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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410736243.1有效
发明人：张海洋;张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成初始掩膜层；对所述初始掩膜层进行掺杂处理，将初始掩膜层转化为掺杂掩膜层；在所述掺杂掩膜层表面形成具有第一开口的第一图形层；以所述第一图形层为掩膜，采用干法刻蚀工艺沿第一开口刻蚀所述掺杂掩膜层，形成贯穿掺杂掩膜层的第二开口，且所述干法刻蚀工艺对掺杂掩膜层的刻蚀速率大于对初始掩膜层的刻蚀速率；去除所述第一图形层。本发明干法刻蚀工艺对掺杂掩膜层的刻蚀速率大于对初始掩膜层的刻蚀速率，因此无需形成有机分布层，避免有机分布层材料残留问题，提高初始掩膜层以及第二开口的洁净度，提高形成的半导体结构良率。
半导体结构形成方法

[发明专利]掩膜版及其制作方法和显示装置-CN201810154770.X有效
发明人：李杰威;殷川;童亚超;屈丽桃;齐忠胜 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版及其制作方法和显示装置，该掩膜版包括：框架以及焊接在所述框架上的多个掩膜条；每一所述掩膜条包括掩膜条本体，所述掩膜条本体的表面包括焊接区域和非焊接区域，所述非焊接区域设置有第一保护涂层，设置在非焊接区域的第一保护涂层能够阻挡等离子体对掩膜条本体表面的直接轰击，改善掩膜条耐等离子体轰击的性能，延长掩膜条的使用寿命。同时，焊接区域不设置第一保护涂层，以避免由于第一保护涂层热传导性能差，导致掩膜条焊接不牢固的问题，使得在焊接时掩膜条本体‑掩膜条本体，以及掩膜条本体‑框架直接接触，有利于热传导，提高焊接强度。
掩膜版及其制作方法显示装置

[实用新型]掩膜版-CN201721905467.6有效
发明人：石晶晶;褚福川 -专利权人：张家港康得新光电材料有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种掩膜版。该掩膜版包括掩膜图形区和非掩膜图形区，掩膜图形区用于曝光时固化其下方的光刻胶，非掩膜图形区用于阻挡曝光用的光线，掩膜图形区包括若干主掩膜图形和若干辅助掩膜图形，主掩膜图形在掩膜版中阵列排布，辅助掩膜图形设置在相邻的主掩膜图形之间
掩膜图形掩膜版制备材料成本导电基板辅助掩膜图形设置阵列排布曝光辅助框光刻胶良品率形变量掩模板崩边模组掩膜固化切割阻挡

[实用新型]掩膜版、掩膜组件及显示装置-CN201620523960.0有效
发明人：乔永康;徐鹏;潘晟恺 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掩膜版、掩膜组件及显示装置，属于显示技术领域。所述掩膜版包括：第一掩膜条和第二掩膜条，所述第一掩膜条的长度方向垂直于框架的长度方向，所述第二掩膜条的长度方向平行于所述框架的长度方向，所述第一掩膜条设置于所述第二掩膜条之上，所述第一掩膜条与所述第二掩膜条存在交叠区域，其中，所述第一掩膜条和所述第二掩膜条均为拱形结构，所述拱形结构的两端的厚度大于中间的厚度。
掩膜版组件显示装置

[实用新型]一种用于太阳电池背面镀膜的掩膜装置-CN201620055595.5有效
发明人：蒲天;罗旌旺;吴兢;芮春保 -专利权人：江苏辉伦太阳能科技有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于太阳电池背面镀膜的掩膜装置，包括自上而下设置的承载台、掩膜底座、掩膜图版和压条，所述掩膜底座为一个中空的方形框架，所述承载台嵌套于掩膜底座内，所述掩膜底座和掩膜图版上均设置有对准槽，所述掩膜底座、掩膜图版和压条上均设置有圆孔，圆孔内设有螺丝将掩膜底座、掩膜图版和压条紧固为一体式。当掩膜图形改变时，仅需要只要重新设计掩膜图版进行替换就可，装置其他部分可以继续使用，降低成本。
一种用于太阳电池背面镀膜装置

