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[发明专利]凹口检测方法-CN202111224372.9在审
发明人：野村安国;吉田真司 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供凹口检测方法，能够正确地检测晶片的凹口。凹口检测方法对形成于晶片的外周部的凹口进行检测，其中，该凹口检测方法包含如下的工序：载置工序，将晶片载置在旋转工作台上；拍摄工序，获取晶片的外周部的图像；轮廓数据获取工序，根据图像而获取轮廓数据，该轮廓数据包含晶片的轮廓的坐标；假想圆计算工序，根据晶片的轮廓的坐标而计算近似于晶片的轮廓的假想圆；异形状区域判定工序，根据假想圆与晶片的轮廓在晶片的径向上的距离，对是否在晶片的外周部存在异形状区域进行判定；以及第1凹口判定工序，根据假想圆与异形状区域的前端在晶片的径向上的距离
凹口检测方法

[发明专利]一种非接触式晶片轮廓提取与匹配系统-CN202210454950.6在审
发明人：李乾;牛佳佳;李达;刘朋超;折伟林 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种非接触式晶片轮廓提取与匹配系统，所述非接触式晶片轮廓提取与匹配系统包括：可见光相机，位于晶片的正上方，可见光相机用于获取晶片的可见光照片；轮廓提取与匹配模块，与可见光相机通信连接，轮廓提取与匹配模块用于接收可见光照片，并对可见光照片进行轮廓提取，以及将提取的轮廓与晶片的非可见光照片进行匹配，以确定衬底划取区域。采用本发明技术方案，通过从可见光照片中提取晶片轮廓，并与晶片的非可见光照片进行匹配，从而确定衬底的划取区域，提高了晶片衬底区域的划取精度，且避免了只依据晶片的非可见光照片使用手工接触式的轮廓划线可能造成的晶片污染，避免了晶片碎片的情况。
一种接触晶片轮廓提取匹配系统

[发明专利]具有不对称边缘轮廓的半导体晶片及其制造方法-CN03155614.0有效
发明人：金已晶;全相文;金祐奭;许太列 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及具有不对称边缘轮廓的半导体晶片及其制造方法。半导体晶片利用不对称边缘轮廓(EP)以便获得半导体器件加工的较高合格率。构造这些边缘轮廓以减少薄膜残余物的量，该薄膜残余物可能形成在半导体晶片的上表面上并靠近其周围边缘的位置处。还构造这些边缘轮廓以在半导体加工步骤期间抑制在晶片上表面上再淀积残存颗粒。该制造方法包括：将半导体结晶体切成具有上表面和下表面的至少一个半导体晶片；以及研磨该至少一个半导体晶片的周围边缘，以定义在内边缘轮廓(EP_in)和外边缘轮廓(EP_out)之间延伸的不对称边缘轮廓(EP)。
具有不对称边缘轮廓半导体晶片及其制造方法

[发明专利]激光剥离集成化设备-CN201910788121.X有效
发明人：卢敬权;任俊杰;庄文荣;孙明;李泽琪;朱定正 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种激光剥离集成化设备，包括：激光光源，用于对所述待剥离晶片进行激光剥离；剥离腔室，用于承载所述待剥离晶片；加热器，用于提供所述待剥离晶片进行剥离时所需要的温度；轮廓测量装置，用于获取所述待剥离晶片的表面轮廓信息；以及移动装置，用于依据所述轮廓测量装置所获取的表面轮廓信息调整所述待剥离晶片的所在高度，使得剥离时激光光源的焦点位于待剥离位置。本发明的激光剥离集成化设备通过实时测量待剥离晶片表面轮廓，在剥离时实时调整晶片高度，可以保证剥离时激光焦点位于待剥离位置，使得激光在剥离面不偏焦，提升激光剥离的良率。
激光剥离集成化设备

[发明专利]具有成形边缘的半导体晶片的制造方法-CN200710101112.6无效
发明人：约阿希姆·马特斯;安东·胡贝尔;约尔格·默泽 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2007-04-26 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有成形轮廓的半导体晶片的制造方法，包括以下步骤：将所述半导体晶片与晶体分离；边缘轮廓制造步骤，其中所述边缘被机械加工，并且获得相对于目标轮廓真正成比例的轮廓；机械加工步骤，其中所述半导体晶片的厚度被减小；以及边缘轮廓机加工步骤，其中所述边缘被机械加工，并且获得所述目标轮廓。
具有成形边缘半导体晶片制造方法

[发明专利]使用影子成像图像的自动化在线检验和计量-CN201580010430.4有效
发明人： H·法加里亚;S·乔纳宾;B·里斯;M·马哈德凡 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示轮廓剪影(Shadow‑gram)，其用于堆叠晶片的边缘检验和计量。系统包含：光源，其将准直光引导在所述堆叠晶片的边缘处；检测器，其与所述光源相对；及控制器，其连接到所述检测器。所述堆叠晶片可相对于所述光源旋转。所述控制器分析所述堆叠晶片的所述边缘的轮廓剪影图像。比较所述堆叠晶片在所述轮廓剪影图像中的侧影(silhouette)的测量与预定测量。可汇总并分析沿所述堆叠晶片的所述边缘的不同点处的多个轮廓剪影图像。
使用轮廓剪影图像自动化在线检验计量

