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[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN03804920.1无效
发明人：田中英行;森本廉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-03-31 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：绝缘基板(11)包括：有机介电体薄膜(112)与厚度小于有机介电体薄膜(112)的无机介电体薄膜(111)的叠层结构，在形成无机介电体层(111)的一侧形成记录层(12)。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]有机发光二极管触控显示面板-CN201210407618.0有效
发明人：黄建翔;蔡昆华;锺润世;陈纯熙 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管触控显示面板，包含有一基板、多个第一电极、多个第二电极、一有机材料图案层、多个第一电极条以及多个第二电极条。各第一电极与至少一第二电极分别设置于基板上。有机材料图案层包含有多个发光层以及多个介电层，各发光层设置于各第一电极上，且各介电层设置于各第二电极上。各第一电极条设置于各行的发光层上，且各第二电极条设置于各行的介电层上。各第一电极、各发光层以及相对应的各第一电极条分别构成一有机发光二极管，且各第二电极、各介电层以及相对应的各第二电极条分别构成一触控感测电容。借此，可降低有机发光二极管触控显示面板的厚度与制作成本。
有机发光二极管显示面板

[发明专利]强介电体装置及其制造方法-CN201480041965.3有效
发明人：酒井滋树;高桥光惠;楠原昌树;都田昌之;梅田优 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社华哥姆研究所
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种强介电体装置及其制造方法，上述强介电体装置具有强介电体装置的特征即非挥发性存储保持与多次改写耐受性，并且与以往的使用以锶、铋及钽的氧化物Sr‑Bi‑Ta‑O为主成分的强介电体的强介电体装置相比在半导体上直接或介由绝缘体，将使用合适的成膜原料利用有机金属气相沉积法进行成膜的以锶、钙、铋及钽的氧化物Sr‑Ca‑Bi‑Ta‑O为主成分的第1强介电体以及导体层叠，在经蚀刻加工的栅极堆栈的侧面对第2强介电体与绝缘体进行成膜后，进行用于示出第1强介电性的热处理。
强介电体绝缘体氧化物成膜有机金属气相沉积耐受性非挥发性存储存储器热处理导体成膜原料强介电性蚀刻加工栅极堆栈微细化半导体制造改写侧面

[发明专利]用于电磁干扰(EMI)应用的高介电损耗复合材料-CN201780067669.4有效
发明人：迪潘克尔·高希 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明描述了用于电磁干扰(EMI)应用的高介电损耗复合材料。所述复合材料包含分布在低介电损耗基质材料中的高负载水平陶瓷颗粒，该低介电损耗基质材料在0.01GHz至100GHz的频率范围内具有在约0.0001至约0.004范围内的介电损耗角正切。在一种情况下，该复合材料包含分布在有机硅中的CuO颗粒。所述复合材料在高频范围内表现出介电吸收体特性。
用于电磁干扰 emi 应用高介电损耗复合材料

[发明专利]有机发光显示装置-CN202011062604.0在审
发明人：尹斗铉;金炯洙;严惠先;任从赫;金劲旼 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种有机发光显示装置包括：在基板上限定的多个像素区域的每一个中的驱动晶体管；在驱动晶体管上的反射电极，反射电极电连接至驱动晶体管的栅极电极；在反射电极上的介电层；在介电层上的第一电极，第一电极电连接至驱动晶体管的源极电极并且面对反射电极；在第一电极上的有机发光层；和在有机发光层上的第二电极。
有机发光显示装置

[发明专利]陶瓷电容器-CN96104313.X无效
发明人：山名毅 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1996-01-23 - 公布日： 2002-09-11 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：公开了一种有大电容量和小介电损耗的陶瓷电容器。陶瓷电容器包括介电陶瓷体和通过焙烧由导电浆料在陶瓷体上形成的电极。导电浆料包含铜粉、玻璃料、有机载体、和硼酸酯溶液、硼酸溶液和硼有机盐溶液中的任何一种溶液。
陶瓷电容器

[发明专利]电子器件和用于制造电子器件的方法-CN201180051879.7无效
发明人：丹尼尔·斯特芬·塞茨 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-10-10 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：在各种实施例中，电子器件（100）具有：第一电极（104）；在第一电极（104）上或上方的有机功能层结构（106）；在有机功能层结构（106）上或上方的第二电极（112）；在第二电极（112）上或上方的介电层（114）；和在介电层（114）上或上方的反射层结构（116）。
电子器件用于制造方法

[发明专利]双介电层场效应晶体管及其制备方法-CN202210392987.0在审
发明人：徐勇;饶锦航;高相林;严宇;戴晓菡;窦存花;陈泉桦;陈子龙;于志浩;孙华斌;吴洁 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种双介电层场效应晶体管及其制备方法，器件包括玻璃衬底、源漏电极、半导体层、介电层和栅极，介电层包括下方与半导体层接触的低k介电层和位于其上的高k介电层；低k介电层是将低k介电层溶液涂覆在半导体层上形成的；低k介电层溶液是将聚苯乙烯溶于有机溶剂中配置而成，聚苯乙烯的浓度为5‑20mg/mL。本发明利用双介电层结构来改善器件性能，使用低k聚合物抑制高k介电层中极化子引起的能量无序，提高界面中的电荷输运的同时，借助氧化物Al2O3作为高k介电层可有效降低器件工作电压；当低k聚合物的浓度在10‑20mg/mL范围内时，器件的阈值电压、迁移率存在最优匹配。
双介电层场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种制备高介电薄膜的方法-CN201310199062.5有效
发明人：刘江萍;陈骁;何流;王锦梅;徐晓薇 -专利权人：刘江萍
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C08L81/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种高介电聚合物复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将主材料A与一定量的第一溶剂充分混合，获得第一浆料；将具有高介电常数、低损耗的有机介电材料B与一定量的第二溶剂混合分散，获得第二浆料；将第一浆料和第二浆料充分混合后，获得第三浆料；真空容器中静置熟化第三浆料，获得混合均匀的凝胶态高介电有机复合材料；将凝胶态复合材料加入到挤出机中，加热挤出，待熔膜挤出后通过冷却辊骤冷，再将挤出冷却膜通过拉伸成膜机双向拉伸，最后通过150℃热定型后，制得高介电聚合物复合薄膜。该薄膜具有高介电常数值、高击穿电压值和低介电损耗值。
一种制备高介电薄膜方法

