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[实用新型]热场装置及晶体生长装置-CN201920640257.1有效
发明人：狄聚青;朱刘;刘运连;彭胜金;薛帅 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型同时提出包括该热场装置的晶体生长装置。该热场装置结构简单，包含该热场装置的晶体生长装置适用于提拉结晶法，所制备得到的晶体无开裂、气泡、夹杂、散射等缺陷。
装置晶体生长

[发明专利]晶体提拉生长炉温场结构及其提拉生长工艺-CN201610760201.0在审
发明人：吴玥 -专利权人：成都晶九科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体提拉生长炉温场结构及其提拉生长工艺，温场结构包括氧化铝保温筒（1）、氧化锆砖保温筒（2）、铱埚（3）、氧化锆埚托（4）、氧化铝底托（5）、第一氧化锆盖板（6）、第二氧化锆盖板（13）、氧化铝定位环（7）、氧化铝上保温内筒（8）和氧化锆上保温外筒（9）；工艺包括：装炉前准备，处理铱埚，装炉、装料，第一次化料，籽晶制备和调整，第二次化料、充气、预热籽晶，晶体生长，收尾。本发明设计了合理的温场结构和生长工艺，在保证生长所需高温和温度梯度的前提下降低能耗。放肩之前进行缩颈，即开始提拉时使温度微微偏高，让籽晶直径微收约1mm左右，然后再降温放肩，能够尽可能的减少籽晶缺陷延伸到晶体里面。
晶体生长炉温结构及其工艺

[发明专利]切克劳斯基法生长硅的温度和时间关系的控制方法-CN97119290.1无效
发明人：哈罗德·W·考伯;萨达西瓦姆·钱德拉斯克哈尔;罗伯特·J·法尔斯特;约瑟夫·C·霍泽尔;金永民;斯蒂芬·L·基贝尔;拉里·E·德拉夫;塞尔德扬·伊里克 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1997-08-08 - 公布日： 1998-04-15 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：从内装熔融硅的与硅锭同轴设置的坩埚中制成温度与时间关系均匀的单晶硅的切克劳斯基法。按相当于硅锭主体第2半的提拉速度的较稳定的提拉速度拉制硅锭尾锥。按本方法生长的单晶硅锭主体第2半中,流网缺陷浓度和氧沉淀量的轴向分布较均匀。
克劳斯生长温度时间关系控制方法

[发明专利]用磁悬浮冷坩埚提拉稀土-铁单晶的方法-CN91108419.3无效
发明人：李强;张一玲;袁润章;黄晓华;金德江;李道铭 -专利权人：武汉工业大学
申请日： 1991-10-30 - 公布日： 1995-02-15 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种用磁悬浮冷坩埚提拉稀土-铁(TbXDy1-XFe2-W)单晶的方法。本发明与常规使用BN石英坩埚提拉法和模具铸造法相比，具有避免坩埚或模具本身对熔体的污染和溶体对坩埚的侵蚀，生长单晶纯度高，坩埚可重复使用等优点，本发明与采用磁悬浮冷舟水平区熔技术相比，具有单晶取向度高，
磁悬浮坩埚稀土铁单晶方法

[发明专利]一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉-CN201510970073.8在审
发明人：司佳勇;周浩;尚繁;刘亚静 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅制备技术领域，尤其是涉及熔融液提拉法的大尺寸单晶生长技术领域，具体公开了一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉，通过优化单晶炉生产工艺及氩气吹扫方式，能够控制单晶硅生长界面保持良好的温度梯度，提高热场稳定性，提高单晶生长速率同时保证稳定的单晶质量，提高了产能，降低了能耗和生产成本。
一种法制尺寸单晶硅方法单晶炉

[发明专利]一种晶体提拉机构及晶体生长装置-CN201910156340.6在审
发明人：沈伟民;刘大海 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体提拉机构及晶体生长装置，所述晶体提拉机构包括:腔体，所述腔体内充满惰性气体；晶体提拉单元，所述晶体提拉单元位于所述腔体中，配置为通过提拉晶绳提拉晶体；气体净化单元，所述气体净化单元包括由气体过滤膜根据本发明提供的晶体提拉机构，通过气体净化单元净化腔体内的惰性气体，避免了提拉过程中产生的金属颗粒落入硅熔体，进而避免了生长后的单晶棒中金属元素浓度超出许可范围，提高了产品质量和生产效率。
一种晶体机构晶体生长装置

[发明专利]铒掺杂氟化镥锂晶体生长方法-CN201410289301.0无效
发明人：洪佳琪;杭寅;张连翰;尹继刚;张沛雄 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：一种铒掺杂氟化镥锂晶体生长方法，将ErF₃、LiF、LuF₃粉末通过预处理后，添加少量聚四氟乙烯作为脱氧剂，密封于特制的铂金坩埚中，采用温度梯度法生长出铒掺杂的氟化镥锂激光晶体本发明可减少晶体生长时因提拉或下降而产生的外部扰动；采用严实密封的铂金坩埚后进行铒掺杂氟化镥锂晶体的生长方法，无需真空、通任何气氛和加压的条件。
掺杂氟化晶体生长方法

[发明专利]一种深紫外氟化镁晶体生长方法-CN201210448959.2无效
发明人：王冬;胡卫东 -专利权人：合肥嘉东科技有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种深紫外氟化镁晶体生长方法，它涉及单晶生长技术领域。它包括步骤为：将MgF2和ZnF2混合粉体和种晶放入铂坩埚；将铂坩埚放入单晶炉中，将单晶炉内通入氮气；采用开放式提拉法生长氟化镁单晶。本发明生长晶体完整性好，无气泡无包络物，晶体尺寸大，不易开裂，紫外波段透过率高，成品率高，工艺设备简单，能耗低，有利于实现工业化生产。
一种深紫氟化晶体生长方法

