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- [发明专利]用于在衬底晶片上沉积外延层的方法-CN202180075501.4在审
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T·施泰特纳
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硅电子股份公司
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2021-10-27
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2023-07-14
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C30B25/16
- 本发明涉及在衬底晶片上从气相沉积外延层的方法,包括:测量衬底晶片的边缘几何形状,其根据边缘位置而将特征厚度值分配给衬底晶片的边缘,包括在凹口位置处的特征厚度值;将衬底晶片放置在用于沉积外延层的装置的基座的袋状部的放置区域上,放置区域被外边界围绕;加热衬底晶片;以及在衬底晶片上传递工艺气体;其特征在于,验证凹口位置处的特征厚度值是否与具有最大特征厚度值的边缘位置处的特征厚度值相差超过百分比限度;将衬底晶片放置在放置区域上,使得衬底晶片与放置区域的外边界的距离在具有最大特征厚度值的边缘位置处比在其它边缘位置处更小,条件是差值大于百分比限度,或者使得衬底晶片与放置区域的外边界的距离在凹口位置处比在其它边缘位置处更小,条件是差值不大于百分比限度
- 用于衬底晶片沉积外延方法
- [发明专利]发光源装置-CN201110204936.2有效
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李学旻
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李学旻
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2011-07-13
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2013-01-16
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H01L33/60
- 一种发光源装置包含:透明安装基板,基板具有晶片安装表面、形成于晶片安装表面上的预定电路轨迹、及形成在晶片安装表面上位于两末端部份且与预定电路轨迹电气连接的外部电路连接点;发光二极管晶片,以覆晶方式安装于安装基板的晶片安装表面上以致于每一发光二极管晶片的电极与对应的电路轨迹电气连接;反射罩,安装于该安装基板的晶片安装表面上从而可覆盖发光二极管晶片但露出位在安装基板的两末端部份的外部电路连接点以致于外部连接点能够以适当的方式来与外部电路电气连接,反射罩在面向安装基板的安装表面的表面上形成有成不规则形状的凹槽,凹槽的表面设有用于把从发光二极管晶片发射出来的光线反射向安装基板的反射层。
- 光源装置
- [发明专利]晶片舟-CN201910839007.5在审
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安德利斯·里查
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商先创国际股份有限公司
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2019-09-05
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2020-03-13
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H01L21/673
- 公开一种晶片舟,用于容置晶片,特别是半导体晶片的晶片舟。所述晶片舟具有至少两个长形容置元件。每个容置元件均由石英构成且具有横向于纵向延伸度的平行延伸的容置槽。此外,所述晶片舟具有若干长形支撑元件,其中每个容置元件均分配有至少一个支撑元件。所述支撑元件由不同于石英的第二材料构成。在所述晶片舟的工作定向上,所述支撑元件沿重力方向至少部分地位于相应的容置元件下方。所述晶片舟还具有两个端板,所述容置元件如此地布置和固定在所述端板之间,使得所述容置元件的容置槽彼此朝向。该第二材料例如可指SiC和Si‑SiC,但也可以采用任一其他材料,该材料的强度、形状稳定性和/或耐热性高于容置元件的材料,因而适于支撑容置元件。
- 晶片
- [发明专利]封装的制造方法、压电振子以及振荡器-CN201110002024.7有效
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吉田宜史
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精工电子有限公司
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2011-01-06
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2011-07-13
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H03H3/007
- 本发明提供封装的制造方法、压电振子以及振荡器,能够容易地制造不产生裂纹、平坦度高、形状精度优良的带有贯通电极的底基板。封装的制造方法具有:插入孔形成步骤,在底基板用晶片(41)的一个表面(41a)上形成不贯通底基板用晶片的插入孔(55、56);芯材部插入步骤,在插入孔内插入由金属材料构成的导电性的芯材部(31);熔敷步骤,在使用支承模(62)保持底基板用晶片的一个表面侧并使用平坦的加压模(63)按压底基板用晶片的另一个表面(41b)的同时,将底基板用晶片加热到比玻璃材料的软化点高的温度,使底基板用晶片熔敷在芯材部上;冷却步骤,对底基板用晶片进行冷却;研磨步骤,对底基板用晶片的两面进行研磨。
- 封装制造方法压电以及振荡器
