“晶圆级键合”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2143951个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于获取晶圆级键合结构电阻的方法及其半导体结构-CN201310430011.9有效
发明人：陈政;张海芳;戚德奎;李新;陈晓军;刘煊杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及采用该结构获取晶圆级键合结构电阻的方法。关于获取方法，包括通过对两晶圆键合前后的电阻分别进行测量，后依据两晶圆键合前后的电阻、晶圆级键合结构的电阻之间的串并联关系获取晶圆级键合结构的电阻。获取方法不依赖焊盘、金属互连线以及连接两者的导电插塞的电阻的经验值，因而所获取的晶圆级键合结构的电阻较为精准。
用于获取晶圆级键合结构电阻方法及其半导体

[发明专利]一种晶圆级三层结构的封装方法-CN201910188367.3有效
发明人：魏晓莉;范继;饶康;涂良成 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆级三层结构的封装方法，包括：制备上层晶圆结构、中间层晶圆结构和下层晶圆结构；对中间层晶圆结构的背面和下层晶圆结构的正面进行等离子体活化处理；利用键合机将中间层晶圆结构的背面和下层晶圆结构的正面对准，对中间层晶圆结构和下层晶圆结构进行预键合，实现常温下的硅硅直接键合；利用键合机将中间层晶圆结构的正面和上层晶圆结构的背面对准，对中间层晶圆结构和上层晶圆结构进行热压键合，得到晶圆级三层结构，所述热压键合使得中间层晶圆结构和上层晶圆结构键合在一起，同时为所述预键合提供退火的过程，使所述预键合达到需求的键合强度和键合区域。本发明仅通过一次具有压力和温度的键合过程即可获得晶圆级三层结构。
一种晶圆级三层结构封装方法

[发明专利]一种晶圆级键合结构及晶圆级键合方法-CN202011005359.X有效
发明人：戴风伟;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级键合结构及晶圆级键合方法，晶圆级键合结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆具有第一键合面，所述第一键合面设置有第一导电结构；第二晶圆，所述第二晶圆具有第二键合面，所述第二键合面设置有第二导电结构，所述第二键合面上设置有填充层，所述填充层中具有位于部分所述第二导电结构上的凹槽；所述第一导电结构位于所述凹槽中且与所述第二导电结构连接；所述填充层与所述第一导电结构侧部的所述第一键合面接触。本发明避免了晶圆级键合结构后续工艺出现质量问题，如减薄、刻蚀等容易碎片的问题。
一种晶圆级键合结构方法

[发明专利]芯片的键合方法及系统-CN201910825436.7有效
发明人：陈勇辉;唐世弋 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片的键合方法及系统，首先获取若干晶圆的良率，然后将良率大于第一设定值的若干晶圆进行晶圆级键合，或者将若干所述晶圆进行两两预匹配并得到预匹配晶圆组的良率，挑出良率大于第三设定值的预匹配晶圆组进行晶圆级键合，而在剩余的所述晶圆中，将良率较大的作为衬底晶圆，良率较小的作为划片晶圆，将所述划片晶圆切成包含多个芯片的键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，本发明将良率较高的晶圆进行晶圆级键合从而提高了键合的产率，将良率较低的晶圆切成键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，可以剔除部分不良芯片，从而提高了最终键合芯片的良率，从而降低了产品的制造成本。
晶圆键合良率晶圆级衬底匹配单个芯片芯片划片不良芯片键合芯片制造成本产率成键剔除

[发明专利]晶圆级键合封装方法以及共晶键合的晶圆结构-CN201510428072.0在审
发明人：徐伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种晶圆级键合封装方法以及共晶键合的晶圆结构，所述方法包括提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括切割道和有效器件单元；在第一晶圆待键合面的有效器件单元内形成至少一个第一键合结构，在第二晶圆待键合面上形成与第一键合结构相对应的第二键合结构；在第一晶圆待键合面的切割道内形成支撑层；使所述第一键合结构和第二键合结构相对设置，实现第一晶圆和第二晶圆的共晶键合；最后通过晶圆背面减薄、Al/Cu再布线和Ball Drop技术以形成晶圆级键合封装结构在共晶键合过程中，共晶键合产生的压力抵消作用于所述支撑层，所述支撑层在保护第一键合结构和第二键合结构的键合材料的同时阻止所述键合材料向外流动溢出，进而避免了晶圆的短路问题。
晶圆级键合封装方法以及共晶键合结构

