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[发明专利]一种超硬纳米异构中熵合金薄膜及其制备方法-CN202211306709.5在审
发明人：李咏琪;韩双;孙朔;孙贵训 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种超硬纳米异构中熵合金薄膜及其制备方法，所述超硬纳米异构CrCoNi合金是由短小的柱状晶和分散在柱状晶周围的等轴晶组成的纳米晶复合材料，这里的异质结构是通过间隔溅射的方式制备而成。这些分散排布的等轴晶改善了以往由磁控溅射制备的中/高熵合金柱状纳米结构的各向异性力学行为。本发明介绍的异质纳米晶合金同时具备高屈服强度和良好的塑性以及优异的热稳定性，且磁控溅射工艺操作简单。
一种纳米异构中熵合金薄膜及其制备方法

[发明专利]高线性度增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202010683068.X在审
发明人：刘志宏;蔡鸣;张进成;周弘;赵胜雷;王泽宇;郝璐;张苇杭;段小玲;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种高线性度增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及制备方法，高线性度增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，包括：晶圆，晶圆包括三族氮化物异质结，异质结界面形成二维电子气；位于晶圆上两端的源电极和漏电极；栅电极，设置在晶圆上，且位于源电极和漏电极之间；若干p型三族氮化物区，间隔设置在三族氮化物异质结内，且位于栅电极的下方，若干p型三族氮化物区与三族氮化物异质结形成纳米沟道带状结构。本发明的晶体管，在栅电极下设置有纳米沟道带状结构，实现了p型三族氮化物区对三族氮化物异质结的二维电子气的耗尽，形成了增强型的氮化镓高电子迁移率晶体管，而且提高了晶体管的跨导曲线的平坦度和线性度。
线性增强氮化电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]纳米硅/非晶碳化硅异质结多势垒变容二极管及制备方法-CN202110203412.5有效
发明人：韦文生;吴晓华;莫越达;王渊;熊愉可;何明昌;周迪 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅/非晶碳化硅异质结多势垒变容二极管及制备方法，包括N+型单晶硅衬底、N+型单晶硅衬底上沉积的N型纳米硅调制层、N型纳米硅调制层上沉积的非晶碳化硅势垒层、非晶碳化硅势垒层上沉积的N型纳米硅调制层；根据耐压和容量要求，确定由N型纳米硅调制层、非晶碳化硅势垒层、N型纳米硅调制层构成的异质结的生长周期；然后沉积N+型纳米硅接触层；在N+型单晶硅衬底、纳米硅接触层上表面分别蒸镀金铝电极，异质结外面氧化产生保护层，之外涂覆遮光层，制成异质结多势垒变容二极管本发明的异质结多势垒变容二极管的电容小、变容比率高、截止频率高、动态负载调制范围宽，适用于倍频、电调谐、参数放大等。
纳米碳化硅异质结多势垒变容二极管制备方法

[发明专利]一种制备晶硅薄膜异质结太阳能电池的方法-CN201510245901.1在审
发明人：刘生忠;李灿;王书博;曹越先;王辉;张豆豆 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备晶硅薄膜异质结太阳能电池的方法，在导电衬底(不锈钢，铜箔、铝箔、钛合金铝箔)上，首先制备1-10μm N型或者P型的微晶硅薄膜或非晶硅薄膜，基底使用漩涡电流加热，加热的地方硅薄膜会结晶，制备得到一种晶硅薄膜，之后再制备5-10nm非晶硅本征层，再制备5-20nm P型或者N型非晶硅，之后再溅射ITO，制备电极，得到一种晶硅薄膜异质结太阳电池。
一种制备薄膜异质结太阳能电池方法

[发明专利]广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法-CN201110119980.3无效
发明人：黄永光;朱小宁;刘德伟;王熙元;马丽;朱洪亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构，包括：一n型硅衬底；一黑硅层，该黑硅层制作在n型硅衬底上；一i型氢化非晶硅层，该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上；一p型氢化非晶硅层，该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上；一n+型重掺杂层，该n+型重掺杂层制作在n型硅衬底的背面，形成广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构。
广谱吸收非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构制作方法

