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[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201310091796.1有效
发明人： 吴政燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存器件及其制造方法，所述非易失性存储器件包括：栅结构，所述栅结构形成在衬底之上，每个栅结构包括顺序层叠的隧道绝缘层、浮栅、栅间电介质层以及控制栅；保护层，所述保护层形成在浮栅的侧壁上；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖栅结构，并且具有形成在栅结构之间的空气间隙，其中，第二绝缘层与保护层之间的粘合强度比第二绝缘层与栅结构之间的粘合强度更小。
栅结构绝缘层保护层非易失性存储器件粘合浮栅绝缘层覆盖隧道绝缘层电介质层非易失性空气间隙控制栅强度比侧壁衬底制造

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201210495618.0无效
发明人：安泳洙;吴政燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：沟道层，所述沟道层垂直于衬底的表面而突出；隧道绝缘层，所述隧道绝缘层形成在沟道层的表面上；层叠结构，在所述层叠结构中，沿着沟道层交替地形成有多个浮栅电极和多个控制栅电极；以及电荷阻挡层，所述电荷阻挡层插入在所述多个浮栅电极中的每个浮栅电极与所述多个控制栅电极中的每个控制栅电极之间，其中，浮栅电极包括第一浮栅电极和第二浮栅电极，所述第一浮栅电极处在两个控制栅电极之间，所述第二浮栅电极位于层叠结构的最下部和最上部，且在平行于衬底的方向上具有比第一浮栅电极小的宽度。
非易失性存储器及其制造方法