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[发明专利]一种晶圆片化学镀的治具及工艺-CN202310609462.2在审
发明人：刘勇 -专利权人：合肥矽迈微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：本发明申请公开了一种晶圆片化学镀的治具及工艺，晶圆刷胶步骤：在晶圆背面涂覆一层粘接胶，该粘接胶厚度范围为80～200μm；支撑片开孔步骤：在支撑片中心位置开孔，其他的开孔位置围绕该圆心开孔呈圆形展开；支撑片粘接步骤：将支撑片粘接在晶圆刷粘接胶的一面，支撑片通过粘接胶粘附在晶圆的背面，以形成晶圆的背面保护和支撑，所述晶圆刷胶步骤中，还包括晶圆放置步骤：在真空吸附载台上放置一无尘纸，将晶圆正面吸附在真空吸附载台上无尘纸的中心，本申请通过粘接胶保护晶圆背面，蓝胶把晶圆和支撑片连接在一起，形成治具，对薄片晶圆起到支撑保护作用，可以同时解决薄片晶圆化镀过程中的破片、清洗和支撑问题。
一种晶圆片化学工艺

[实用新型]一种用于研磨抛光的晶圆粘片机-CN201220224588.5有效
发明人：王凌云;席凯伦;杨争雄;左文佳;孙道恒 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： B24B37/27 文献下载
摘要：一种用于研磨抛光的晶圆粘片机，涉及一种用于晶圆研磨抛光的辅助设备。提供一种可在同一工作台上进行晶圆加热、粘装、测量、调节，可实现粘片过程一体化，在简化操作的同时，可保证粘片精度的用于研磨抛光的晶圆粘片机。设有气缸、3个调节螺杆、压盘轴、3个数显千分表、压盘、晶圆、气缸活塞杆、基板、施力盘、压盘盖、载样盘、圆形加热平台和钢球。
一种用于研磨抛光晶圆粘片机

[发明专利]粘接的晶圆片堆叠和电镀粘接的晶圆片堆叠的方法-CN201210022462.4有效
发明人：邹泉波;U·斯瑞达;A·S·科尔卡;X·应 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2012-02-01 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆片结构，其包括第一晶圆片堆叠和配置在其上的第一粘接层。所述晶圆片结构还包括第二晶圆片堆叠，其包括第一表面及与第一表面相对的第二表面。在所述第二表面上布置有第二粘接层，其与第一粘接层接触。所述第二晶圆片叠层包括从所述第一表面延伸到所述第二粘接层的硅通孔(TSVs)。在所述第一表面上布置有种子层，其与所述硅通孔接触。
晶圆片堆叠电镀方法

[实用新型]一种用于晶圆减薄后卸片的装置-CN201721617022.8有效
发明人：苗宏周 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提出一种用于晶圆减薄后卸片的装置，不仅杜绝了晶圆N面划痕、卸片粘片现象，降低了晶圆碎片、裂片风险，同时也缩短了卸片时间，提高了卸片综合效率。晶圆的P面通过热剥离膜粘合在玻璃基板，晶圆的N面朝上，该装置包括冷板和非接触加热源，玻璃基板置于冷板上，所述非接触加热源位于晶圆以及玻璃基板的上方、面向晶圆N面。通过非接触远红外加热方式加热晶圆N面，砷化镓晶圆本身不吸收红外光，为全透射。热剥离膜升温速度快，加热均匀，反应充分，完全杜绝晶圆N面划痕及粘片现象，能够显著提高晶圆良率、晶圆卸片效率和砷化镓半导体芯片使用寿命。
晶圆卸片玻璃基板非接触热剥离膜加热源砷化镓划痕减薄冷板粘片红外光半导体芯片本实用新型远红外加热加热均匀晶圆碎片使用寿命综合效率全透射粘合朝上加热良率裂片吸收

[实用新型]锁紧环装置及反应设备-CN201420423515.8有效
发明人：周琦;李广宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种锁紧环装置及反应设备，用于固定晶圆并且遮挡晶圆标识，包括：环体、设于环体内侧的垫片和遮挡片、设于遮挡片与晶圆相对表面上的弹性元件，垫片与晶圆边缘表面相接触的一面为圆弧面。将垫片与晶圆边缘表面相接触的一面改为圆弧面，减少了垫片与晶圆的接触面积，降低粘片现象的发生，此外，还增加了弹性元件与晶圆接触，弹性元件具有一定弹性，若出现粘片现象，晶圆可以借助弹性元件的弹力从锁紧环装置上脱离，避免了晶圆被带动与其它部件发生碰撞的可能，保证晶圆不被损伤。
锁紧环装置反应设备

