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[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制作方法-CN202310775629.2在审
发明人：熊敏;朱杰 -专利权人：中科纳米张家港化合物半导体研究所
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，激光器包括：GaAs衬底；第一DBR层，形成于GaAs衬底上；氧化层，形成于第一DBR层上；晶格渐变层，形成于氧化层上；包覆层，形成于晶格渐变层上，包覆层包括堆叠设置的第一包覆层和第二包覆层；增益层，形成于第一包覆层和第二包覆层之间；以及第二DBR层，形成于包覆层上；其中，晶格渐变层在其厚度方向具有不同的晶格常数，且晶格渐变层靠近GaAs衬底一侧的晶格常数与所述GaAs衬底的晶格常数相匹配，所述晶格渐变层靠近所述增益层一侧的晶格常数与所述增益层的晶格常数相匹配。
垂直发射激光器及其制作方法

[发明专利]一种晶格渐变缓冲层的制备方法-CN201010295458.6有效
发明人：刘如彬;王帅;孙强;孙彦铮 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶格渐变缓冲层的制备方法，步骤(1)：以商用锗单晶、砷化镓单晶或磷化铟单晶为衬底；步骤(2)：利用外延技术外延一层与衬底材料晶格匹配的材料作为成核层；步骤(3)：在成核层外延生长晶格渐变层，该晶格渐变层由若干组份逐渐增大的砷化铟镓材料组成，直至顶层材料晶格达到理想晶格或略低于理想晶格；步骤(4)：在晶格渐变层上外延一层晶格常数大于理想晶格的砷化铟镓材料作为晶格过冲层；步骤(5)：外延一层晶格常数等于理想晶格的、与在其紧邻上层生长的材料相同的材料作为晶格缓冲层。本发明解决了现有外延材料因与衬底晶格不匹配造成的器件性能恶化的影响，能有效控制器件表面的穿透位错密度。
一种晶格渐变缓冲制备方法

[发明专利]红外探测器及其制作方法-CN202310103409.5在审
发明人：黄勇 -专利权人：苏州晶歌半导体有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/036 文献下载
摘要：所述红外探测器包括：衬底以及依序层叠于所述衬底上的N型晶格渐变层、N型接触层、吸收层和P型接触层；所述N型晶格渐变层从所述衬底至所述N型接触层的方向顺序包括第一层N型晶格层至第M层N型晶格层，M大于等于2；第一层N型晶格层至第M层N型晶格层的晶格参数依序增大或者依序减小，且所述第一层N型晶格层的晶格参数与所述衬底的晶格参数相等，且所述第M层N型晶格层的晶格参数、所述N型接触层的晶格参数以及所述吸收层的晶格参数相等本发明通过设置N型晶格渐变层，使衬底的晶格参数渐变到吸收层的晶格参数，从而减小衬底和吸收层之间的晶格失配，进而提高红外探测器的质量和性能。
红外探测器及其制作方法

[发明专利]含有数字合金位错隔离层的大失配外延缓冲层结构及制备-CN201110240308.X无效
发明人：顾溢;张永刚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有数字合金位错隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备方法，在组分渐变缓冲层中插入n层数字合金位错隔离层材料。制备方法，包括：调节束源温度，在衬底上生长一层组分渐变缓冲层，按当前渐变组分通过生长短周期超晶格构成数字合金位错隔离层；继续调节束源温度，生长组分渐变缓冲层，按当前渐变组分再生长一层数字合金位错隔离层；再生长组分渐变缓冲层，按此顺序直至缓冲层组分渐变至所需值，即得。本发明能使大晶格失配外延材料在缓冲层中快速有效地发生弛豫而释放应力，对穿透位错进行隔离，从而减少缓冲层上外延材料的穿透位错密度，提高缓冲层上大晶格失配外延材料的晶格质量和光电特性。
含有数字合金隔离失配外延缓冲结构制备

[发明专利]半导体结构及高电子迁移率晶体管-CN202110730091.4在审
发明人：陈志谚;钒达·卢 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构，包含超晶格结构、电隔离层、通道层及组成渐变层。超晶格结构设置于基底上，电隔离层设置于超晶格结构上，通道层设置于电隔离层上，以及组成渐变层设置于电隔离层与超晶格结构之间，其中组成渐变层与超晶格结构包含一相同的第三族元素，且在组成渐变层中的该相同的第三族元素的原子百分比从超晶格结构到电隔离层的方向上逐渐减少
半导体结构电子迁移率晶体管

