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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]无凸块超导器件-CN202180031205.4在审
发明人： C·A·康塔卢布 -专利权人：诺斯洛普格鲁门系统公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N69/00 文献下载
摘要：提供了一种集成电路(50)，集成电路(50)包括：在第一衬底(52)的表面上的多个导电接触焊盘(60)，以及覆盖第一衬底和导电接触焊盘的电介质层(54)，多个导电接触焊盘(60)可以被耦合到相应量子比特(62)。第二衬底(56)覆盖电介质层，并且多个超导接触(58)延伸穿过第二衬底和电介质层，使得每个超导接触与相应导电接触焊盘对齐并且接触，并且可以被耦合到相应谐振器(64)。还公开了对应的制作方法。
无凸块超导器件

[发明专利]无凸块式芯片封装体-CN200510108095.X有效
发明人：何昆耀;宫振越 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明是关于一种无凸块式芯片封装体，包括一支撑元件、一芯片、一填充金属层以及一内连线结构。支撑元件具有一支撑面及一凹陷。
无凸块式芯片封装

[实用新型]无凸块式芯片封装体-CN200520106415.3无效
发明人：许志行 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2005-08-24 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种无凸块式芯片封装体，包括至少一板状元件、至少一芯片、一内连线结构与至少一导电通道。芯片配置于板状元件上，芯片具有多数个芯片接垫，其配置于芯片的一主动面上。
无凸块式芯片封装

[实用新型]无凸块式晶片封装体-CN200520001532.3无效
发明人：许志行 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2005-01-25 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种无凸块式晶片封装体，其包括一板状元件、一晶片与一内连线结构，其中板状元件具有多个电极于其一第一表面上。
无凸块式晶片封装

[实用新型]无凸块式芯片封装体-CN200520114403.5无效
发明人：许志行 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2005-07-26 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种无凸块式芯片封装体，包括至少一芯片与一内连线结构。芯片具有一芯片接垫排列，其配置于芯片的一主动面上。因此，非点状接垫增加电源或接地接垫的输出入截面积，进而提升无凸块式封装体的电气特性。
无凸块式芯片封装

[发明专利]无凸块和无引线的半导体器件-CN202111168327.6在审
发明人：葛友;王志杰;李翊鸣 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，包括：管芯，具有中央有源区、顶面、底面；侧壁，具有多个通孔，每个通孔从顶面的顶端延伸至底面的底端；顶面上的多个管芯焊盘，从中央有源区延伸至各自的顶端；底面上的图案化背面金属化层，包括延伸至相应底端的多个电隔离区域；金属涂层部分地填充通孔，并在多个管芯焊盘中的相应管芯焊盘和多个电隔离区域中的相应电隔离区域之间提供电连接；和钝化层，覆盖顶面和管芯焊盘。
无凸块引线半导体器件

[发明专利]制造无铅焊料凸块的方法-CN200310104780.6无效
发明人：张世映 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-11-03 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：一种制造无铅焊料凸块的方法，包括：提供基片，所述基片具有带开放电极焊盘的保护层；在基片上形成UBM(底部凸起金属化)层；在UBM层上光刻光刻胶，除UBM层对应电极焊盘的部分之外；在UBM层对应电极焊盘的部分上形成铜层；将焊料电镀在铜层上；去除光刻胶；以及使用焊料作为掩模蚀刻UBM层，并且回流焊料、制造焊料凸块。
制造焊料方法

[发明专利]凸块形成装置、凸块形成方法以及凸块形成程序-CN202180075021.8在审
发明人：田中清贵 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：凸块形成装置(1)包括接合工具(15)及接合控制部(10)，接合控制部构成为执行压接工序(S14)、放出工序(S15)、按压工序(S16)以及切断工序(S17)，基于与引线(w)相关的第一参数以及与接合工具
形成装置方法以及程序

