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[发明专利]芯片、多晶粒芯片及晶圆片-CN202010924556.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：帕特福斯有限责任公司
申请日： 2020-09-05 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片、多晶粒芯片和晶圆片，所述多晶粒芯片为从一个晶圆片中分离出来具有不同尺寸的多个多晶粒芯片之一，只通过一个光刻掩模组制造。所述多晶粒芯片包括：多个单晶粒，所述单晶粒的边缘设有金属阻隔层；单个导电连接层，用于穿设在各个所述单晶粒之间的区域，并用作分界线；以及基板，其中设有设置在各个所述单晶粒的边缘的金属阻隔层下，并横跨所述金属阻隔层的基板连接，通过低电阻、高掺杂的基板连接以实现各个所述单晶粒之间的导电连接。
芯片多晶晶圆片

[发明专利]半导体装置及在半导体装置内供应电力的方法-CN202210219658.6在审
发明人：张任远;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体装置包含第一半导体晶粒、在第一半导体晶粒上的堆叠中形成的第二半导体晶粒，以及在前述堆叠中形成的电源管理半导体晶粒，其中第一半导体晶粒以第一电力操作，第二半导体晶粒以不同于第一电力的第二电力操作，电源管理半导体晶粒透过第一穿孔提供第一电力给第一半导体晶粒，且透过第二穿孔提供第二电力给第二半导体晶粒。
半导体装置供应电力方法

[发明专利]一种晶圆缺陷分析方法-CN200910194434.9有效
发明人：吴浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆缺陷分析方法，包括：完成特定工艺步骤后，检测所述晶圆，将其上的晶粒分为缺陷晶粒和非缺陷晶粒，并按每个所述缺陷晶粒内的缺陷数对所述缺陷晶粒进行分类，得到第一检测结果；所有工艺全部完成后，对上述晶圆进行性能测试，将其上的晶粒分为工作晶粒和非工作晶粒，得到第二检测结果；根据所述第一检测结果和所述第二检测结果，对所述晶圆的晶粒进行再次分类；计算每种缺陷引起的缺陷诱致失效率和良率损失。
一种缺陷分析方法

[发明专利]晶粒的封装结构及其制造方法-CN200610082831.3有效
发明人：戴惟璋;李政颖 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2006-06-13 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶粒的封装结构及其制造方法，本发明的制造方法包括以下步骤：提供平板，平板具有第一表面和第二表面；形成复数个第一晶粒在平板的第一表面上，第一晶粒具有第一表面和第二表面；形成复数个第一凸块在第一晶粒的第一表面上；及切割平板，以形成复数个晶粒组，每一个晶粒组具有平板单元、第一晶粒及复数个第一凸块，第一晶粒位于平板单元的第一表面上。由此，使单颗晶粒能够容易植上凸块。
晶粒封装结构及其制造方法

[发明专利]多晶粒的多核计算机平台及其开机方法-CN201910976671.4有效
发明人：冯群超;牛彦奎;刘景龙;宋永峰;王江波;王金涛 -专利权人：上海兆芯集成电路有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G06F9/4401 文献下载
摘要：多晶粒多核计算机平台的开机技术。一储存器储存一编号0固件码以及一编号1固件码。一主晶粒经一总线耦接该储存器，且经该总线自该储存器读取该编号1固件码。一第一从属晶粒，经该总线耦接该储存器，该第一从属晶粒监听该总线并自该总线将该主晶粒所读取的该编号1固件码载下。该主晶粒更经该总线自该储存器载下该编号0固件码。该主晶粒执行该编号0固件码对该主晶粒及该第一从属晶粒进行系统引导以开机。
多晶多核计算机平台及其开机方法

[发明专利]一种用计算机测量晶粒度的方法-CN00117751.6无效
发明人：温斌;李廷举;姚山;金俊泽 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2000-06-01 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： G01N15/02 文献下载
摘要：一种用计算机测量晶粒度方法，属于金属材料性能测试技术领域。其特征是采用计算机对金相组织图形文件进行处理，首先使每个晶粒与相邻的晶粒能够用不同的颜色明显的区分开来。晶粒记数是根据每个晶粒的颜色值来进行的，每个晶粒记过数后，其颜色值就赋一新值，将每个晶粒处理完以后，计算机就可以计算出晶粒度。该方法的装置由金相显微镜、数码照相机、扫描仪、计算机组成。本发明方法简单，装置使用方便，获得的晶粒度迅速准确。
一种用计测量晶粒方法

