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- [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201910517520.2在审
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李宁
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长鑫存储技术有限公司
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2019-06-14
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2020-12-15
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H01L27/108
- 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的有源区包括依次层叠设置的阱层和掺杂层，还包括开设于掺杂层且内含栅绝缘层和栅电极的栅极沟槽；掺杂层包括多个第一掺杂区和至少一个第二掺杂区，第二掺杂区为重掺杂区；栅极沟槽位于相邻两个第一掺杂区之间，且第二掺杂区位于至少其中一个第一掺杂区靠近栅极沟槽的一侧。制备时，先在掺杂层上开设栅极沟槽，在栅极沟槽内壁覆盖栅绝缘材料，再由沟槽侧壁注入掺杂离子并退火，形成第二掺杂区，掺杂层内第二掺杂区以外部位为第一掺杂区，最后完成其他结构。该半导体器件的第二掺杂区域电阻较小，提高了栅极和源极之间的导通电流，增加了器件的开关特性，也能减少器件关闭时GIDL漏电。
- 半导体器件及其制备方法
- [发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201210381952.3有效
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陈芃;梁硕玮
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友达光电股份有限公司
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2012-10-10
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2013-01-02
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H01L27/142
- 本发明提供一种太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池包括设于半导体基底第一表面的掺杂层、设于半导体基底第二表面的第一区的掺杂多晶硅层、设于半导体基底第二表面的第二区的掺杂区、以及覆盖掺杂多晶硅层与掺杂区表面的绝缘层绝缘层暴露了部分掺杂多晶硅层与部分掺杂区，使掺杂多晶硅层与掺杂区经由绝缘层的开口分别连接于第一电极与第二电极。半导体基底与掺杂层具有第一掺杂类型，掺杂多晶硅层与掺杂区之其中一者具有第二掺杂类型，其中另一者则具有第一掺杂类型，且第二掺杂类型相反于第一掺杂类型。本发明可以提高太阳能电池的光电转换效率。
- 太阳能电池及其制作方法
- [发明专利]一种硅基叉指型光电探测器-CN201910457128.3有效
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徐科;孙路路
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哈尔滨工业大学（深圳）
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2019-05-29
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2021-06-15
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H01L31/101
- 本发明提供了一种硅基叉指型光电探测器，其包括衬底、位于衬底上的叉指结构的硅波导和金属电极，所述硅波导包括n型掺杂区、n型掺杂的叉指、p型掺杂区、p型掺杂的叉指，所述n型掺杂的叉指、p型掺杂的叉指位于n型掺杂区和p型掺杂区之间，所述n型掺杂的叉指、p型掺杂的叉指交替排列；所述n型掺杂的叉指与同侧的n型掺杂区接触，与p型掺杂区之间留有间隙；所述p型掺杂的叉指与同侧的p型掺杂区接触，与n型掺杂区之间留有间隙；通过金属电极和处于波导两侧并与波导相接的n型掺杂区、p型掺杂区相连。本发明的技术方案，能够更高效地收集由于缺陷态吸收效应从缺陷态能级跃迁到导带的电子，形成更大的光电流，提高光电探测器的性能。
- 一种硅基叉指型光电探测器
- [发明专利]晶体管及其形成方法-CN201310365802.8有效
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刘金华
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2013-08-20
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2017-06-16
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H01L29/78
- 一种晶体管及其形成方法，其中晶体管包括半导体衬底的表面具有第一掺杂区，第一掺杂区内具有第一掺杂离子，第一掺杂区内的第一掺杂离子具有第一浓度；位于第一掺杂区部分表面且具有第一掺杂离子的半导体层，半导体层内的第一掺杂离子具有第一浓度；位于半导体层内的第二掺杂区，第二掺杂区位于半导体层侧壁和顶部的表面，第二掺杂区内具有第一掺杂离子，第二掺杂区内的第一掺杂离子具有第二浓度，第二浓度大于第一浓度；位于半导体层两侧侧壁内的第二掺杂区表面的栅极结构；位于半导体层和栅极结构两侧的部分第一掺杂区和部分半导体衬底内的漏区，漏区内具有第一掺杂离子，漏区内的第一掺杂离子具有第二浓度。晶体管的尺寸缩小、集成度提高。
- 晶体管及其形成方法
- [发明专利]恒流二极管及其制造方法-CN201410542544.0有效
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赵圣哲