[发明专利]凸块结构和凸块结构制造方法-CN201910825779.3在审
发明人：李灿浩;李仁荣;裵镇国;郑显秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了凸块结构和凸块结构制造方法。可以提供包括焊盘和位于所述焊盘的顶表面上的凸块的凸块结构。所述凸块可以包括上凸块部分和下凸块部分，所述下凸块部分可以包括与所述焊盘的顶表面接触的基座部分和从所述基座部分向上延伸的柱状部分。
结构制造方法

[发明专利]凸块封装结构及凸块封装方法-CN201210041079.3有效
发明人：王之奇;王宥军;俞国庆;王琦;喻琼;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：一种凸块封装结构及凸块封装方法，其中，凸块封装方法包括：提供待封装衬底，所述待封装衬底表面具有焊垫，焊垫表面具有凸块；在所述待封装衬底表面形成覆盖所述凸块的异向导电胶层；提供PCB板，所述PCB板具有突出PCB板表面的电极，所述电极位置与凸块位置对应；将PCB板与待封装衬底压合，使得所述电极与所述凸块位置正对并且PCB板表面与异向导电胶层表面接触，其中，位于所述凸块与所述电极间的异向导电胶层受到垂直所述封装衬底表面的压力本发明实施例的凸块封装方法工艺简便，本发明实施例的凸块封装结构封装质量高。
封装结构方法

[发明专利]凸块形成方法及焊接凸块-CN200580029094.4有效
发明人：辛岛靖治;山下嘉久;留河悟;北江孝史;中谷诚一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种可以均一性良好地形成多个微细凸块并且生产性高的凸块形成方法。其后，如果将平板(14)从树脂(13)的表面分离，除去树脂(13)，则可以获得在多个电极上形成了凸块(16)的基板(10)。
形成方法焊接

[发明专利]凸块工艺-CN201110423999.7有效
发明人：郭志明;戴华安;林政帆;邱奕钏;谢永伟 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明是有关于一种凸块工艺，其包含提供一硅基板；形成一含钛金属层在该硅基板，且该含钛金属层是具有多个第一区及多个第二区；形成一光阻层在该含钛金属层；图案化该光阻层以形成多个开槽，所述开槽是对应该含钛金属层的所述第一区；形成多个铜凸块在所述开槽；进行一加热步骤；形成多个凸块隔离层在所述铜凸块；形成多个接合层在所述凸块隔离层；移除该光阻层；以及移除该含钛金属层的所述第二区，并使各该第一区形成为一凸块下金属层。
工艺

[发明专利]凸块制程-CN200810095842.4有效
发明人：余瑞益;戴丰成 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种凸块制程，是提供一晶片，该晶片具有一主动表面且该主动表面上具有至少一接垫，再覆盖一保护层于晶片的主动表面上，并裸露出接垫，接着形成一凸块下金属层于接垫上，再配置一胶膜于保护层上，并覆盖凸块下金属层接着对胶膜进行选择性的曝光，使得位于凸块下金属层上方的胶膜受到曝光，并移除胶膜的曝光部分，使得凸块下金属层裸露。分布一锡膏于凸块下金属层上，并移除晶片上剩余的胶膜，再借助回焊制程使锡膏形成一金属凸块。
凸块制程

[发明专利]凸块制程-CN200610064835.9有效
发明人：王俊恒 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种凸块制程包括下列步骤。首先提供一具有多个接点的本体。然后形成具有多个第一开口的一保护层于本体上，其中这些第一开口暴露出本体的多个接点。接着于保护层与这些接点上形成一球底金属层。然后对应这些接点而形成多个凸块于第二开口内，其中这些凸块的远离保护层的表面低于图案化光阻层远离保护层的表面。接着对这些凸块进行蚀刻，以平坦化这些凸块的表面。然后移除图案化光阻层以及移除球底金属层的不为这些凸块所覆盖的部份。
凸块制程

[发明专利]凸块结构-CN201910542464.8有效
发明人：曾国玮;陈柏琦 -专利权人：矽创电子股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种凸块结构，包含一凸块本体，所述凸块本体沿一第一方向延伸，且所述凸块本体于垂直所述第一方向的一第二方向两侧分别具有一侧表面；以及多个补强单元，形成于所述凸块本体的侧表面。
结构

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