[实用新型]改良的导线架结构-CN201020258431.5有效
发明人：张定宏 -专利权人：勤益股份有限公司
申请日： 2010-07-14 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种改良的导线架结构，包括：一第一晶粒座、一第二晶粒座、一第三电极焊线区、一第五电极焊线区、及一第六电极焊线区。其中，该第一晶粒座与第二晶粒座可供分别设置一第一晶粒与一第二晶粒，并且，通过一第一引线可将该第一晶粒之一第二电极(源极)电性连接至一第二电极焊线区，如此，使得第一晶粒之该第二电极(源极)可电性连接至该第二晶粒之一第四电极
改良导线结构

[发明专利]具有多面检测能力的晶粒挑拣装置及其方法-CN201510720506.4在审
发明人：石敦智;黄良印;杨天德;林逸伦;胡文清 -专利权人：苏州均华精密机械有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种具有多面检测能力之晶粒挑拣装置及其方法，晶粒挑拣装置包含有：一供应模块；一承接模块，其系相邻于该供应模块；一旋转模块，其系设于该承接模块的上方；一第一取放模块，其具有多个取放单元，各取放单元系转动地设于该旋转模块；以及一边检测模块，其系设于该第一取放模块的一侧；其中，该供应模块系供至少一晶粒设置；各取放单元系吸取一晶粒，各取放单元系转动一设定角度，以使该边检测模块撷取该晶粒之多个侧边影像，各取放单元所吸取的晶粒系放置于该承接模块晶粒挑拣方法，包含有：撷取一晶粒之多个侧面影像，该晶粒移动至一侧边检测模块，该侧边检测模块系撷取该晶粒之各侧边影像；以及将该晶粒放置于一承接模块。
具有多面检测能力晶粒挑拣装置及其方法

[发明专利]一种半导体制冷晶粒自动分选机-CN201710347271.8在审
发明人：陈天顺;周创举;卢峥业 -专利权人：鹏南科技（厦门）有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： B07C5/342 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体致冷片晶粒自动分选机，包括机架；设置在机架上的晶粒运送装置；设置在晶粒运送装置上方和两侧的晶粒检测装置，所述晶粒检测装置包括分别用于识别晶粒上面、前侧面和后侧面的摄像头；与所述晶粒检测装置相连接的图像处理单元，所述图像处理单元控制上述的摄像头依次拍摄照片，图像处理单元对照被比对象对图像信息依次进行判断，确定图像信息中的产品是否为良品，并根据判断结果决定是否输出晶粒取出信号。本发明通过采用具有摄像头的晶粒检测装置，通过对晶粒进行三个角度拍照，实现对晶粒的尺寸参数的自动测量并分选，分选结果准确度高，减少了人工检查的误差，提高了精准度，同时也节省了人力，提高了检测效率。
一种半导体制冷晶粒自动分选

[发明专利]一种钛合金初生ɑ相晶粒尺寸测量方法、系统及电子设备-CN202310535973.4在审
发明人：江乐旗;张伟;陈昊;黎明;张聪炫;陈曦 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01B17/00 文献下载
摘要：本发明公开一种钛合金初生ɑ相晶粒尺寸测量方法、系统及电子设备方法，涉及钛合金初生ɑ相晶粒尺寸测量领域，该方法包括：获取钛合金的超声特征参数；对超声特征参数进行归一化处理，根据归一化后的超声特征参数，利用初生α相晶粒尺寸测量模型，得到钛合金的初生ɑ相晶粒尺寸；其中，初生α相晶粒尺寸测量模型是利用训练样本对初生α相晶粒尺寸初始测量模型进行训练，以初生ɑ相晶粒尺寸实际值与初生ɑ相晶粒尺寸预测值的平均误差最小为优化目标，利用差分进化算法求解初生α相晶粒尺寸初始测量模型的待定系数得到的；初生α相晶粒尺寸初始测量模型是利用高维模型表达构建的。本发明提高了测量的初生α相晶粒尺寸的精度。
一种钛合金初生晶粒尺寸测量方法系统电子设备