[发明专利]半导体封装的粘片工艺-CN201110087743.3无效
发明人：王飞;吴斌;陈武伟 -专利权人：嘉盛半导体(苏州)有限公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装的粘片工艺，所述半导体封装的粘片工艺包括以下步骤：a)刷胶：提供一晶圆，其具有正面和背面，所述晶圆背面为裸硅面，在所述晶圆背面上涂覆有一层接合胶；b)切割：对涂覆有接合胶的晶圆进行切割，以形成多颗彼此分离的芯片；c)粘合：将分离后的芯片粘有接合胶的一面与基板粘合。本发明的半导体封装的粘片工艺采用对整片晶圆背面直接涂敷胶层，然后将晶圆切割为单颗芯片，其省去了在基板上一颗颗点胶的耗时耗力，工艺更加简单，且可操作性强，极大地提高了生产效率。
半导体封装工艺

[发明专利]晶圆级镜头模组阵列组装结构、镜头模组及其生产方法-CN202110072223.9有效
发明人：李凡月;黄伟;沈宝良 -专利权人：拾斛科技（南京）有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G02B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级镜头模组阵列组装结构、镜头模组及其生产方法，该组装结构包括堆叠在一起的多层晶圆级镜头阵列，晶圆级镜头阵列包括晶圆基板以及在晶圆基板上呈阵列排布的镜头单元，相邻两层晶圆级镜头阵列之间通过胶水粘接固定或分别通过胶水粘接固定于同一晶圆间隔片的两侧，镜头单元周围环绕布置若干个点胶槽，相邻点胶槽之间通过容胶导流槽连通，点胶槽和容胶导流槽组成包围镜头单元的封闭容胶空间，将胶水填充于该封闭容胶空间内粘接两层晶圆级镜头阵列或分别粘接两层晶圆级镜头阵列于晶圆间隔片的两侧采用该组装结构可避免晶圆级镜头阵列之间采用胶接固定时在胶接面出现气泡空腔，提高镜头组件的生产良率。
晶圆级镜头模组阵列组装结构及其生产方法

[发明专利]一种晶圆粘片机抓取装置-CN202111277936.5在审
发明人：金成;李小毅;徐公录 -专利权人：深圳新控半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆粘片机抓取装置，包括固定座、连接板和连接爪，所述连接板的内部设置有拉杆，所述拉杆的端部位于连接板的下方设置有吸附装置，所述吸附装置包括第一固定板、伸缩杆、吸盘、电动推杆、第二固定板和第三固定板本发明所述的一种晶圆粘片机抓取装置，属于晶圆粘片机领域，卡条和配合齿条进行卡紧，连接爪抓紧晶圆时比较稳定，卡爪不会松动的情况，通过吸附装置的吸盘进行吸附晶圆，且可以通过伸缩伸缩杆将晶圆进行推出，通过压紧装置将晶圆进行初步固定，并在转动柱的扭力弹簧作用下使得晶圆进行夹紧，避免晶圆从三个连接爪上掉落的情况。
一种晶圆粘片机抓取装置

[实用新型]一种防止半导体金属气相沉积粘片的装置-CN202222023609.3有效
发明人：刘康华;燕强;朱焱均;王尧林;赵大国 -专利权人：乂易半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防止半导体金属气相沉积粘片的装置，涉及半导体制造设备技术领域，所述防止半导体金属气相沉积粘片的装置包括盖环、晶圆和支撑平台，盖环设置在晶圆的上方，晶圆设置在支撑平台上；盖环的底侧设置有压头，晶圆能与压头相抵，盖环与晶圆之间设置有弹性件，弹性件的两端分别与盖环和晶圆相抵；本实用新型通过压头能够有效避免沉积过程中晶圆的金属层与盖环全面接触，通过弹性件能够对晶圆与盖环施加推力，在支撑平台下降时促使二者分离，压头和弹性件相互配合能够有效避免粘片现象的发生，避免晶圆损伤破片，防止机台宕机，提高设备工作的稳定性，提高产能，同时有效减少机台后期的保养和维护成本。
一种防止半导体金属沉积装置

[实用新型]一种晶圆粘片机-CN202320578312.5有效
发明人：赖小军;梁胜;侬贵云;黄伟杰 -专利权人：广东铖电微电子有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶圆加工设备领域，尤其涉及一种晶圆粘片机。所述晶圆粘片机包括机架和挤压组件；所述挤压组件设置在机架上，所述挤压组件包括液压杆，所述液压杆的底端设有连接盘，所述连接盘的底部设有导杆和电动推杆，且所述导杆的外壁上套设有气囊。本实用新型提供的晶圆粘片机，通过挤压组件的设置，当工作的电动推杆通过滑动盘对下方的气囊进行挤压，使气囊进行压缩变形与基片的顶部相抵后，即可顺利地对基片进行内向外的均匀挤压，避免晶圆在贴片时内部出现气泡。
一种晶圆粘片机

