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[实用新型]一种地面瓷砖-CN201020631961.X无效
发明人：吴瑞彪 -专利权人：吴瑞彪
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： E04F15/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有管线沟槽，且拆装简易而又省时省力的地面瓷砖，包括下层厚瓷砖及上层薄瓷砖，所述下层厚瓷砖的底面设有条形管线沟槽，且其上表面设有条形组合沟槽，其底面的条形管线沟槽横竖相交设置，其上表面的条形组合沟槽凹凸相间等间距设置；所述上层薄瓷砖的上表面为平滑光面，而该上层薄瓷砖的下底面设有与上述下层厚瓷砖上表面相对应的条形组合沟槽，且该条形组合沟槽凸凹相间等间距设置；所述上层薄瓷砖下底面的条形组合沟槽与上述下层厚瓷砖上表面的条形组合沟槽相插接构成铺地瓷砖与现有技术相比，由于瓷砖本身有沟槽，管线设于沟槽内，维修方便；而薄厚瓷砖用凹凸槽插接组合安装灵活方便，且拆装更换容易。
一种地面瓷砖

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN201410720353.9有效
发明人：周俊卿;张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：其中，所述互连结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低K介质层；在所述低K介质层中形成多个第一条形沟槽和多个第二条形沟槽相邻两个所述第一条形沟槽中间具有一个所述第二条形沟槽，相邻两个所述第二条形沟槽中间具有一个所述第一条形沟槽；在所述第二条形沟槽两侧侧壁均形成多个侧槽；在每个所述第一条形沟槽底部形成多个接触孔；在平行于所述接触孔横截面的平面上，且在所述第一条形沟槽长度所在方向上，所述接触孔位于相邻两个所述侧槽之间；采用金属填充满所述接触孔、第一条形沟槽、第二条形沟槽和侧槽。
互连结构及其形成方法

[实用新型]一种防滑越野轮胎-CN202020371774.6有效
发明人：潘峰;徐吉凯;石丽均 -专利权人：宁波市骏凯橡胶工贸有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： B60C11/117 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防滑越野轮胎，涉及了轮胎的技术领域，解决了石子容易卡在主沟槽的问题，其技术方案要点包括胎体，所述胎体周向设置有第一条形沟槽和第二条形沟槽，所述第一条形沟槽和所述第二条形沟槽均沿所述胎体的宽度方向均匀间隔且倾斜设置，所述胎体在所述条形沟槽处的底部设置有所述凸起，多个所述凸起沿所述条形沟槽的长度方向均匀间隔设置。本实用新型具有降低石子卡在主沟槽概率的效果。
一种防滑越野轮胎

[发明专利]用于沟槽刻蚀的光刻版及沟槽的刻蚀方法-CN201410853471.7有效
发明人：芮强;邓小社;张硕;孙永生 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于沟槽刻蚀的光刻版，包括第一和第二沟槽图形区域，第一沟槽图形区域包括多条宽度相等的第一条形，各第一条形的间距相等，第二沟槽图形区域包括多条宽度相等的第二条形，各第二条形的间距相等；第二条形的条宽等于所述第一条形的条宽，各第二条形的间距小于各第一条形的间距。本发明还涉及一种沟槽的刻蚀方法。本发明通过设置合适的条宽和间距，使得在同时进行刻蚀的情况下，第一沟槽图形区域形成的沟槽比第二沟槽图形区域形成的沟槽深度要深，能够通过一次光刻和刻蚀形成两种以上不同深度的沟槽。
用于沟槽刻蚀光刻方法

[发明专利]沟槽MOSFET的接触孔光刻对准精度监测结构及方法-CN202310814846.8在审
发明人：张光亚;何昌;朱勇华;杨勇 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了沟槽MOSFET的接触孔光刻对准精度监测结构，包括由环形沟槽和长条形接触孔分割形成的两个条形电阻测试结构，所述两个条形电阻的长度相等，宽度分别为W1和W2，且W2大于W1，所述两个条形电阻的长度由源区光刻层的版图决定，源区的左右边界为环形沟槽的中轴线位置，所述两个条形电阻的宽度由沟槽光刻层版图和接触孔光刻层版图决定，所述两个条形电阻的宽度为所述长条形接触孔至左、右沟槽的距离，所述环形沟槽位于体区之中。本发明还公开了沟槽MOSFET的接触孔光刻对准精度监测方法，本发明具备实现可以更灵敏、更准确的监测沟槽MOSFET的接触孔光刻的对准精度情况等优点。
沟槽 mosfet 接触光刻对准精度监测结构方法