[发明专利]一种掩膜板及其制备方法、基板的制备方法-CN201711029444.8在审
发明人：宋平;王菲菲;郭远征;王有为;蔡鹏;肖志慧 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种掩膜板及其制备方法、基板的制备方法，涉及显示技术领域，可改善掩膜板发生褶皱的问题。一种掩膜板，包括掩膜板本体，所述掩膜板本体包括至少一个开口区；非金属掩膜层设置于所述掩膜板本体上，且在所述开口区，所述非金属掩膜层包括若干子像素蒸镀孔。
一种掩膜板及其制备方法

[发明专利]一种掩膜板支撑装置和清洗掩膜板的方法-CN201410050506.3在审
发明人：张士健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-13 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： G03F1/64 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜板支撑装置和清洗掩膜板的方法，涉及半导体技术领域。该掩膜板支撑装置，包括用于支撑掩膜板的框架以及设置于所述框架底部并与所述框架组成容置空间的底板；其中，所述框架的外侧设置有用于防止掩膜板水平移动的防滑挡板，所述防滑挡板的顶端高于所述框架的顶端。该掩膜板支撑装置，由于具有设置于框架底部并与框架组成容置空间的底板，可以在清洗掩膜板时防止掩膜板保护膜被清洗液腐蚀，因而在进行掩膜板清洗时，可以省略去除和安装掩膜板保护膜的步骤，降低工艺复杂度和成本。该清洗掩膜板的方法，应用了上述的掩膜板支撑装置，省略了去除和安装掩膜板保护膜的步骤，降低了工艺复杂度和成本。
一种掩膜板支撑装置清洗方法

[发明专利]一种掩膜版的清洁系统及掩膜版的清洁方法-CN201910567870.X在审
发明人：郑立明;张迪;杨硕 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版的清洁系统及掩膜版的清洁方法，该掩膜版的清洁系统包括燃烧组件和清洗组件；其中，燃烧组件用于对掩膜版施加电流，以使掩膜版上的附着物燃烧形成残留物，燃烧组件包括电源和电极夹具，电极夹具与电源电性连接，用于固定掩膜版；清洗组件用于对掩膜版上的残留物进行清洗。本发明提供的掩膜版的清洁方法，通过电源对掩膜版施加电流，在对掩膜版施加电流的过程中，掩膜版的温度会升高，从而使掩膜版上的纤维附着物达到燃点而燃烧形成残留物，便于有效地完全去除纤维附着物。
掩膜版附着物清洁系统燃烧组件施加电流电极夹具清洗组件清洁电源纤维燃烧电源电性固定掩膜燃点有效地去除清洗升高

[发明专利]一种刻蚀方法-CN202010151349.0在审
发明人：单静静;章诗;曾最新;钟杜 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种刻蚀方法，所述方法包括：提供待刻蚀的半导体结构；在所述半导体结构上依次形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；在所述第二硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀第二硬掩膜层，形成暴露所述第一硬掩膜层的第一沟槽；以刻蚀后的第二硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一硬掩膜层，形成与第一沟槽连通的第二沟槽；利用清洗溶液对所述第二沟槽的内壁进行清洗，所述清洗溶液包括能够清除第二硬掩膜层材料的溶液；以清洗后的第一硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体结构。
一种刻蚀方法