[发明专利]晶圆‑晶圆、芯片‑晶圆和芯片‑芯片键合方法-CN201410034813.2有效
发明人：蔡坚;魏体伟;王谦 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆‑晶圆、芯片‑晶圆和芯片‑芯片键合方法。一种晶圆‑晶圆键合方法，该方法包括：在支撑片的一个表面上形成支撑凸点，将第一晶圆的正面与所述支撑片的具有支撑凸点的表面进行键合；在所述第一晶圆的背面上形成键合凸点，其中所述第一晶圆的背面上形成的键合凸点的位置与所述支撑片的表面上形成的支撑凸点的位置相对应；以及将所述第一晶圆的背面上的键合凸点与第二晶圆的键合凸点进行键合。通过本发明的这些方法能够解决晶圆级键合、芯片级键合过程中因临时键合胶软化造成的晶圆、芯片拱起、翘曲等现象。
晶圆芯片方法

[发明专利]一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法-CN202211098655.8有效
发明人：王伟豪;李顺斌;刘冠东;张汝云 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法，包括：基于提供的待键合的半导体晶圆衬底、n个芯粒以及预键合晶圆衬底，将待键合晶圆衬底上的对准标记的图形转移到预键合晶圆衬底；利用临时键合胶将n个芯粒按照对准标记依次贴合在预键合晶圆衬底上构成预键合晶圆；经CMP处理半导体晶圆衬底和芯粒表面后，将待键合半导体晶圆衬底与预键合晶圆对准后进行键合形成晶圆组；最后将晶圆组进行退火热处理，实现半导体晶圆衬底与芯粒的稳定键合，同时去除预键合晶圆衬底，完成多芯粒的晶圆级集成本发明实现多芯粒集成的一次性混合键合，避免D2W多次键合的铜表面氧化，提高多芯粒键合的质量和精度，提高键合良率及可靠性。
一种多芯粒晶圆级集成混合方法

[发明专利]一种晶圆级键合方法-CN201711328215.6在审
发明人：陈文祥;刘敏 -专利权人：烟台艾睿光电科技有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级键合方法，包括：在保护气体氛围中，将具有腔体和通孔的第一晶圆键合到第二晶圆上，获得具有内部腔体的键合晶圆，其中，通孔和内部腔体相连通，保护气体为在第一晶圆和第二晶圆键合时，不发生化学反应的气体本发明所提供的晶圆级键合的方法，能够在很大程度上减小了晶圆级键合的成本，且提高了键合的工作效率。
一种晶圆级键合方法

[实用新型]一种制备晶圆级异质集成衬底的设备-CN201922170818.9有效
发明人：欧欣;李忠旭;赵晓蒙;陈阳;黄凯 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种制备晶圆级异质集成衬底的设备，包括：用于键合晶圆的键合腔；用于对所述晶圆进行温度调整的退火腔；用于在所述键合腔与所述退火腔之间传送所述晶圆的晶圆传送装置，其连接所述键合腔与所述退火腔本实用新型通过对键合晶圆进行温度控制，解决了不同材质晶圆间较大的热适配问题；通过弹性缓冲构件使对晶圆所施加的键合压力更平稳；在不破坏设备腔内真空的前提下实现大量离子注入的单晶晶圆薄膜的剥离与转移，制备得到晶圆级单晶薄膜，极大地提高了异质晶圆键合集成的质量与效率。
一种制备晶圆级异质集成衬底设备

[发明专利]晶圆级封装方法及晶圆级封装结构-CN202210762392.X在审
发明人：陈海杰;胡震;刘昊宇 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，晶圆级封装方法包括如下步骤：在器件晶圆的键合面或者保护层的键合面上与器件晶圆边缘的无效区相对应的区域成型至少一圈封边层；在器件晶圆的键合面或者保护层的键合面上与器件晶圆中包围芯片功能区的外围区相对应的区域成型支撑层；利用支撑层以及封边层将所述器件晶圆与所述保护层相键合，所述支撑层与所述保护层形成收容器件的空腔；达到防渗漏的作用，可以保护器件晶圆中的器件区的正面不受污染，提高良率。
晶圆级封装方法结构

[发明专利]一种红外微测辐射热计探测器模组及其晶圆级封装方法-CN202111391673.0在审
发明人：倪元浩;王超 -专利权人：苏州睿新微系统技术有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请公开了红外微测辐射热计探测器模组及其晶圆级封装方法，包括获得下表面设有键合层的晶圆级光学镜头圆片，晶圆级光学镜头圆片包括多个阵列排布的镜头单元；获得上表面和下表面均设有键合层的镂空型支架、上表面设有晶圆级封装的红外探测器芯片的基板，镂空型支架的镂空区域和红外探测器芯片均与镜头单元对应；通过键合层将晶圆级光学镜头圆片和镂空型支架键合；在基板的上表面形成键合层，并通过键合层将基板与键合后镂空型支架键合，得到键合体；镜头单元中轴与微测辐射热计焦平面阵列中心对准；对键合体划片得到单个的预处理探测器模组；对预处理探测器模组安装快门挡片得到红外微测辐射热计探测器模组。
一种红外辐射热探测器模组及其晶圆级封装方法

