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- [发明专利]分离的三维处理器-CN202310223434.7在审
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张国飙
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杭州海存信息技术有限公司
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2019-01-16
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2023-05-23
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G06F15/78
- 分离的三维处理器(100)含有多个储算单元(100aa‑100mn)，每个储算单元(100ij)含有一个逻辑电路(180)和至少一个存储阵列(170)。所述三维处理器(100)还含有耦合的第一芯片(100a)和第二芯片(100b)：第一芯片(100a)含有存储阵列(170)；第二芯片(100b)含有逻辑电路(180)和存储阵列(170)的至少部分片外周边电路组件(190)。逻辑电路(180)不是存储阵列(170)的周边电路。
- 分离三维处理器
- [发明专利]分离的三维处理器-CN202310147916.9在审
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张国飙
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杭州海存信息技术有限公司
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2019-01-16
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2023-05-02
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G06F15/78
- 分离的三维处理器(100)含有多个储算单元(100aa‑100mn)，每个储算单元(100ij)含有一个逻辑电路(180)和多个三维存储3D‑M阵列(170,170ijA‑170ijD,170ijW‑170ijZ)。所述三维处理器(100)还含有耦合的第一芯片(100a)和第二芯片(100b)：第一芯片(100a)含有3D‑M阵列(170,170ijA‑170ijD,170ijW‑170ijZ)；第二芯片(100b)含有逻辑电路(180)和3D‑M阵列(170)的至少部分片外周边电路组件(190)。逻辑电路(180)不是3D‑M阵列(170)的周边电路。
- 分离三维处理器
- [发明专利]分离的三维处理器-CN202211669495.8在审
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张国飙
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杭州海存信息技术有限公司
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2019-01-16
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2023-03-14
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G06F15/78
- 分离的三维处理器(100)含有耦合的第一芯片(100a)和第二芯片(100b)：第一芯片(100a)含有三维存储（3D‑M）阵列(170)；第二芯片(100b)含有逻辑电路(180)和3D‑M阵列(170)的至少一片外周边电路组件(190)。3D‑M包括三维随机访问存储器（3D‑RAM）、三维只读存储器（3D‑ROM）；三维印录存储器（3D‑P）、三维可写存储器（3D‑W）；三维横向存储（3D‑MH）、三维纵向存储（3D‑MV）等。
- 分离三维处理器
- [发明专利]分离的三维处理器-CN201910038528.0有效
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张国飙
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杭州海存信息技术有限公司
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2019-01-16
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2023-01-10
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G06F15/78
- 分离的三维处理器(100)含有第一芯片(100a)和第二芯片(100b)。第一芯片(100a)含有三维存储（3D‑M）阵列(170),第二芯片(100b)含有逻辑电路(180)和3D‑M阵列(170)的至少一片外周边电路组件(190)。第一芯片(100a)不含所述片外周边电路组件(190)。第一芯片(100a)和第二芯片(100b)通过多个芯片间连接(160)电耦合。分离的三维存储器可以应用于数学计算、计算机模拟、可编程计算阵列、模式处理、神经网络等领域。
- 分离三维处理器
- [发明专利]分离的三维处理器-CN202111484969.7在审
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张国飙
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杭州海存信息技术有限公司
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2019-01-16
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2022-01-11
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G06F15/78
- 分离的三维处理器(100)含有面对面堆叠的第一芯片(100a)和第二芯片(100b)。第一芯片(100a)含有三维存储（3D‑M）阵列(170),第二芯片(100b)含有处理电路(180)和3D‑M阵列(170)的至少一片外周边电路组件(190)。3D‑M阵列(170)存储数据，处理电路(180)对至少部分所述数据进行处理。第一芯片(100a)不含所述片外周边电路组件(190)。第一芯片(100a)和第二芯片(100b)通过多个芯片间连接(160)电耦合。
- 分离三维处理器
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