[发明专利]半导体异质结构的制造方法-CN200710196164.6有效
发明人： C·奥尔奈特;C·菲盖;N·达瓦尔 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：制造施主晶片包括提供具有第一面内晶格常数的第一衬底、在第一衬底上提供顶部具有第二面内晶格常数且处于松弛状态的空间渐变的缓冲层、在渐变缓冲层上形成具有第三面内晶格常数的处于松弛状态的半导体材料的非渐变缓冲层以及在非渐变层上形成半导体材料的顶层制造支撑晶片包括提供第二衬底、在第二衬底上形成绝缘层。上述非渐变缓冲层为应变平滑层，该层的第三面内晶格常数介于第一晶格常数与第二晶格常数之间，上述支撑晶片的绝缘层直接与上述施主晶片顶层的自由表面键合或者支撑晶片的绝缘层与施主晶片顶层表面上的表面层键合。
半导体结构制造方法

[发明专利]超晶格组分渐变缓冲层透射式AlGaN紫外光阴极及制备方法-CN201510891044.2在审
发明人：刘磊;夏斯浩;郝广辉;常本康;孔熠柯 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种超晶格梯度组分渐变缓冲层透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法，该光电阴极由自下而上由衬底层、超晶格梯度组分渐变p型Al_xGa_1-xN缓冲层、p型Al_yGa_1-yN发射层以及Cs或者Cs/O激活层组成，所述超晶格梯度组分渐变p型Al_xGa_1-xN缓冲层是由8-15个组分渐变层循环堆叠和一个过渡层组成，过渡层与发射层接触，最下面的组分渐变层与衬底层接触。本发明提高了晶体的生长质量，较大程度减少缓冲层内部的晶格缺陷，提高发射层光子的吸收率，最终提高光电阴极的光电发射量子效率。
晶格组分渐变缓冲透射 algan 紫外光阴极制备方法

[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN201710093647.7有效
发明人：颜建;黄勇;胡双元;帕勒布·巴特查亚 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及霍尔传感器技术领域，所述的霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：在半导体单晶衬底上形成晶格常数逐渐增大的晶格渐变层；在晶格渐变层上形成缓冲层；在缓冲层上形成与缓冲层晶格常数相匹配的腐蚀隔离层；在腐蚀隔离层上形成与其晶格常数相匹配的霍尔功能层；依次去除半导体单晶衬底、晶格渐变层、缓冲层以及腐蚀隔离层。本发明避免了传统的高缺陷密度的缓冲层对霍尔元件性能的严重影响，使得最后剩下的霍尔功能层具有低缺陷密度，从而使得制得的霍尔元件具有更高的霍尔输出电压，有效地提高了霍尔元件的性能。
一种霍尔元件及其制备方法

[实用新型]多结太阳能电池-CN201920809254.6有效
发明人：王荣 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：该多结太阳能电池包括子电池和隧道结，子电池沿第一方向层叠设置，各隧道结设置在相邻的两个子电池之间，隧道结包括沿第一方向顺序层叠的n型重掺杂层、变质缓冲层和p型重掺杂层，变质缓冲层包括渐变缓冲层，n型重掺杂层的晶格常数为A，p型重掺杂层的晶格常数为B；渐变缓冲层中具有III族元素，III族元素的晶格常数在A与B之间，且渐变缓冲层的晶格常数为C，(A‑C)/A为第一失配率，(B‑C)/B为第二失配率，第一失配率和第二失配率不超过2％；或者在n型重掺杂层指向p型重掺杂层的方向上，渐变缓冲层中III族元素的晶格常数在A与B的范围内逐渐变化。
晶格常数渐变缓冲层失配隧道结多结太阳能电池缓冲层子电池变质本实用新型层叠设置方向顺序逐渐变化指向电池

[发明专利]一种深紫外半导体器件及其制作方法-CN201710729769.0在审
发明人：陈刚;张纪才;王建峰;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：所述深紫外半导体器件包括沿设定方向依次设置的n型AlGaN层、多量子阱结构、电子阻挡层及p型GaN层，所述电子阻挡层包括具有渐变超晶格结构的p型Al_xGa_1‑xN，0≤x＜1，所述渐变超晶格结构包括交替层叠的复数个超晶格势垒层和复数个超晶格势阱层，并且沿着所述选定方向，第一个超晶格势垒层至最后一个超晶格势垒层内的Al组分含量逐级递减至0，第一个超晶格势阱层至最后一个超晶格势阱层内的本发明的渐变超晶格结构可对能带进行调制，缓解由于高的激活能引起的P型掺杂效率低的问题，将电子有效地限制在量子阱里，降低空穴向量子阱注入的阻碍势垒，提高深紫外LED器件的性能。
超晶格超晶格结构紫外半导体势垒层势阱层渐变电子阻挡层逐级递减量子阱复数多量子阱结构空穴深紫外LED 交替层叠依次设置激活能有效地势垒调制制作缓解阻碍