[发明专利]热处理控制系统及热处理控制方法-CN201210088719.6无效
发明人：吉井弘治;山口达也;王文凌;斋藤孝规 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在装载晶片时可靠地推定晶片温度来对晶片施以迅速的热处理的热处理控制系统及热处理控制方法。热处理控制系统具备：处理被保持在载体中的晶片的处理容器、密封处理容器的盖体、加热处理容器的加热器以及控制加热器的控制装置。在盖体上设置有轮廓温度传感器保持件，在该轮廓温度传感器保持件上设置有轮廓温度传感器。轮廓温度传感器与温度推定部连接，温度推定部基于轮廓温度传感器的检测信号对该轮廓温度传感器的检测信号施以一阶延迟滤波来推定晶片的温度。控制装置基于由温度推定部求出的晶片的温度来控制加热器。
热处理控制系统控制方法

[发明专利]半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法-CN201980025203.7在审
发明人：村上贤史;高梨启一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶片的评价方法，包括：制作表示评价对象的半导体晶片的厚度方向的截面轮廓的轮廓曲线；以及对上述轮廓曲线进行二次微分，评价对象的半导体晶片为在晶片外周边缘部形成有倒角面的半导体晶片，上述轮廓曲线包括曲线部分，该曲线部分表示X轴的值与水平方向位置坐标对应，Y轴的值与垂直方向位置坐标对应，且从评价对象的半导体晶片的一个表面侧的主面的外周边缘部侧部分到外周边缘部的所述主面侧部分的区域的截面轮廓，该半导体晶片的评价方法还包括基于根据由上述二次微分得到的二次微分曲线确定的指标
半导体晶片评价方法制造

[发明专利]一种晶片翘曲度的测量方法-CN201910827442.6在审
发明人：周志豪;刘建飞;杨柳;施明向;吕建满 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片翘曲度的测量方法，包括以下步骤：先获取参考点阵图像数据，再获取被测点阵图像数据，最后控制终端通过分析计算参考点阵图像数据以绘制出参考晶片边际线轮廓，控制终端通过分析计算被测点阵图像数据以绘制出被测晶片边际线轮廓，计算被测晶片边际线轮廓相对于参考晶片边际线轮廓的偏移量，就可得出晶片的翘曲度值，以来分析判断晶片边缘的整体形态。采用上述技术方案后，采用影像方式撷取晶片边际线的方式计算，可节省雷射光束的机构建置成本，同时CCD相机可与外观检验同时使用，可降低检验与量测机台的成本，更有利于业界所需；能够对成叠的晶片外观进行快速的检测
点阵图像数据线轮廓被测晶片参考晶片分析计算控制终端翘曲度晶片绘制分析判断晶片边缘晶片外观雷射光束量测机台外观检验影像方式整体形态参考偏移量种晶检验撷取测量检测

[发明专利]晶片打标定位模具-CN201210275679.6无效
发明人：杨华;王禄宝;蔡金荣 -专利权人：江苏吉星新材料有限公司
申请日： 2012-08-04 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： B41J3/407 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶片打标定位模具，属于蓝宝石晶片打标工装定位的技术领域，所述晶片打标定位模具包含多个容纳待打标晶片的凹坑，所述凹坑的轮廓由与待打标晶片外轮廓一致的圆弧线、向位线，以及一条一端与所述圆弧线相切由工作平台提供一个垂直的基准平面（与机器打印原点对应），将本发明晶片打标定位模具放置在工作平台上，紧贴垂直面，将待打标晶片放置在晶片打标定位模具上，使每片待打标晶片的外圆轮廓、向位边与模具凹坑轮廓的圆弧线
晶片标定模具

[发明专利]具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备-CN02124538.X无效
发明人：有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-21 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：半导体晶片具有倾斜轮廓,沿着半导体晶片的周边形成;形成在该晶片上的产品;和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
具有 id 标记半导体晶片从中生产半导体器件方法设备

[发明专利]具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备-CN200810131142.6无效
发明人：有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-21 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
具有 id 标记半导体晶片从中生产半导体器件方法设备

[发明专利]具有ID标记的半导体晶片，及从中生产半导体器件的方法和设备-CN200510099508.2无效
发明人：有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-21 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
具有 id 标记半导体晶片从中生产半导体器件方法设备

[发明专利]验证半导体装置的图案的方法-CN200810088656.8无效
发明人：梁铉祚 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：在该方法中，提供目标图案的设计布局，以及将该设计布局转移在晶片上以形成晶片图案。获得晶片图案的图像轮廓。将晶片图案的图像轮廓匹配在设计布局上。在提取该设计布局与该晶片图案的图像轮廓之间的边缘差异之后，通过在该设计布局上加入该边缘差异来获得用以侦测晶片图案缺陷的检查布局。在光掩模制作之前，确认检查布局上的缺陷，以从工艺角度验证该图案。
验证半导体装置图案方法

[发明专利]具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备-CN200910226600.9无效
发明人：有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-21 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。本发明还涉及从该半导体晶片中生产半导体器件的方法和设备。
具有 id 标记半导体晶片从中生产半导体器件方法设备

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