[发明专利]一种梯度掺杂硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN201110247920.X无效
发明人：杜国平;齐立敏 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度掺杂的硅基异质结太阳能电池及其制备方法，以晶体硅为衬底，在其表面上沉积数层掺杂浓度依次升高的非晶硅薄膜，最后沉积一定厚度的透明导电薄膜并制备电极，制得梯度掺杂硅基异质结太阳能电池。非晶硅薄膜与晶体硅接触具有很好的钝化效果，可以获得比较高的开路电压；梯度掺杂的多层非晶硅层可以形成较强的内电场，可以减少光生少子的复合损失，提高少数载流子的收集率，增加短路电流；与电极接触的掺杂非晶硅层掺杂浓度较高因此，与传统硅基异质结太阳能电池相比，梯度掺杂的硅基异质结太阳能电池具有更高的光电转换效率。
一种梯度掺杂硅基异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]复合电极及其制备方法及异质结太阳能电池及其制备方法-CN201710601978.7在审
发明人：杨黎飞;张闻斌;李杏兵 -专利权人：协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结太阳能电池的复合电极结构，包括透明导电层、设置在所述透明导电层上的电极、以及用于降低所述透明导电层与掺杂非晶硅层之间的界面电阻的界面缓冲层；当电极为正极时，界面缓冲层的功函数大于等于上述异质结太阳能电池的复合电极结构，由于掺杂非晶硅层与透明导电层之间插入界面缓冲层，降低了掺杂非晶硅层与透明导电层之间的界面电阻，从而提高了电池的填充因子，使电池的能级匹配，最终提高了异质结太阳能电池的光电转化效率本发明还提供了一种异质结太阳能电池的复合电极结构的制备方法、以及异质结太阳能电池及其制备方法。
复合电极及其制备方法异质结太阳能电池

[发明专利]一种高效硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN202110175285.2在审
发明人：王锦乐;肖俊峰 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司;通威太阳能（合肥）有限公司;通威太阳能（金堂）有限公司;通威太阳能（眉山）有限公司;通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效硅异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的电池N型晶体硅片的正面依次设置薄层SiO2层、氢化非晶碳氧化硅薄膜层、C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂N型层、TCO非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层和重掺B非晶硅层。本发明以氢化非晶碳氧化硅薄膜作为本征钝化层的异质结太阳电池，实现对晶硅表面优良的钝化效果，减少界面载流子复合；同时采用改进的双扩B工艺，防止B2H6掺杂时B原子向本征非晶硅层扩散带来的禁带宽度的降低和不必要的钝化膜掺杂，提升硅异质结电池的转换效率。
一种高效硅异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]具有选择性发射极的异质结太阳能电池及其制备方法-CN201410217097.1有效
发明人：包健 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有选择性发射极的异质结太阳能电池及其制备方法，异质结太阳能电池包括N型晶体硅衬底、正面本征非晶硅层、轻掺杂P型非晶硅层、正面透明导电膜层、正面银栅极、重掺杂P型非晶硅层、背面本征非晶硅层、重掺杂N型非晶硅层、背面透明导电膜层和背面银栅极，N型晶体硅衬底具有一正面和一背面；其中，重掺杂P型非晶硅层，作为选择性发射极，设置于正面透明导电膜层和轻掺杂P型非晶硅层的接触部位，其具有多个重掺杂P型非晶硅单体，并且分别与正面银栅极的栅线一一对应，分别位于相对应的栅线的正下方；重掺杂N型非晶硅层沉积在背面本征非晶硅层的下表面上。本发明能够降低载流子的复合，降低发射极对载流子的吸收，从而提高开路电压和短路电流，进而提高异质结电池的效率。
具有选择性发射极异质结太阳能电池及其制备方法

[实用新型]异质结太阳能电池片、叠瓦组件-CN201922079511.8有效
发明人：王秀鹏;王月斌;蒋卫朋;余义 -专利权人：成都晔凡科技有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种异质结太阳能电池片和叠瓦组件。异质结太阳能电池片的基体片包括中心层、N型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层和透光导电层，中心层包括单晶硅衬底层和本征非晶硅薄膜层，本征非晶硅薄膜层设置在单晶硅衬底层的顶侧和底侧，且位于单晶硅衬底层的顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层均为至少两层；N型非晶硅薄膜层设置在中心层的顶侧，P型非晶硅薄膜层设置在中心层的底侧；透光导电层设置在N型非晶硅薄膜层的顶侧和P型非晶硅薄膜层的底侧。本实用新型的异质结太阳能电池片能够降低单晶硅衬底与N型、P型非晶硅薄膜层之间的缺陷态密度及表面复合速率、提高钝化效果，提高电池的开路电压、填充因子和转换效率。
异质结太阳能电池组件