[发明专利]太阳能电池的制造方法及太阳能电池-CN201811027520.6有效
发明人：管先炳 -专利权人：苏州元联科技创业园管理有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池制造方法及太阳能电池，该太阳能电池制造方法包括以下步骤：在所述N型单晶硅片的上下表面形成多个平行排列的对应的第一条形沟槽和第二条形沟槽，多个所述第一条形沟槽与多个所述第二条形沟槽在垂直方向上均不重叠，所述第一条形沟槽与相应的所述第二条形沟槽之间单晶硅层的厚度为30‑50微米；接着在所述N型单晶硅片的上表面以及所述第一条形沟槽的底部形成硅纳米线阵列；接着形成P型硼扩散层、P型重掺杂硼扩散区以及N型重掺杂磷扩散区
条形沟槽太阳能电池上下表面硅纳米线阵列制造单晶硅层磷扩散区硼扩散层硼扩散区不重叠钝化层上表面电极

[实用新型]一种防滑轮胎-CN201820962453.6有效
发明人：孙立宁;瞿卫新;杨兆锁;吴兵勇;何欣;杨品 -专利权人：苏州苏相机器人智能装备有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： B60C11/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防滑轮胎，胎体上设有胎面、内侧胎肩和外侧胎肩，胎面上沿周向设有条形沟槽，条形沟槽内设有排石凸起，条形沟槽的一侧设有若干从条形沟槽向内侧胎肩延伸的内侧斜凸条，另一侧设有若干从条形沟槽向外侧胎肩延伸的外侧斜凸条，内侧斜凸条和外侧斜凸条之间交错设置，外侧斜凸条与条形沟槽之间的角度大于内侧斜凸条与条形沟槽之间的角度,外侧斜凸条的宽度大于内侧斜凸条的宽度，内侧斜凸条之间设有内侧刀槽，外侧斜凸条之间设有外侧刀槽，外侧胎肩上设有若干凸块
斜凸条条形沟槽胎肩防滑轮胎刀槽凸块挤压发声装置本实用新型防滑性能降低噪音交错设置延伸排石腔体胎面胎体凸起挤压轮胎体内

[实用新型]积木式铺地瓷砖-CN200520024680.7无效
发明人：陈杰 -专利权人：陈杰
申请日： 2005-08-12 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： E04F15/08 文献下载
摘要：该厚瓷砖的底面和上面分别设有条形沟槽；该薄瓷砖的上面为光面，下面设有与厚瓷砖上面相对应的条形沟槽；该薄瓷砖下面的条形沟槽与厚瓷砖上面的条形沟槽相插接制成铺地瓷砖。与现有技术相比，用本实用新型铺地面，由于瓷砖本身有沟槽，管线可卧在沟槽内，维修方便。薄厚瓷砖用凹凸槽插接，组合安装灵活方便，拆装更换容易。沟槽本身起骨架作用，着地牢固，铺地不用使用诸如水泥类粘接物，节省费用，经济实用。
积木铺地瓷砖

[发明专利]一种IGBT结构及其制备方法-CN202010209456.4在审
发明人：史波;肖婷;敖利波;曾丹;刘勇强;吴佳蒙;马颖江 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT结构及其制备方法，IGBT结构，其包括：基体，其上形成有多个条形沟槽和环形沟槽、均填充有多晶硅，在条形沟槽和环形沟槽上设置有正面金属层；在条形沟槽上端设置有沉积隔离介质层，使得覆盖有沉积隔离介质层的条形沟槽不与正面金属层接触，未设沉积隔离介质层的环形沟槽与正面金属层相接；基体的背面设置有与环形沟槽相对的N+掺杂层。
一种 igbt 结构及其制备方法

[实用新型]穿孔旋流絮凝斜管沉淀池-CN202022738391.0有效
发明人：任锋;李志强;李晓丹 -专利权人：湖北盛达泰水利水电工程有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C02F1/52 文献下载
摘要：，包括两组对称布置的网格式絮凝池体和整体式絮凝池体，所述网格式絮凝池体和所述整体式絮凝池体相背离的一侧均设置有淤泥槽，所述网格式絮凝池体内间隔设置有多块竖板，多块所述竖板将所述网格式絮凝池体分隔为多个条形分隔池，每一所述条形分隔池内间隔设置有多块竖向布设的分隔板，每一所述条形分隔池的底部均设置一个条形沟槽，所述整体式絮凝池体的底部设置有多个条形沟槽，所述条形沟槽的两内侧壁为向中间倾斜的第一斜面，每一所述条形沟槽内均设置有排污管，且位于所述条形沟槽内的所述排污管开设有吸污孔，所述排污管伸出所述条形沟槽的一端设置有排污泵，所述淤泥槽位于多根所述排污管的下方。
穿孔絮凝沉淀