- [实用新型]优化爬胶缺陷的芯片装片结构-CN202320427676.3有效
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徐华云;韩明伟;马强
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南京真芯润和微电子有限公司
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2023-03-09
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2023-07-04
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H01L23/31
- 一种优化爬胶缺陷的芯片装片结构,包括框架和晶片;晶片的侧壁表面有切割道残留层;晶片的底面与框架表面之间是装片胶粘结层,装片胶粘结层的装片胶从晶片的底面溢出并爬附于切割道残留层表面。切割道残留层的形状为:在切割道残留层表面有凸台结构,凸台结构伸出于晶片侧壁;凸台结构顶面低于晶片顶面,且二者的高度差为Δh;爬附于切割道残留层表面的装片胶包裹凸台结构的表面构成装片胶层,且凸台结构的顶面覆盖的装片胶层的高度低于本结构结构中,晶片的侧边形成了一个突出的台阶,阻碍了胶水上爬,减小了胶水爬到晶片DIE表面的风险,提升了产品的封装良率、终检FT测试良率,以及产品的可靠性。
- 优化缺陷芯片结构
- [发明专利]发光元件的制造方法-CN201180038932.X有效
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米田章法
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日亚化学工业株式会社
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2011-07-06
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2013-04-24
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H01L33/32
- 是分割半导体晶片(100)来形成发光元件(5)的发光元件的制造方法。特征在于,在该半导体晶片(100)中,在将C面作为主面的蓝宝石基板(1)上层叠GaN系半导体并在纵横方向排列配置多个矩形形状的发光元件部(2),横分割区域(4b)的宽度比纵分割区域(4a)的宽度窄,并且发光元件部(2)的N电极配置在纵分割区域(4a)侧的至少一侧,在分割半导体晶片时,将割断起点设置在蓝宝石基板的-C面侧来进行分割,该发光元件(5)的制造方法的包括:晶片准备步骤,准备半导体晶片(100);和晶片分割步骤,对半导体晶片(100)进行分割,在晶片分割步骤中,在纵分割区域(4a)中,将从纵分割区域(4a)的宽度方向的中央线向宽度方向的一侧偏移了规定距离的线位置作为上述割断起点进行分割。
- 发光元件制造方法
- [发明专利]晶片级透镜阵列的成形方法、成形模、晶片级透镜阵列-CN201110052964.7有效
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榊毅史;渡边清一
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富士胶片株式会社
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2011-03-01
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2011-10-19
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B29C33/00
- 本发明提供一种能够抑制所制造的晶片级透镜阵列的透镜部的位置的离散的成形方法及成形模。一种成形方法,用于形成具有基板部和在该基板部上排列的多个透镜部的晶片级透镜阵列,具有:量取工序,使用具有模面的一对模构件,向由一对模构件中的一模构件的沿着模面的周缘部将模面的整周围住而设置的堤部区分的模面的区域供给作为晶片级透镜阵列的材料的液状的树脂,并使超过用于形成晶片级透镜阵列所需要的量的树脂从由堤部区分的区域流出,由此在区域中量取用于形成晶片级透镜阵列所需要的量的树脂,其中,模面包括呈使透镜部的形状反转而成的形状的透镜转印部;变形工序,将保持于区域中的树脂由一对模构件夹入,使树脂变形为模面的形状;固化工序,使由一对模构件夹入的树脂固化。
- 晶片透镜阵列成形方法
- [发明专利]LED晶片封装方法-CN201410038667.0在审
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裴小明;曹宇星
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上海瑞丰光电子有限公司
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2014-01-26
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2014-08-06
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H01L33/48
- 本发明适用于LED产品领域,提供了一种LED晶片的封装方法,包括:将覆晶晶片焊接于金属平板上;向金属平板上涂覆荧光胶;将相邻覆晶晶片之间的荧光胶部分去除;向荧光胶表面涂覆透明封装胶,使透明封装胶填充相邻覆晶晶片间的空缺区域本发明在金属板上对覆晶晶片进行封装,整个封装体仅由覆晶晶片、荧光胶、透明封装胶组成,可靠性高、节省物料、成本低、产能高;无支架形状限制,利于大规模集成封装;可减少光子在荧光粉间的内部散射等损耗,利于提升产品亮度;晶片正负极无需镀金锡合金层,节约成本。
- led晶片封装方法
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