[发明专利]采用图像识别技术构建多晶体细观结构模型的方法-CN202210912915.4在审
发明人：刘承尚;刘天豪;龚文明;杨贤军;徐永红 -专利权人：重庆川仪自动化股份有限公司
申请日： 2022-07-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：一种采用图像识别技术构建多晶体细观结构模型的方法，包括以下步骤：1)对金属试样进行显微分析，获得该金属试样的金相图片；2)采用图像识别技术识别金相图片中金属试样的多晶体细观结构，获取晶粒实际分布矩阵；3)获取多晶体细观结构中各晶粒在三维坐标系中的位置，将各晶粒的三维坐标汇总形成晶粒初始位置矩阵；4)根据晶粒初始位置矩阵建立该多晶体细观结构的冯洛诺伊图，得到冯洛诺伊图中的晶粒理论分布矩阵；5)根据蒙特卡洛法，采用晶粒实际分布矩阵与晶粒理论分布矩阵的误差函数确定各晶粒的理论最优位置，构建晶粒最优位置矩阵；6)根据晶粒最优位置矩阵建立所述金属试样的多晶体细观结构模型。
采用图像识别技术构建多晶体结构模型方法

[发明专利]半导体装置组合及在半导体装置组合中建立电连接的方法-CN200910203621.9有效
发明人：黄英兆;陈晞白;薛康伟;李洪松 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2009-05-26 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置组合及在半导体装置组合中建立电连接的方法，其中半导体组合包含：第一半导体晶粒，其包含至少一焊垫；第二半导体晶粒，其包含焊垫模块；至少一半导体封装组件或另一半导体晶粒；第一导电组件以及第二导电组件；其中第一半导体晶粒经由焊垫、焊垫模块、以及第一导电组件与第二导电组件，耦接于半导体封装组件或另一半导体晶粒之间。本发明利用在半导体晶粒上增加焊垫模块，使一个半导体晶粒能够经由另一个半导体晶粒的焊垫与半导体封装组件或另外的半导体晶粒通信，降低了半导体晶粒的布线难度，提升半导体晶粒的设计效率。
半导体装置组合建立连接方法

[发明专利]一种晶圆Map显示模型及其使用方法-CN201210587860.0有效
发明人：罗杨;田洪涛;刘国敬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十五研究所
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种晶圆Map显示模型及其使用方法，先创建一动态链接库WaferMapDll，新建一基于CStatic的导出类CWaferMap，建立晶圆Map坐标模型，将每个晶粒视作一个点，为每个晶粒分配坐标；判断分配的坐标是否在晶圆范围，根据处于晶圆范围内的晶粒绘制出代表晶圆内晶粒的小方格，形成晶圆Map显示图；创建一用于保存晶粒信息且缩放后重绘晶粒测试情况的二进制文件，计算出每个晶粒的信息在该文件中存储地址，并将晶粒信息写入该文件；获取当前晶粒电机脉冲坐标，根据该电机脉冲坐标及晶圆中心电机脉冲坐标，计算当前晶粒的Map坐标，对Map图上显示的对应晶粒标记并存入二进制文件。
一种 map 显示模型及其使用方法

[发明专利]电互连结构及其形成方法-CN201410113767.5有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种电互连结构及其形成方法，其中，电互连结构的形成方法包括：表面具有导电膜的衬底，导电膜材料的晶格呈第一晶粒结构排布，单个完整的第一晶粒结构具有第一晶粒尺寸，导电膜具有第一厚度，第一厚度大于第一晶粒尺寸；采用退火工艺使导电膜材料的晶粒尺寸增大，使导电膜材料的晶格呈第二晶粒结构排布，单个完整的第二晶粒结构具有第二晶粒尺寸，第二晶粒尺寸大于第一晶粒尺寸，第一厚度大于或等于第二晶粒尺寸；刻蚀部分导电膜直至暴露出衬底表面为止
晶粒电互连晶粒结构导电膜材料导电层导电膜导电层形成导电插塞晶格刻蚀排布凹槽侧壁衬底表面尺寸增大结构性能退火工艺衬底暴露

[发明专利]半导体元件封装结构及其制造方法-CN201110231014.0无效
发明人：杨文焜 -专利权人：金龙国际公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：所述半导体元件封装结构包含：第一基板，其具有晶粒金属垫、第一导线电路和第二导线电路；晶粒，其配置于晶粒金属垫的上表面；第二基板，其具有供晶粒容纳的晶粒容纳开口、第三导线电路和第四导线电路，其中晶粒的厚度等于第二基板的厚度；粘着层，其设置于第一基板的上表面、第二基板及晶粒的底表面；第一介电层，其设置于晶粒及第二基板的上表面，及设置于晶粒的侧壁与晶粒容纳开口的侧壁之间，其中第一介电层包含多数个孔洞区域。本发明所提供的半导体元件封装结构，其具有极佳的热膨胀系数匹配性能与缩小化尺寸；其基板具有晶粒容纳开口，以改善机械可靠度与缩小元件的尺寸。
半导体元件封装结构及其制造方法