[发明专利]生长Φ5英寸钽酸锂单晶的方法-CN200510097351.X无效
发明人：康平;张振志;周志强;韦大勇;张寒贫;杜小红;陈建;李美荣;张庆海;成肇安 -专利权人：国内贸易部物资再生利用研究所
申请日： 2005-12-31 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种生长大尺寸(φ5英寸)钽酸锂单晶的方法，尤其是使用铱坩埚在保护性气氛下来进行大尺寸钽酸锂单晶提拉法(Czochralski)的生长技术。该方法在拉晶过程中用铱坩埚取代了铂坩埚，该方法生长的钽酸锂单晶性能指标如下：直径为φ127mm，长度大于50mm，生长方向为：X112、Y36，质量达到制造声表面波器件对钽酸锂单晶质量的要求，成品率＞75
生长英寸钽酸锂单晶方法

[发明专利]制造单晶硅的方法-CN201280063685.3在审
发明人：加藤英生;久府真一 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：提供了制造单晶硅的方法，其能够在采用由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法生长单晶硅时减少单晶硅的位错的产生。解决问题的手段：制造单晶硅的方法涉及采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚(8)中的原料熔体(7)提拉多根单晶硅(1)的多重提拉法制造单晶硅(1)的方法，该方法包括省略掉单晶硅(1)的尾部的形成的至少一部分并由所述原料熔体分离出单晶硅的步骤
制造单晶硅方法

[发明专利]一种采用提拉法生长氧化镓晶体的固液界面控制方法-CN201610615338.7在审
发明人：李璐杰;练小正;于凯;霍晓青;张颖武;程红娟;徐永宽;赖占平;张政 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用提拉法生长氧化镓晶体的固液界面控制方法，是在单晶炉体中设有作为第二热源的辅助加热器，且通过固定架连接于提拉装置上，在引晶、放肩初始阶段，将辅助加热器位置升至单晶炉体顶部，在放肩、等径生长阶段该热场系统明显优于常规的热场系统，且可根据Cz拉晶不同阶段，分别对不同部位进行加热，更适于生长低位错单晶和提高成晶率。
一种采用提拉法生长氧化晶体界面控制方法

[发明专利]一种用于导模法生长末端封口蓝宝石管的模具和方法-CN201910859640.0在审
发明人：王庆国;罗平;徐军;吴锋;唐慧丽;王东海;薛艳艳;董建树 -专利权人：同济大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于导模法生长末端封口蓝宝石管的模具及方法，包括熔炉、籽晶、坩埚，以及装在坩埚内的原料和模具，所述的模具为钼质双层套管双供料通道的模具，包括外筒(1)、内筒(2)和内芯(3)，外筒(1)和内筒方法包括：热场安装、投料、抽真空、充保护气、升温化料、升坩埚供料、引晶、提拉生长、升坩埚顶起模具内芯实现模具中心台平面铺料、提拉封底、降坩埚停止供料并提拉晶体脱离模具、降温退火等过程。与现有技术相比，本发明坩埚升高高度控制可通过长晶长度和模具高度位置等计算得到，生长过程可见可控，晶体质量高。
坩埚模具供料内筒内芯提拉外筒封口退火高度控制高度位置供料通道模具内芯模具中心上下移动生长过程双层套管蓝宝石保护气抽真空导模法封底生长化料可控热场投料引晶籽晶钼质熔炉升高脱离

[实用新型]一种液压阻尼器拆卸工具-CN202121170605.7有效
发明人：时朝杰;王海卫;颜军明;陈立恒;王忠楠 -专利权人：中核龙原科技有限公司;中核霞浦核电有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B25B27/06 文献下载
摘要：该工具包括支撑部、提拉部和连接部，其中，连接部与提拉部固定连接，所述提拉部垂直穿过支撑部，且支撑部为提拉部提供着力点，以供提拉部上下运动时施力。该工具的使用改变了以往使用敲击法拆卸油缸外套的作业方式，提升了拆卸效率，消除了敲击法破坏阻尼器部件的安全隐患。同时，结构设计巧妙简单、功能可靠、操作便捷。
一种液压阻尼拆卸工具

[发明专利]蓝宝石单晶及其制备方法-CN201310106967.3无效
发明人：杉村涉;松本光二;藤原俊幸 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明通过c轴提拉制备大口径、长尺寸且高品质的蓝宝石单晶。在蓝宝石单晶的制备中，使c轴蓝宝石晶种浸渍于坩埚内的氧化铝熔体中，在使晶种旋转的同时向上方提拉，使之在c轴方向生长。此时，在氧化铝熔体的液面下进行晶种的晶体生长，与此同时以规定的提拉速度提拉晶种，使晶种的液体中生长部分不到达坩埚的底面。此时，控制使液体中生长部分的侧面形状呈向下方突出的近V字形状。
蓝宝石及其制备方法

[发明专利]掺杂稀土钽铌酸盐RE′_xRE_1-xNb_yTa_1-yO₄发光材料及其熔体法晶体生长方法-CN201110003116.7无效
发明人：张庆礼;殷绍唐;刘文鹏;孙敦陆;杨华军;周鹏宇 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2011-01-08 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长
掺杂稀土钽铌酸盐 re sub nb ta 发光材料及其熔体法晶体生长方法