[发明专利]晶体硅异质结太阳能电池的制备方法-CN201310212499.8有效
发明人：熊光涌;王栩生;章灵军 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗、腐蚀制绒；(2)将硅片的正面进行Si离子和B离子注入，在正面形成本征非晶硅薄膜；在硅片的背面进行Si离子和B离子注入，在背面形成本征非晶硅薄膜；(3)对硅片正反面的本征非晶硅薄膜进行回刻；(4)在硅片正面沉积p型掺杂的非晶硅薄膜层；(5)在硅片反面沉积n型重掺杂的非晶硅薄膜层；(6)在硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；(7)丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极本发明获得了高质量的晶体硅异质结太阳能电池，形成了高质量的非晶硅薄膜层和极少缺陷的一体化的晶硅、非晶硅异质结叠加界面，提高了钝化效果并有效地降低了漏电流。
晶体硅异质结太阳能电池制备方法

[实用新型]一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池-CN201320368509.2有效
发明人：陈五奎;刘强;李粉莉;盛国浩 -专利权人：深圳市拓日新能源科技股份有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/077 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏发电技术领域，特别涉及一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池；包括由上到下依次层叠的受光面电极、受光面透明导电层、P型非晶硅层、受光面本征非晶硅层、N型晶体硅层、背光面本征非晶硅层、N型重掺杂非晶硅层、背光面透明导电层、背光面电极，所述P型非晶硅层、所述受光面本征非晶硅层与所述N型晶体硅层形成太阳能电池器件的正面异质PN结，所述N型晶体硅层、所述背光面本征非晶硅层与所述N型重掺杂非晶硅层形成太阳能电池器件的背面电场层；所述薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池具有光电转换效率高的优点，由于本实用新型具有上述的特点和优点，为此可以应用到太阳能电池等产品中。
一种薄膜晶体硅异质结双面太阳能电池

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法-CN201510846344.9有效
发明人：李立伟;谷士斌;何延如;张林;张娟;徐湛;杨荣;孟原;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其界面处理的方法，改进了异质结太阳能电池的界面处理方法，在沉积氢化非晶硅n膜层或氢化非晶硅p膜层前，对传送到其沉积腔室的氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理，清除氢化非晶硅i膜层在沉积传送过程中再次产生的沾污，保证氢化非晶硅i膜层膜层与氢化非晶硅p膜层之间的界面以及氢化非晶硅i膜层膜层与氢化非晶硅n膜层之间的界面性能，提高电池性能。
一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法

[发明专利]一种异质腔体结构材料及其制备方法与应用-CN202010837294.9在审
发明人：洪兴星;何海勇;尹波 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质腔体结构材料，所述异质腔体结构材料包括球壳以及球壳围合形成的空腔；所述球壳包括外壳层和内壳层；所述内壳层为导电层；所述外壳层为非导电层；异质腔体结构材料的形貌为空心腔体。该异质腔体结构材料内层导电性能好，外层封闭导电性差，应用于锂离子电池时，异质结构不同区域材料电导率不同调控电场分布，进而诱导锂金属选择性定向沉积，穿过薄的外层到达腔体内部，可以有效抑制枝晶生长，隔绝枝晶与电解液接触
一种异质腔体结构材料及其制备方法应用

[发明专利]内串联式异质结电池及其制作方法-CN202111140520.9有效
发明人：虞祥瑞;彭文博;肖平;赵东明;田鸿翔;罗丽珍 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能集团技术创新中心有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种内串联式异质结电池及其制作方法，内串联式异质结电池的第一非晶硅层包括第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层，第二非晶硅层包括与第一N型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二P型非晶硅层和与第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二N型非晶硅层，多个第一透明导电层在N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻第一N型非晶硅层电连接，多个第二透明导电层在N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意第二N型非晶硅层与第二侧的相邻第二P型非晶硅层电连接，第一侧的朝向与第二侧的朝向相反。本发明提供的内串联式异质结电池具有能量转换效率高、由其组成的光伏组件封装简单方便的优点。
串联式异质结电池及其制作方法