[发明专利]沟槽刻蚀方法-CN201910435979.8在审
发明人：徐若男;孙武;赵月梅;韩宝东 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽刻蚀方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成刻蚀掩膜层，所述刻蚀掩膜层为开口图形；在所述刻蚀掩膜层的侧壁形成侧墙掩膜层；以所述刻蚀掩膜层和所述侧墙掩膜层作为刻蚀掩膜，对所述衬底进行刻蚀，并形成第一沟槽；去除所述侧墙掩膜层；以所述刻蚀掩膜层作为刻蚀掩膜，对所述第一沟槽进行刻蚀，并形成第二沟槽。本发明通过引入所述侧墙掩膜层，并在所述侧墙掩膜层去除前后分别进行两次沟槽刻蚀，以形成具有圆滑顶部的沟槽结构，且沟槽结构的宽度尺寸及深度等参数也能够严格控制，从而改善了器件的击穿特性，提升了产品良率。
沟槽刻蚀方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202111679803.0在审
发明人：王洪岩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括功能区；在所述衬底上形成初始掩膜层，所述初始掩膜层包括位于所述衬底上的初始第一掩膜层、以及位于初始第一掩膜层上的初始上层掩膜层；以所述初始掩膜层为掩膜，在所述功能区内形成沟槽；在形成沟槽后，去除所述功能区上的初始上层掩膜层，形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，在沟槽内形成沟道结构；平坦化所述功能区上的沟道结构以及掩膜层，直至暴露出所述功能区表面，以形成沟道层
半导体结构形成方法

[发明专利]一种掩膜板制作方法及掩膜板-CN202210250633.2在审
发明人：王云升 -专利权人：深圳市柯宝原科技有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜板制作方法及采用该方法制作形成的掩膜板，所述掩膜板制作方法包括：对作为掩膜的不锈钢片进行张网；对所述不锈钢片上下面双激光头同步切割，形成需要的掩膜通孔图案；将切割好的不锈钢片焊接到掩膜板框上，去除多余部分并清洗获得最终的掩膜板。由于本申请提供的掩膜板制作方法，采用双激光头切割的方式不会产生毛刺等缺陷，提高了掩膜板的制造良率和效率。本申请提供的掩膜板由于采用上述方法制作形成，避免了掩膜板通孔边沿缺陷的产生，因此能够提高掩膜板的质量和OLED蒸镀的质量。
一种掩膜板制作方法

[发明专利]一种用于高能离子注入的复合掩膜的去除方法-CN201510029323.8有效
发明人：施长治;林春 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜的去除方法。本发明中的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。去除复合掩膜的两种介质膜刻蚀剂不同，去除掩膜时，依次去除牺牲介质膜、光致抗蚀剂掩膜及阻挡层介质膜。本发明的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。
一种用于高能离子注入复合去除方法

[发明专利]一种掩膜板及其制备方法-CN201810416093.4有效
发明人：王灿;张粲;杨明;岳晗;丛宁;玄明花;陈小川 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及蒸镀技术领域，公开一种掩膜板及其制备方法，其中，掩膜板包括掩膜本体和形成在所述掩膜本体上的涂层；其中：所述涂层对有机材料的吸附性比所述掩膜本体对有机材料的吸附性差。上述掩膜板，由于其掩膜本体表面具有涂层，且该涂层对有机材料的吸附性比较差，进而，在利用该掩膜板进行蒸镀时，蒸镀材料不易吸附于该掩膜板上，因此，该掩膜板的开口不易发生堵塞，从而该掩膜板的使用寿命较长；并且，该掩膜板可以具有较高的精度和较小的图案开口，尤其适合制备高PPI的OLED产品，可以提高产品的蒸镀良率。
一种掩膜板及其制备方法

[发明专利]固定薄膜溅射用衬底的装置及用此装置来固定衬底的方法-CN03142457.0有效
发明人：姜敞皓;张容源;金兑承 -专利权人：三星日本电气移动显示株式会社
申请日： 2003-06-02 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：一种用于固定薄膜溅射用衬底的装置，包括掩膜、掩膜压板、磁体和驱动单元。具有图案的掩膜位于衬底下方，以便在衬底上形成图案。掩膜压板位于衬底之上并以预定的压力朝向衬底背面运动并与之接触。磁体位于掩膜压板的上方并朝向掩膜压板运动，从而可通过磁体的磁力而使掩膜紧密地粘附在衬底上。驱动单元施加驱动力以移动磁体。当掩膜压板下降时，掩膜压板紧密地粘附在衬底上。之后，磁体朝向衬底背面下降，衬底由掩膜压板支撑。衬底下方的掩膜通过磁体的磁力而紧密地粘附在衬底的正面上。因此，由于衬底被多级式地支撑，掩膜在衬底下方的对齐不会发生错位。
固定薄膜溅射衬底装置方法

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