[实用新型]一种晶圆载盘结构及外延生长设备-CN202122941653.8有效
发明人：郑元宇;林科闯;胡洪雨;林峰;张富钦 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆载盘结构，载盘装设于外延生长设备腔体内并具有一适配于晶圆片从上方垂直放入的凹槽，凹槽内具有三个用于支撑晶圆片的台阶，台阶靠近凹槽圆心一侧具有一凸起，用于抵接晶圆片下表面并使晶圆片边沿悬空，在外延生长过程中，让透过凹槽与晶圆片之间间隙的涂层物沉积在凸起与凹槽侧壁之间的台阶上，有效解决了晶圆片和凹槽之间的间隙沉积涂层物污染下一片晶圆背面问题，降低晶圆片背面粘到涂层物的风险，使晶圆片良率和性能得到大幅度提升
一种晶圆载盘结外延生长设备

[发明专利]半导体晶圆的贴膜方法和半导体晶圆的贴膜装置-CN201310494949.7在审
发明人：山本雅之;金岛安治;石井直树 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供半导体晶圆的贴膜方法和半导体晶圆的贴膜装置。将树脂性的密封用的片切割成外形小于晶圆的外形的粘接片片材，将该粘接片片材连同环框一起粘贴于支承用的粘着带。利用上壳体和下壳体对粘着带中的位于该环框与粘接片片材的之间的部分进行夹持而形成腔室，将载置于该腔室内的晶圆保持台的带有支承板的晶圆和粘接片片材相对地配置，使利用粘着带分隔而成的两个空间之间产生压力差，从而使粘着带和粘接片片材朝向晶圆凹入弯曲而将该粘接片片材粘贴于晶圆
半导体方法装置

[发明专利]晶圆扩片方法-CN202010619237.3有效
发明人：王海升;詹新明;曾斌 -专利权人：青岛歌尔微电子研究院有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆扩片方法，包括步骤：提供一晶圆模组，所述晶圆模组包括晶圆、贴膜和安装环，所述贴膜的外周粘接于所述安装环上，所述晶圆的背面粘接在所述贴膜上，所述晶圆具有多个芯片；对所述晶圆进行切割，以使任意相邻的两个所述芯片之间具有切缝；提供一工装，设置于所述晶圆模组的下方；驱动所述工装上升顶起并撑开所述贴膜，以对所述贴膜进行扩片处理，以使所述切缝断开后分离所述贴膜上的各芯片。本发明的来料晶圆切割后利用工装直接对来料UV膜进行扩片处理，无需进行换膜或者粘膜操作，节省了换膜或粘膜材料及操作工序，操作简单方便，减轻了人工劳动强度，提高了生产效率。同时降低污染晶圆的风险，提高产品良率，保证产品质量。
晶圆扩片方法

[发明专利]一种MOS晶圆薄膜制备方法-CN202210931579.8在审
发明人：刘道国 -专利权人：深圳市尚鼎芯科技有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种MOS晶圆薄膜制备方法，包括：步骤11、对第一圆晶SiC片(100)进行离子束注入和辐照形成具缺陷层(102)；将第一圆晶正面设于安装座上；步骤12、对第一组件(500)进行退火处理；步骤13、沿缺陷层(102)将第一圆晶SiC片(100)剥离掉；步骤14、在剥离面上外延生长SiC延伸层(300)；步骤15、将第一组件(500)和硅衬底(400)通过第三粘接介质层(301)和第四粘接介质层(401)键合；步骤16、去除掉第一圆晶SiC片(100)，得到MOS晶圆薄膜。将缺陷层剥离后并进行退火，恢复晶圆的结构和消除缺陷，使得碳化硅晶圆上同质生长外延层，得到单晶碳化硅。
一种 mos 薄膜制备方法

[发明专利]一种晶圆划片机-CN201910767273.1有效
发明人：杜志运;喻紫薇;龚胜;施林荣 -专利权人：湖南艾凯瑞斯智能科技有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，且公开了一种晶圆划片机，所述支撑座上安装有磁环，所述支撑座内安装有位于磁环内圈处的卡套，所述卡套的内部填充有胶板，所述胶板的顶部与晶圆片的底部粘接，所述主轴的外圈处固定连接有磁杆无需另外采用固定装置即可将晶圆固定，同时通过定位环与粘接环的配合使用，使得晶圆的顶部被粘接环包裹，减少晶圆受到切割力度，使得晶圆在切割时，减缓受到的应力，同时切割后的碎屑被粘接环吸附，使得晶圆在切割过程中，对正面及背面进行实时保护，通过柔性物质减缓晶圆受到的力度，从而降低晶圆破损的现象，增加晶圆的使用率，使得晶圆在切割时保持稳定的状态。
一种划片

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