[发明专利]分立栅极沟槽MOSFET的布局架构-CN202111165256.4在审
发明人：常虹;苏毅 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开一种屏蔽栅极沟槽MOSFET的布局架构，包括：第一极性高度掺杂衬底与其上生长的第一极性的外延层；形成在所述外延层中的多个条形沟槽，所述多个条形沟槽包括：位于有源区中且为平行的多个有源栅极沟槽；环绕于所述有源区外围且与部分有源栅极沟槽形成间隔连接的终端沟槽，与环设于终端沟槽外的沟槽保护环。其中，终端沟槽与不连接的有源栅极沟槽的外缘，形成相等台面宽度。
分立栅极沟槽 mosfet 布局架构

[实用新型]分立栅极沟槽MOSFET的布局架构-CN202122406441.X有效
发明人：常虹;苏毅 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开一种屏蔽栅极沟槽MOSFET的布局架构，包括：第一极性高度掺杂衬底与其上生长的第一极性的外延层；形成在所述外延层中的多个条形沟槽，所述多个条形沟槽包括：位于有源区中且为平行的多个有源栅极沟槽；环绕于所述有源区外围且与部分有源栅极沟槽形成间隔连接的终端沟槽，与环设于终端沟槽外的沟槽保护环。其中，终端沟槽与不连接的有源栅极沟槽的外缘，形成相等台面宽度。
分立栅极沟槽 mosfet 布局架构

[发明专利]一种P型单晶硅电池及其制造方法-CN201811028195.5有效
发明人：管先炳 -专利权人：苏州元联科技创业园管理有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型单晶硅电池及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：在所述P型单晶硅片的上下表面形成多个平行排列的对应的第一条形沟槽和第二条形沟槽，所述第一条形沟槽的深度与所述P型单晶硅片的厚度的比值为0.6‑0.8，所述第二条形沟槽的深度与所述P型单晶硅片的厚度的比值为0.5‑0.7，所述第一条形沟槽与相邻的所述第二条形沟槽之间单晶硅层的厚度为25‑35微米；接着形成N型磷扩散层、N型重掺杂磷扩散区以及P
条形沟槽上下表面电池制造光电转换效率单晶硅层磷扩散区硼扩散区电极钝化层

[实用新型]一种鸡舍用降温系统-CN201620529831.2有效
发明人：冯绪红;田夫生;贾建军;贾秋月;赵金红;李宏岩 -专利权人：山东金秋农牧科技有限公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： A01K31/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种鸡舍用降温系统，包括多个降温单元，多个降温单元依次排列，所述降温单元包括内层板和位于内层板外侧的外层板，外层板竖向长度上开设两个长条形沟槽A，且两个长条形沟槽A大小相等，并沿外层板竖向长度对称分布，长条形沟槽A的底部开设有通风孔A，内层板竖向长度上开设两个长条形沟槽B，且两个长条形沟槽B大小相等，并沿内层板竖向长度对称分布，长条形沟槽B的两侧开设有通风孔B。
一种鸡舍降温系统

[实用新型]积木构件-CN201920272516.X有效
发明人：成龙云 -专利权人：艾尔普逊(天津)科技有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： A63H33/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种积木构件，涉及拼接玩具技术领域，解决了积木拼接结构形式单一，构件形成的模型稳固性欠佳的技术问题；该装置包括：拼接单元，其为矩形体；拼接单元的面上设置有条形沟槽，拼接单元的相对面上设置有贯穿其中的孔道，条形沟槽的延伸方向与孔道的延伸方向相互垂直；连接条，其卡接于条形沟槽中以连接两个拼接单元；定位柱，且插设于相邻两个拼接单元的孔道中；本实用新型利用连接条卡接于相邻拼接单元的条形沟槽中，定位柱插设于相邻拼接单元的孔道中；由于孔道与条形沟槽的延伸方向垂直设置，可进行三维方向上的拼接，拼接构型更加多样化；且条形沟槽和孔道的结构形式相结合，能够使得拼接形成的模型更加稳固、多样。
拼接单元条形沟槽孔道拼接本实用新型定位柱连接条插设卡接延伸玩具技术领域方向垂直积木构件拼接结构三维方向矩形体稳固性积木构型垂直稳固贯穿

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