[发明专利]一种介电薄膜及其制备方法和薄膜电容器-CN202010199151.X有效
发明人：党智敏;郑明胜 -专利权人：清华大学;国网北京市电力公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：一种介电薄膜及其制备方法和薄膜电容器。所述介电薄膜采用聚烯烃或聚酯或聚酰胺为基体材料，以聚偏氟乙烯类材料为功能改性组份，还含有相容剂。通过造粒工艺和固相拉伸工艺制备单层或多层全有机复合高介电储能电工薄膜。采用此方法获得的全有机复合高储能介电薄膜具有优异的力学性能、介电性能、储能性能及充放电特性。
一种薄膜及其制备方法电容器

[发明专利]用于引线连接式芯片的有机芯片载体-CN98107457.X无效
发明人： A·C·巴特;S·D·迪赛;J·A·莱特;T·P·杜菲 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1996-02-02 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种引线连接式芯片的芯片载体，采用有机介电材料而不是常规陶瓷材料，还至少采用一个有机的可光学成像的介电层，带有镀层光学通路以使扇出电路的多层电互连。并且还采用单层坑来容纳芯片而不用常规多层坑。
用于引线连接芯片有机载体

[发明专利]用于引线连接式芯片的有机芯片载体-CN96102102.0无效
发明人：Ａ·Ｃ·巴特;Ｓ·Ｄ·迪赛;Ｔ·Ｐ·杜菲;Ｊ·Ａ·莱特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1996-02-02 - 公布日： 1998-12-30 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：一种引线连接式芯片的芯片载体，采用有机介电材料而不是常规陶瓷材料，还至少采用一个有机的可光学成像的介电层，带有镀层光学通路以使扇出电路的多层电互连。并且还采用单层坑来容纳芯片而不用常规多层坑。
用于引线连接芯片有机载体

[发明专利]一种脉搏压力传感器、芯片、装置、系统及其制备方法-CN201710197532.2有效
发明人：徐海华;邓刊;吕莹 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： A61B5/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种脉搏压力传感器、芯片、装置、系统及其制备方法，该传感器由有机晶体管构成，其特征在于：所述有机晶体管包括绝缘衬底、金属电极、有源层、介电薄膜，在所述绝缘衬底上依次平行相邻设置源、栅和漏金属电极，在所述源、漏金属电极上设置有源层，在所述有源层和金属电极之上设置介电薄膜，且所述有源层与所述介电薄膜之间通过空气间隔。其中的介电薄膜为具有弹性、矩形凹槽结构的凝胶。所述有机晶体管的金属电极通过柔性导线引出，从而实现脉搏压力信号的检测。
一种脉搏压力传感器芯片装置系统及其制备方法

[发明专利]一种基于有机薄膜晶体管的湿度传感器及其制备方法-CN201911402091.0在审
发明人：于军胜;赵世雄;侯思辉;黄钰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于有机薄膜晶体管的湿度传感器及其制备方法，属于传感器及其制备技术领域，所述湿度传感器从下至上依次包括衬底、栅电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极，介电层为有机介电材料，有机半导体层为壳聚糖与有机半导体材料的混合材料壳聚糖分子表面极性基团对水蒸气识别响应，再与其他有机半导体材料的混合后，对湿度进行精确识别与响应，从而提升了有机薄膜晶体管湿度传感响应同时，实现器件对湿度信号的高灵敏高响应探测，同时，造成本更低，再者，通过将壳聚糖与有机半导体材料进行合适混合，对有机半导体材料进行小分子调控，从而实现对湿度信号的高灵敏高响应探测与优良的器件性能。
一种基于有机薄膜晶体管湿度传感器及其制备方法

[发明专利]微带波导结构、介电光谱系统和介电光谱传感器-CN202080008086.6有效
发明人： J·W·霍奇斯;M·E·里浦恩 -专利权人： J·W·霍奇斯;M·E·里浦恩
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及微带波导结构、介电光谱系统和介电光谱传感器。设备包括具有多部分介电复合材料的传感器。微带透射线形成在介电复合材料上，并且该微带透射线包括输入节段、辐射体部分以及输出节段。将与辐射体部分相邻的介电材料选择成大致匹配正被感测的活的有机体的某些部分的介电材料，从而允许对有机体的其它组分进行感测。这允许辐射体部分有效地进行响应，就好像其嵌入了有机体内部一样，从而去除了测量过程中的大量不确定性。然后，通过向传感器施加多个信号，可以对该信号的反射分量和透射分量进行测量，并且被用于确定有机体中存在的某些组分的量。
微带波导结构光谱系统传感器

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