[发明专利]一种晶圆级封装结构及其制造方法-CN202110349000.2有效
发明人：魏涛;杨清华;唐兆云;赖志国;王家友;钱盈;王友良;于保宁 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级封装结构的制造方法，包括：提供正面形成有第一半导体器件的器件晶圆和封帽晶圆；在器件晶圆和封帽晶圆的正面分别形成第一键合结构和第二键合结构，第一键合结构仅包括第一键合材料层第二键合结构仅包括第二键合材料层，或第一键合结构和第二键合结构均包括交替设置的第一键合材料层和第二键合材料层、但第一键合结构和第二键合结构的顶层是不同的键合材料层，第一键合材料层和第二键合材料层中一个材料是Cu或Cu合金另一个材料是Ni或Ni合金；对第一键合结构与第二键合结构进行键合；将第一半导体器件的电信号引出至基板。本发明还提供了一种晶圆级封装结构。实施本发明可以有效降低晶圆级封装结构的制造成本。
一种晶圆级封装结构及其制造方法

[发明专利]一种晶圆级镜头键合点胶方法-CN202310211772.9在审
发明人：刘守航;侯洋昆;周建锋 -专利权人：华天慧创科技(西安)有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B05D1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级镜头键合点胶方法，属于晶圆级镜头制作领域，该晶圆级镜头键合点胶方法，包括以下步骤：1)调试凹透镜的点胶图案和点胶路径；2)采用调试好的点胶图案和点胶路径对凹透镜进行点胶；3)将完成点胶的凹透镜与另一块未点胶的透镜进行键合；4)重复步骤1)～步骤3)，将完成键合的透镜组进行整体键合。点胶路径设计为矩形点状点胶，键合过程中存在排气路径，键合后不易产生气泡，使得键合产品良率得到有效提升。此外，该晶圆级镜头键合点胶方法的胶厚可调范围为20～30μm，采用该晶圆级镜头键合点胶方法进行点胶，不需要真空键合设备，只需要桌面点胶设备，设备成本比较低，并能有效解决键合气泡问题，良率可以提升至93％
一种晶圆级镜头键合点胶方法

[实用新型]晶圆级封装结构及摄像头模组-CN202223223748.7有效
发明人：黄议模 -专利权人：信扬科技（佛山）有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆级封装结构，包括MEMS晶圆和盖设于MEMS晶圆的盖帽晶圆，MEMS晶圆包括至少一MEMS器件、环绕MEMS器件设置的第一键合垫和设置于MEMS器件和第一键合垫之间的多个MEMS焊盘盖帽晶圆朝向MEMS晶圆的表面设有第二键合垫，盖帽晶圆具有厚度方向，沿厚度方向贯穿盖帽晶圆设有导电柱，盖帽晶圆背离MEMS晶圆的表面设有第一焊垫，第一焊垫电连接导电柱的一端。第二键合垫与第一键合垫键合，导电柱的另一端电连接MEMS焊盘。沿厚度方向，MEMS晶圆的投影位于盖帽晶圆内。该晶圆级封装结构能够防止MEMS焊盘在半切时造成损伤，从而提高封装良率。
晶圆级封装结构摄像头模组

[发明专利]一种非制冷红外焦平面探测器模组及其制作方法-CN202211696419.6在审
发明人：邱彤;刘继伟;胡汉林;王兴祥 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本申请涉及器件封装领域，公开了一种非制冷红外焦平面探测器模组及其制作方法，包括：键合的晶圆级光学镜头和像素级封装非制冷红外焦平面探测器；像素级封装非制冷红外焦平面探测器包括像素级真空封装的芯片，晶圆级光学镜头用于聚焦红外光线至芯片的微测辐射热计阵列所在的区域本申请中设置的是像素级封装非制冷红外焦平面探测器，其直接集成窗口，实现真空封装，所以像素级封装非制冷红外焦平面探测器与晶圆级光学镜头之间不需在真空下进行键合，键合难度降低，可靠性增强，并且晶圆级光学镜头不需与窗口进行组合光学镜头晶圆和像素级封装非制冷红外焦平面探测器晶圆为晶圆级键合，可以极大地降低模组的制作成本和体积，提高制作效率。
一种制冷红外平面探测器模组及其制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条