料；第一隔膜，设置于正极多孔金属板与负极多孔金属板之间；第二隔膜，覆盖与负极多孔金属板的下表面，该下表面为负极多孔金属板未与第一隔膜接触的面。
一种电池电子设备

[发明专利]一种新型圆柱锂电池结构-CN202210967642.3在审
发明人：王栋;陈建江;骆兆军;李艳斌;邱沫;刘付勇;方送生;孙新科;高红;田飞;赵南南 -专利权人：郑州比克电池有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01M10/052 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型圆柱锂电池结构，包括壳体、电极组件，电极组件的中心为中心孔，电极组件的上部引出正极多极耳与负极多极耳，正极多极耳与负极多极耳分布在中心孔的对侧并对称分布，电极组件的上方设置有端盖，端盖包括主体、极柱、绝缘构件、密封构件，主体的中心设置有通孔，绝缘构件包裹极柱外圆周表面，极柱位于通孔内，绝缘构件密封极柱与端盖间隙，密封构件密封主体与壳体上沿，负极多极耳电连接主体，正极多极耳电连接极柱。本发明将正极多极耳、负极多极耳设置在电极组件中同侧，减少了装配工艺流程，降低生产成本，同时便于观察到焊点尺寸及形貌，降低了电池单体制程检测难度，提高异常品检出率。
一种新型圆柱锂电池结构

[发明专利]一种IGBT栅极总线结构-CN202010557347.1有效
发明人：郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT栅极总线结构，包括衬底，沿衬底上表面一端从外到内依次设置的场氧化层和栅极多晶硅，场氧化层和栅极多晶硅之间留有空隙；还包括介质层，介质层覆盖于衬底的整个上表面以及场氧化层和栅极多晶硅的上表面，栅极多晶硅上表面的介质层内开设有栅极接触孔；使得栅极多晶硅的上表面避免出现台阶和不平整，当在栅极多晶硅上表面的介质层内刻蚀栅极接触孔时，不再受栅极多晶硅上表面不平整的影响，能够刻蚀出完整的栅极接触孔。
一种 igbt 栅极总线结构

[发明专利]一种屏蔽栅半导体器件结构制备方法及屏蔽栅半导体器件结构-CN202111518986.8在审
发明人：乐双申;何增谊;张立波;吴兴敏;袁晴雯 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种屏蔽栅半导体器件结构制备方法及屏蔽栅半导体器件结构，通过在源极多晶硅淀积到栅极多晶硅氧化这段工艺之间采用增加以下步骤：刻蚀去除位于元胞区沟槽中上部空间及半导体材料层表面的第一氧化层，第二氧化层及沟槽之间部分半导体材料层；刻蚀去除栅极多晶硅直到源极引出区沟槽内剩余栅极多晶硅厚度到达预设厚度；选择性刻蚀去除位于源极引出区沟槽中剩余栅极多晶硅直到源极引出区沟槽中无栅极多晶硅残留，随后去除光刻胶，本申请实施例通过刻蚀去除栅极多晶硅直到源极引出区沟槽中的栅极多晶硅刻蚀完全，可以避免源极引出区栅极多晶硅在源极引出区沟槽侧壁残留的问题，避免栅极源极短路的风险，提高良率和可靠性。
一种屏蔽半导体器件结构制备方法

[发明专利]具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法-CN202310816523.2有效
发明人：李振道;孙明光;朱伟东;赵泊然 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明属于电子元器件、半导体、集成电路领域，公开了具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法、MOSFET器件的外延层的沟槽中形成有闸源端夹止结构，其中，闸源端夹止结构包括：底部氧化层、源极多晶硅、非掺杂闸极多晶硅、闸极氧化层、N型闸极多晶硅和两组P型闸极多晶硅组，两组P型闸极多晶硅组分布在沟槽两侧的N型闸极多晶硅内，且每组P型闸极多晶硅组包括至少两个P型闸极多晶硅。本发明将闸极氧化层做在外延层表面上，使得MOSFET器件中不存在多晶硅间隔离氧化层，从而避免在结构中产生尖端多晶硅，进而消除了闸极与源极之间的弱点，并对表面上的闸极多晶硅进行设计使其具有静电释放功能，从而避免组件因产生静电而造成损坏
具有闸源端夹止结构沟槽功率 mosfet 器件及其制备方法

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