[发明专利]一种光电器件的电子阻挡层结构-CN201510030768.8有效
发明人：李淼;黄宏嘉 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提出了一种光电器件的电子阻挡层结构，尽可能通过晶格结构和禁带宽度的调整来达到与量子阱和P层间的结构匹配；同时减少极化电场的形成，尽可能减弱电子阻挡层内的负电荷区域形成，进而提升效率；并减弱电子阻挡层的能带弯曲导致的电子泄露和P层空穴势能的增加。该光电器件的电子阻挡层结构采用AlInGaN或者AlInGaN/InGaN超晶格结构生长，其中In组分≤10％,Al组分≤40％；在电子阻挡层中存在In和Al组分的渐变分布，In与Al组分的渐变规律相互独立；对于AlInGaN/InGaN超晶格结构的电子阻挡层，In组分的渐变发生在超晶格的AlInGaN或者InGaN中，或者这两处都存在渐变。
一种光电器件电子阻挡结构

[发明专利]红光LED外延结构及其制备方法-CN202310579586.0在审
发明人：王亚宏;李森林;薛龙;廖寅生;赖玉财;董雪振 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种红光LED外延结构及其制备方法，所述红光LED外延结构从下至上依次包括衬底、缓冲层、n型半导体层、多量子阱层、p型空穴注入层以及p型半导体层，其中，所述p型空穴注入层包括依次堆叠的低温超晶格层和梯度升温组分渐变层，所述梯度升温组分渐变层的生长温度大于所述低温超晶格层的生长温度。本发明通过低温超晶格层和梯度升温组分渐变层的设置能够有效提高空穴的电流扩展能力、提高载流子复合效率和红光LED外延结构的晶体质量，进而提高红光LED的发光效率。
红光 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]近红外晶格失配探测器缓冲层-CN201711261228.6有效
发明人：刘尚军;赵红;周勇;刘万清;杨晓波;丁时浩;吴唯 -专利权人：中电科技集团重庆声光电有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供一种近红外晶格失配探测器缓冲层，包括依次形成于衬底上的组分渐变层、应力释放层、低温缓冲层和高温缓冲层，针对组分渐变层中由下至上的各个子渐变层，其对应In或As的组分比例逐渐增大，应力释放层与组分渐变层的组分相同，针对所述应力释放层的各个组分，其组分比例与所述应力释放层相邻子渐变层中对应组分比例相同。本发明通过将组分渐变层和低温缓冲层相结合，可以将较多的晶格失配分配到组分渐变层和低温缓冲层上，这样不仅可以降低缓冲层的厚度，而且可以降低错位密度，从而可以获得性能更加优良的探测器件。
红外晶格失配探测器缓冲

[发明专利]GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法-CN201110235554.6有效
发明人：李奎龙;董建荣;陆书龙;赵勇明;于淑珍;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池，该两个双结电池通过晶格异变生长渐变过渡层串联，所述渐变过渡层包括AlxIn1-xAs渐变过渡层，其中x=1~0.48；其制备方法为：在采用晶格变异法依次生长形成与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池的过程中，采用In组分线性渐进和/或步进的方法生长渐变过渡层将该两个双结电池串联。
gainp gaas ingaasp ingaas 级联太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al2O3复合衬底上制备高亮度同质LED的方法-CN201410421676.8有效
发明人：贾传宇;殷淑仪;张国义;童玉珍 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发明提供一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al2O3复合衬底上制备具有新型空穴扩展层结构的同质LED的方法。具体方案在InGaN/GaN多量子阱有源层和p‑GaN层之间，优化设计其中Al组分、In组分以及p型掺杂浓度随生长厚度或周期增加而梯度变化的空穴扩展层如组分及掺杂渐变的单层p‑AlInGaN空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p‑AlInGaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p‑InGaN/GaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p‑AlInGaN/InGaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；通过优化生长所述空穴扩展层的方法，改善LED电流扩展效果，有效提高同质LED发光效率。
一种采用 mocvd 技术 gan 衬底 al sub 复合制备亮度同质 led 方法

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