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北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
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2014-10-14
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2019-01-15
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H01L29/861
- 本发明提供了一种恒流二极管及其制造方法，该恒流二极管包括：衬底层；位于所述衬底层上的外延层；位于所述外延层中并与所述外延层背向所述衬底层的表面相贴的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间，所述外延层背向所述衬底层的表面上设有与所述第一掺杂区及所述第三掺杂区对应的凹槽；其中，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型为P型且所述第二掺杂区的掺杂类型为N型，或者，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型为N型且所述第二掺杂区的掺杂类型为P型。本发明可以减小恒流二极管耗尽区处的结电容，同时不对器件的其他性能造成很大影响。
- 二极管及其制造方法
- [发明专利]一种太阳能电池及制备方法-CN201910247636.9在审
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黄文洋
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东泰高科装备科技有限公司
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2019-03-29
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2020-10-09
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H01L31/0352
- 其中，所述太阳能电池包括：包括由下到上依次层叠排列的衬底、至少两节子电池和接触层，在相邻两节子电池之间设置一个隧穿结，隧穿结包括层叠排列的n型第一掺杂层、n型第二掺杂层、p型第一掺杂层和p型第二掺杂层，n型第一掺杂层和n型第二掺杂层相邻，p型第一掺杂层和p型第二掺杂层相邻，n型第一掺杂层和p型第一掺杂层相邻；n型第一掺杂层的n型离子的掺杂浓度高于n型第二掺杂层的掺杂浓度，p型第一掺杂层的p型离子的掺杂浓度高于p型第二掺杂层的掺杂浓度。本发明实施例提供的太阳能电池及制备方法，提高了太阳能电池的光电转换效率。
- 一种太阳能电池制备方法
- [发明专利]反熔丝存储单元及其制作方法-CN201910745176.2在审
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冯鹏;李雄
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长鑫存储技术有限公司
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2019-08-13
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2021-02-23
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H01L27/112
- 本发明实施例涉及一种反熔丝存储单元及其制作方法，反熔丝存储单元包括：衬底，所述衬底上具有选择栅极结构；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别位于选择栅极结构相对两侧的所述衬底内，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同；位于所述第一掺杂区上的反熔丝栅介质层和位于所述反熔丝栅介质层上的反熔丝栅极；第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第二掺杂区与所述选择栅极结构之间，所述第三掺杂区的与所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同，且所述第三掺杂区的掺杂离子浓度小于所述第二掺杂区的掺杂离子浓度本发明可以降低电场对选择栅介质层的损伤，从而提高反熔丝存储单元中选择晶体管的可靠性。
- 反熔丝存储单元及其制作方法
- [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310417511.2在审
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杨杰;杨航
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长鑫存储技术有限公司
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2023-04-13
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2023-07-07
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H01L29/06
- 本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体器件功耗大的问题，该半导体结构包括衬底，衬底包括多个间隔设置的有源区；有源区中具有源极和漏极，源极和漏极之间具有栅极，栅极下方有沟道区；源极和漏极均包括掺杂区，源极的掺杂区和漏极的掺杂区沿栅极的中轴线对称设置；各掺杂区包括第一子掺杂区、第二子掺杂区和第三子掺杂区，第一子掺杂区、第二子掺杂区和第三子掺杂区由顶部至底部依次设置，第三子掺杂区靠近沟道区的一端向第一子掺杂区延伸并与第一子掺杂区连接；其中，第一子掺杂区和第三子掺杂区的掺杂浓度大于第二子掺杂区的掺杂浓度。本申请能够减小PN结的反偏漏电流，从而减小半导体器件的功耗。
- 半导体结构及其制备方法
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