专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制备α-溴-内酰胺衍生物的方法-CN98106084.6无效
  • S·阿布里彻特 - 弗·哈夫曼-拉罗切有限公司
  • 1998-03-09 - 1998-09-16 - C07D207/22
  • 本发明涉及制备下式化合物的新方法,其中R为氢、低级烷基、低级烷氧基、环烷基、烯基、环烷基-低级烷基、低级链烯基、低级基、芳基、芳基-低级烷基、基或基-低级烷基;所述低级烷基、环烷基、低级链烯基、烯基、低级基、芳基-低级烷基、芳基,所述基部分可以是未取代或被至少一个选自羧基、氨基、氨基甲酰基、硝基、氰基、低级烷基、低级烷氧基、羟基、卤素的基团取代,以及进一步涉及由上述方法制得的化合物用于制备头孢烯
  • 制备内酰胺衍生物方法
  • [发明专利]取代的芳基磺酰氨基(硫代)羰基三唑啉(硫)酮-CN96196762.5无效
  • K·H·米勒尔;R·基斯滕;J·克卢思;E·R·F·格星;K·芬德森;J·R·雅森;K·科尼;M·W·雷维斯;H·J·里贝尔;M·多林格尔;H·J·桑特尔 - 拜尔公司
  • 1996-07-04 - 1998-10-07 - C07D405/12
  • 本发明涉及式(Ⅰ)新的取代芳基磺酰氨基(硫代)羰基三唑啉(硫)酮,其中Ar是可被取代的亚芳基或亚芳基;Q1是氧或硫,Q2是氧或硫,R1是氢、羟基、氨基、亚烷基氨基或可被取代的下述基团烷基、链烯基、链基、烷氧基、链烯氧基、烷基氨基、二烷基氨基、链烷酰氨基、环烷基、环烷基烷基、芳基、芳烷基R2是氢、羟基、巯基、氨基、卤素或可被取代的下述基团烷基、链烯基、链基、烷氧基、链烯氧基、链氧基、烷硫基、链烯硫基、链硫基、烷基氨基、链烯基氨基、链基氨基、二烷基氨基、链烷酰氨基、氮丙啶基、吡咯烷基、哌啶子基、吗啉代、环烷基、烯基、环烷氧基、环烷硫基、环烷基氨基、环烷基烷基、环烷基烷氧基、环烷基烷硫基、环烷基烷基氨基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳氨基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烷基氨基、氧基、硫基;或R1和R2连在一起可以是支链的链烷二基;和R3是可被取代的基;和式(Ⅰ)化合物的盐,该新化合物的制备方法和它们作为除草剂的用途
  • 取代芳基磺酰氨基羰基三唑啉
  • [发明专利]N2-苯基脒衍生物-CN00803518.0有效
  • M·D·查尔斯;W·弗兰克;D·E·格林;T·L·霍夫;D·R·米切尔;D·J·辛普森;J·F·阿瑟奥 - 阿方蒂农科有限公司
  • 2000-02-04 - 2002-03-27 - C07C233/37
  • 本发明提供通式(I)的杀真菌化合物及其盐,式中R1是可被取代的烷基、链烯基、链基、碳基或基、或氢;R2和R3可以相同或不同,是R1中所述的任何基团;氰基;酰基;-ORa或SRa,其中Ra是可被取代的烷基、链烯基、链基、碳基或基;R2和R3、或R2和R1与它们相连接的原子可形成可被取代的;R4是可被取代的烷基、链烯基、链基、碳基或基;羟基;巯基;叠氮基;硝基;卤素;氰基;酰基;任选地取代的氨基;氰氧基;氰硫基;-SF5;-ORa;-SRa或-Si(Ra)3;m为0-3;当有R5时,它可以与其它R5相同或不同,且为R4中所述的任何基团;R6是任意取代的碳基或基;A是说明书中所述的连接基团,或-A-R6和R5与苯环M一起形成被任意取代的稠合系。
  • n2苯基衍生物
  • [发明专利]()芳基1,3‑偶极化合物与()加成方法-CN201580015176.7在审
  • F·L·范代尔夫特;F·J·多门豪尔德 - 西纳福克斯股份有限公司
  • 2015-01-26 - 2017-05-10 - C07D225/02
  • 本发明涉及一种包含使()芳基1,3‑偶极化合物与()反应的步骤的方法,其中()芳基1,3‑偶极化合物被定义为包含1,3‑偶极官能团的化合物,其中所述1,3‑偶极官能团键接于()芳基,且其中所述()芳基1,3‑偶极化合物为()芳基叠氮化物或()芳基重氮化合物;其中(i)所述()芳基1,3‑偶极化合物的()芳基包含一个或多个对位‑哈米特取代基常数σp和/或间位‑哈米特取代基常数σm为正值的取代基,和/或(ii)所述()芳基1,3‑偶极化合物的()芳基为缺电子()芳基,其中缺电子()芳基为(ii‑a)其中所述()芳体系携带正电荷的()芳基,和/或(ii‑b)其中{()芳体系中存在的π电子数}∶{()芳体系的原子核中存在的质子数}的比率对6‑元而言小于0.167或对5‑元而言小于0.200的()芳基;且其中所述()为式(1)所示的()辛炔或()壬炔。
  • 芳基极化加成方法
  • [发明专利]一种多取代含氮硫稠聚合物及其制备方法、应用-CN202310491722.0在审
  • 韩婷;范冬阳 - 深圳大学
  • 2023-05-04 - 2023-07-21 - C08G73/06
  • 本发明公开了一种多取代含氮硫稠聚合物及其制备方法和应用。所述方法为:在惰性气体氛围下,将内单体、硫代酰胺单体、钴催化剂和添加剂在溶剂中溶解,充分反应后,得到反应液;所述内单体为二元内化合物;简单过滤后,将反应液加入到沉淀剂中进行沉淀,过滤干燥后得到多取代含氮硫稠聚合物本发明所述的制备方法底物种类丰富且廉价易得,反应条件较为温和,聚合反应产率高;制得的多取代含氮硫稠聚合物结构新颖,具有优异的热稳定性和形貌稳定性,并且具有良好的后修饰潜力;所得含氮硫稠聚合物及其后修饰产物具有特殊的聚集态发光性能
  • 一种取代含氮硫稠杂环聚合物及其制备方法应用

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