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- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110289168.9在审
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曹凯
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长鑫存储技术有限公司
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2021-03-18
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2022-09-27
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H01L21/8242
- 一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供基底;在基底上形成第一介质层后,在第一介质层上形成若干折线形的第一掩膜图案,第一掩膜图案沿第一方向延伸;在第一掩膜图案上形成若干折线形的第二掩膜图案,第二掩膜图案沿第二方向延伸,第二方向与第一方向不同,第一掩膜图案与第二掩膜图案在第一介质层的投影交叠呈多边形;以第二掩膜图案和第一掩膜图案为掩膜刻蚀第一介质层形成开口。通过第一掩膜图案和第二掩膜图案的配合定义出多边形的形状,以第一掩膜图案和第二掩膜图案为掩膜刻蚀第一介质层形成开口,可以改善刻蚀负载效应造成的刻蚀均匀性问题。
- 半导体结构及其形成方法
- [发明专利]改善硬掩膜刻蚀后均匀性的方法-CN202210702730.0在审
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谢磊;何志斌;夏禹
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-06-21
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2022-08-30
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H01L21/28
- 本发明提供一种改善硬掩膜刻蚀后均匀性的方法,提供衬底,衬底上形成有自下而上依次叠加的第二氧化层、栅极、第一至三硬掩膜层;通过光刻和刻蚀打开第三硬掩膜层及其下方的第二、一硬掩膜层,使得部分栅极裸露,之后去除光刻胶层及抗反射涂层;以栅极相对于第二、三硬掩膜层的高选择比,刻蚀裸露的栅极形成凹槽,使得部分第一硬掩膜层上的第三硬掩膜层去除;以栅极相对于第三硬掩膜层的低选择比、第三硬掩膜层相对于第二硬掩膜层的高选择比,刻蚀第三硬掩膜层、第二硬掩膜层,使得剩余的第三硬掩膜层全部去除。本发明通过改变硬掩膜层的结构,并优化栅极刻蚀步骤中的选择比,改善了残留的硬掩膜层的负载差异。
- 改善硬掩膜刻蚀均匀方法
- [发明专利]新型蒸镀掩膜板张紧方法-CN201410161454.7有效
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赵芳;魏锋;任海
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四川虹视显示技术有限公司
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2014-04-22
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2014-07-30
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C23C14/04
- 本发明公开了一种新型蒸镀掩膜板张紧方法,第一步、设置掩膜板框架;第二步、在掩膜板框架的纵向上设置纵向骨架,并且张紧,然后焊接;第三步、在掩膜板框架的横向上设置横向骨架,并且张紧,然后焊接;第四步、将子掩膜板安装在铺设好横纵向骨架的掩膜板框架上,并且张紧,然后焊接;第五步、重复第四步,一直到形成一张完成的郑镀掩膜板。本发明具有以下优点:若其中一张子掩膜板上的像素出现问题,可以只将这张子掩膜板撕下来报废后,重新焊接一张新的子掩膜板,这样可以大大降低掩膜板的报废率;在掩膜板焊接之前,掩膜板框架上需要焊接细小的纵横交替的金属骨架,来支撑掩膜板,这样就避免出现因掩膜板下垂而造成的像素变形问题。
- 新型蒸镀掩膜板张紧方法
- [发明专利]半导体结构的制备方法和半导体结构-CN202110213894.2有效
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吕游;杨蕾
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长鑫存储技术有限公司
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2021-02-25
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2022-05-27
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H01L21/027
- 本公开提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构,该制备方法包括:于衬底上形成第一图案层,第一图案层包括位于阵列区域上的第一图形和位于外围区域上的第二图形;于第一图案层上形成掩膜材料层,掩膜材料层包括位于外围区域上的第一掩膜材料层、位于边缘区域上的第二掩膜材料层及位于中心区域上的第三掩膜材料层,第二掩膜材料层大于第一掩膜材料层的厚度;确定边缘区域的位置及第二掩膜材料层和第三掩膜材料层的厚度差;根据边缘区域的位置和厚度差,修正第二掩膜材料层的厚度,修正后的第二掩膜材料层和第三掩膜材料层的厚度差位于目标厚度差的范围内;图案化修正后的掩膜材料层形成掩膜层,根据掩膜层图案化第一图案层,形成第二图案层。
- 半导体结构制备方法
- [实用新型]涂胶装置-CN202022697916.0有效
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诸嘉豪
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无锡迪思微电子有限公司
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2020-11-19
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2021-10-15
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B05C11/00
- 本申请提供了一种涂胶装置,该涂胶装置包括甩干机,甩干机包括甩干机本体和掩膜版架,掩膜版架位于甩干机本体的表面上,掩膜版架用于固定掩膜版。该涂胶装置,包括甩干机,甩干机包括甩干机本体和掩膜版架,掩膜版架位于甩干机本体的表面上,掩膜版架用于固定掩膜版。相比现有技术中的涂胶装置仅为可控制转速和运行时间的直流电机,只具有甩干功能,本申请的涂胶装置在具备甩干功能的同时,通过将掩膜版放置在掩膜版架上,来固定掩膜版,可以使得掩膜版表面的光刻胶在甩干过程中变得较为均匀,保证光刻胶能较为均匀地覆盖掩膜版,避免了现有的涂胶装置无法使得掩膜版均匀涂布光刻胶的问题,保证了掩膜版的涂布光刻胶的效果较好。
- 涂胶装置
- [发明专利]减少制造成本的组合掩膜版-CN201410844370.3在审
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樊茂;王希铭
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展讯通信(上海)有限公司
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2014-12-30
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2016-07-27
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G03F1/00
- 本发明涉及电子技术领域,具体涉及一种组合掩膜版。减少制造成本的组合掩膜版,包括,第一掩膜版,用于在一复合结构中形成第一薄膜层;第二掩膜版,用于在复合结构中形成第二薄膜层;第三掩膜版,用于形成连接第一薄膜层与第二薄膜层之间的通孔;第四掩膜版,用于在复合结构中形成第三薄膜层;本发明第一掩膜版的第一光掩膜图形、第二掩膜版的第二光掩膜图形、第四掩膜版的第四光掩膜图形叠加后的重合区域形成第五光掩模图形,第五光掩膜图形用于在复合结构中形成连接第二薄膜层与第三薄膜层的通孔,本发明可以减少通孔对应的掩膜版的数量
- 减少制造成本组合掩膜版
- [发明专利]一种掩膜板制作方法及掩膜板-CN202210252156.3在审
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王云升
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深圳市柯宝原科技有限公司
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2022-03-15
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2023-07-21
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C23C14/24
- 本发明提供一种掩膜板制作方法及采用该方法制作形成的掩膜板,所述掩膜板制作方法包括:对作为掩膜的不锈钢片进行张网;对所述不锈钢片进行激光切割,形成需要的掩膜通孔图案;将切割好的不锈钢片焊接到掩膜板框上,去除多余部分获得掩膜板半成品;取另一不锈钢片制作保护片,对所述掩膜板半成品进行保护并打磨通孔边沿,清洗获得最终的掩膜板。由于本申请提供的掩膜板制作方法,采用打磨的方式去除了通孔边沿的毛刺等缺陷,提高了掩膜板的制造良率。本申请提供的掩膜板由于采用上述方法制作形成,避免了掩膜板通孔边沿毛刺等缺陷,因此能够提高掩膜板的质量和OLED蒸镀质量。
- 一种掩膜板制作方法
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